WSD6060DN56 N-ಚಾನೆಲ್ 60V 65A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

ಸಣ್ಣ ವಿವರಣೆ:

ಭಾಗ ಸಂಖ್ಯೆ:WSD6060DN56

BVDSS:60V

ID:65A

RDSON:7.5mΩ

ಚಾನಲ್:ಎನ್-ಚಾನೆಲ್

ಪ್ಯಾಕೇಜ್:DFN5X6-8

ನಮಗೆ ಇಮೇಲ್ ಕಳುಹಿಸಿ PDF

ಉತ್ಪನ್ನದ ವಿವರ

ಅಪ್ಲಿಕೇಶನ್

ಉತ್ಪನ್ನ ಟ್ಯಾಗ್ಗಳು

WINSOK MOSFET ಉತ್ಪನ್ನದ ಅವಲೋಕನ

WSD6060DN56 MOSFET ನ ವೋಲ್ಟೇಜ್ 60V ಆಗಿದೆ, ಪ್ರಸ್ತುತ 65A ಆಗಿದೆ, ಪ್ರತಿರೋಧವು 7.5mΩ ಆಗಿದೆ, ಚಾನಲ್ N-ಚಾನಲ್ ಆಗಿದೆ, ಮತ್ತು ಪ್ಯಾಕೇಜ್ DFN5X6-8 ಆಗಿದೆ.

WINSOK MOSFET ಅಪ್ಲಿಕೇಶನ್ ಪ್ರದೇಶಗಳು

ಇ-ಸಿಗರೇಟ್‌ಗಳು MOSFET, ವೈರ್‌ಲೆಸ್ ಚಾರ್ಜಿಂಗ್ MOSFET, ಮೋಟಾರ್ಸ್ MOSFET, ಡ್ರೋನ್ಸ್ MOSFET, ವೈದ್ಯಕೀಯ ಆರೈಕೆ MOSFET, ಕಾರ್ ಚಾರ್ಜರ್‌ಗಳು MOSFET, ನಿಯಂತ್ರಕಗಳು MOSFET, ಡಿಜಿಟಲ್ ಉತ್ಪನ್ನಗಳು MOSFET, ಸಣ್ಣ ಗೃಹೋಪಯೋಗಿ ಉಪಕರಣಗಳು MOSFET, ಗ್ರಾಹಕ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನಿಕ್ಸ್ MOSFET.

WINSOK MOSFET ಇತರ ಬ್ರ್ಯಾಂಡ್ ವಸ್ತು ಸಂಖ್ಯೆಗಳಿಗೆ ಅನುರೂಪವಾಗಿದೆ

STMicroelectronics MOSFET STL5DN6F7.PANJIT MOSFET PSMQC73N6NS1.POTENS ಸೆಮಿಕಂಡಕ್ಟರ್ MOSFET PDC696X.

