WSD100N15DN56G N-ಚಾನೆಲ್ 150V 100A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

ಸಣ್ಣ ವಿವರಣೆ:

ಭಾಗ ಸಂಖ್ಯೆ:WSD100N15DN56G

BVDSS:150V

ID:100A

RDSON:6mΩ

ಚಾನಲ್:ಎನ್-ಚಾನೆಲ್

ಪ್ಯಾಕೇಜ್:DFN5X6-8

ನಮಗೆ ಇಮೇಲ್ ಕಳುಹಿಸಿ PDF

ಉತ್ಪನ್ನದ ವಿವರ

ಅಪ್ಲಿಕೇಶನ್

ಉತ್ಪನ್ನ ಟ್ಯಾಗ್ಗಳು

WINSOK MOSFET ಉತ್ಪನ್ನದ ಅವಲೋಕನ

WSD100N15DN56G MOSFET ನ ವೋಲ್ಟೇಜ್ 150V ಆಗಿದೆ, ಪ್ರಸ್ತುತ 100A ಆಗಿದೆ, ಪ್ರತಿರೋಧವು 6mΩ ಆಗಿದೆ, ಚಾನಲ್ N-ಚಾನೆಲ್ ಆಗಿದೆ ಮತ್ತು ಪ್ಯಾಕೇಜ್ DFN5X6-8 ಆಗಿದೆ.

WINSOK MOSFET ಅಪ್ಲಿಕೇಶನ್ ಪ್ರದೇಶಗಳು

ವೈದ್ಯಕೀಯ ವಿದ್ಯುತ್ ಸರಬರಾಜು MOSFET, PDs MOSFET, ಡ್ರೋನ್ಸ್ MOSFET, ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನಿಕ್ ಸಿಗರೇಟ್ MOSFET, ಪ್ರಮುಖ ಉಪಕರಣಗಳು MOSFET, ಮತ್ತು ವಿದ್ಯುತ್ ಉಪಕರಣಗಳು MOSFET.

MOSFET ನಿಯತಾಂಕಗಳು

ಚಿಹ್ನೆ	ಪ್ಯಾರಾಮೀಟರ್	ರೇಟಿಂಗ್	ಘಟಕಗಳು
ವಿಡಿಎಸ್	ಡ್ರೈನ್-ಸೋರ್ಸ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್	150	V
ವಿಜಿಎಸ್	ಗೇಟ್-ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್	±20	V
ID	ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ ಕರೆಂಟ್, ವಿ_GS@ 10V(ಟಿ_C=25℃)	100	A
IDM	ಪಲ್ಸ್ ಡ್ರೈನ್ ಕರೆಂಟ್	360	A
EAS	ಏಕ ನಾಡಿ ಅವಲಾಂಚೆ ಶಕ್ತಿ	400	mJ
P_D	ಒಟ್ಟು ವಿದ್ಯುತ್ ವಿಸರ್ಜನೆ..._C=25℃)	160	W
RθJA	ಉಷ್ಣ ಪ್ರತಿರೋಧ, ಜಂಕ್ಷನ್-ಪರಿಸರ	62	℃/W
RθJC	ಉಷ್ಣ ಪ್ರತಿರೋಧ, ಜಂಕ್ಷನ್-ಕೇಸ್	0.78	℃/W
TSTG	ಶೇಖರಣಾ ತಾಪಮಾನ ಶ್ರೇಣಿ	-55 ರಿಂದ 175	℃
T_J	ಕಾರ್ಯಾಚರಣಾ ಜಂಕ್ಷನ್ ತಾಪಮಾನ ಶ್ರೇಣಿ	-55 ರಿಂದ 175	℃

ಚಿಹ್ನೆ	ಪ್ಯಾರಾಮೀಟರ್	ಷರತ್ತುಗಳು	ಕನಿಷ್ಠ	ಟೈಪ್ ಮಾಡಿ.	ಗರಿಷ್ಠ	ಘಟಕ
BV_{ಡಿಎಸ್ಎಸ್}	ಡ್ರೈನ್-ಸೋರ್ಸ್ ಬ್ರೇಕ್‌ಡೌನ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್	V_GS=0V, I_D=250uA	150	---	---	V
RDS(ಆನ್)	ಸ್ಟ್ಯಾಟಿಕ್ ಡ್ರೈನ್-ಸೋರ್ಸ್ ಆನ್-ರೆಸಿಸ್ಟೆನ್ಸ್²	V_GS=10V, I_D=20A	---	9	12	mΩ
VGS(ನೇ)	ಗೇಟ್ ಥ್ರೆಶೋಲ್ಡ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್	V_GS=V_DS, ಐ_D=250uA	2.0	3.0	4.0	V
IDSS	ಡ್ರೈನ್-ಸೋರ್ಸ್ ಲೀಕೇಜ್ ಕರೆಂಟ್	V_DS=100V, ವಿ_GS=0V, ಟಿ_J=25℃	---	---	1	uA
ಐಜಿಎಸ್ಎಸ್	ಗೇಟ್-ಮೂಲ ಸೋರಿಕೆ ಪ್ರಸ್ತುತ	V_GS=±20V, ವಿ_DS=0V	---	---	±100	nA
Q_g	ಒಟ್ಟು ಗೇಟ್ ಶುಲ್ಕ	V_DS=50V, ವಿ_GS=10V, I_D=20A	---	66	---	nC
Q_gs	ಗೇಟ್-ಮೂಲ ಶುಲ್ಕ		---	26	---
Q_gd	ಗೇಟ್-ಡ್ರೈನ್ ಚಾರ್ಜ್		---	18	---
ಟಿಡಿ(ಆನ್)	ಟರ್ನ್-ಆನ್ ವಿಳಂಬ ಸಮಯ	V_DD=50V,V_GS=10V R_G=2Ω, I_D=20A	---	37	---	ns
T_r	ರೈಸ್ ಟೈಮ್		---	98	---
ಟಿಡಿ(ಆಫ್)	ಟರ್ನ್-ಆಫ್ ವಿಳಂಬ ಸಮಯ		---	55	---
T_f	ಪತನದ ಸಮಯ		---	20	---
C_iss	ಇನ್ಪುಟ್ ಕೆಪಾಸಿಟನ್ಸ್	V_DS=30V, ವಿ_GS=0V, f=1MHz	---	5450	---	pF
ಕಾಸ್	ಔಟ್ಪುಟ್ ಕೆಪಾಸಿಟನ್ಸ್		---	1730	---
C_{ಆರ್ಎಸ್ಎಸ್}	ರಿವರ್ಸ್ ಟ್ರಾನ್ಸ್ಫರ್ ಕೆಪಾಸಿಟನ್ಸ್		---	195	---