MOSFET ನಿಯತಾಂಕಗಳು

ಚಿಹ್ನೆ	ಪ್ಯಾರಾಮೀಟರ್		ರೇಟಿಂಗ್	ಘಟಕ
ಸಾಮಾನ್ಯ ರೇಟಿಂಗ್‌ಗಳು
ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್	ಡ್ರೈನ್-ಸೋರ್ಸ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್		60	V
ವಿಜಿಎಸ್ಎಸ್	ಗೇಟ್-ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್		±20	V
T_J	ಗರಿಷ್ಠ ಜಂಕ್ಷನ್ ತಾಪಮಾನ		150	°C
TSTG	ಶೇಖರಣಾ ತಾಪಮಾನ ಶ್ರೇಣಿ		-55 ರಿಂದ 150	°C
I_S	ಡಯೋಡ್ ನಿರಂತರ ಫಾರ್ವರ್ಡ್ ಕರೆಂಟ್	T_c=25°C	30	A
ID	ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ ಕರೆಂಟ್	T_c=25°C	65	A
ID	ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ ಕರೆಂಟ್	T_c=70°C	42	A
ಐ ಡಿಎಂ ಬಿ	ಪಲ್ಸ್ ಡ್ರೈನ್ ಕರೆಂಟ್ ಪರೀಕ್ಷಿಸಲಾಗಿದೆ	T_c=25°C	250	A
P_D	ಗರಿಷ್ಠ ವಿದ್ಯುತ್ ವಿಸರ್ಜನೆ	T_c=25°C	62.5	W
P_D	ಗರಿಷ್ಠ ವಿದ್ಯುತ್ ವಿಸರ್ಜನೆ	T_C=70°C	38	W
R_qJL	ಥರ್ಮಲ್ ರೆಸಿಸ್ಟೆನ್ಸ್-ಜಂಕ್ಷನ್ ಟು ಲೀಡ್	ಸ್ಥಿರ ಸ್ಥಿತಿ	2.1	°C/W
RqJA	ಥರ್ಮಲ್ ರೆಸಿಸ್ಟೆನ್ಸ್-ಜಂಕ್ಷನ್ ಟು ಆಂಬಿಯೆಂಟ್	t £ 10 ಸೆ	45	°C/W
RqJA	ಥರ್ಮಲ್ ರೆಸಿಸ್ಟೆನ್ಸ್-ಜಂಕ್ಷನ್ ಟು ಆಂಬಿಯೆಂಟ್	ಸ್ಥಿರ ಸ್ಥಿತಿ^b	50	°C/W
ನಾನು ಎಎಸ್^d	ಅವಲಾಂಚೆ ಕರೆಂಟ್, ಏಕ ನಾಡಿ	L=0.5mH	18	A
ಇ ಎಎಸ್ ಡಿ	ಅವಲಾಂಚೆ ಎನರ್ಜಿ, ಏಕ ನಾಡಿ	L=0.5mH	81	mJ

ಚಿಹ್ನೆ	ಪ್ಯಾರಾಮೀಟರ್	ಪರೀಕ್ಷಾ ಪರಿಸ್ಥಿತಿಗಳು		ಕನಿಷ್ಠ	ಟೈಪ್ ಮಾಡಿ.	ಗರಿಷ್ಠ	ಘಟಕ
ಸ್ಥಿರ ಗುಣಲಕ್ಷಣಗಳು
BV_{ಡಿಎಸ್ಎಸ್}	ಡ್ರೈನ್-ಸೋರ್ಸ್ ಬ್ರೇಕ್‌ಡೌನ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್	V_GS=0V, I_DS=250mA		60	-	-	V
IDSS	ಶೂನ್ಯ ಗೇಟ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಡ್ರೈನ್ ಕರೆಂಟ್	V_DS=48V, ವಿ_GS=0V		-	-	1	mA
IDSS	ಶೂನ್ಯ ಗೇಟ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಡ್ರೈನ್ ಕರೆಂಟ್						mA
			T_J=85°C	-	-	30
VGS(ನೇ)	ಗೇಟ್ ಥ್ರೆಶೋಲ್ಡ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್	V_DS=V_GS, ಐ_DS=250mA		1.2	1.5	2.5	V
ಐಜಿಎಸ್ಎಸ್	ಗೇಟ್ ಲೀಕೇಜ್ ಕರೆಂಟ್	V_GS=±20V, ವಿ_DS=0V		-	-	±100	nA
ಆರ್ ಡಿಎಸ್(ಆನ್) 3	ಡ್ರೈನ್-ಸೋರ್ಸ್ ಆನ್-ಸ್ಟೇಟ್ ರೆಸಿಸ್ಟೆನ್ಸ್	V_GS=10V, I_DS=20A		-	7.5	10	m W
ಆರ್ ಡಿಎಸ್(ಆನ್) 3	ಡ್ರೈನ್-ಸೋರ್ಸ್ ಆನ್-ಸ್ಟೇಟ್ ರೆಸಿಸ್ಟೆನ್ಸ್	V_GS=4.5V, I_DS=15 ಎ		-	10	15	m W
ಡಯೋಡ್ ಗುಣಲಕ್ಷಣಗಳು
ವಿ ಎಸ್ಡಿ	ಡಯೋಡ್ ಫಾರ್ವರ್ಡ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್	I_SD=1A, ವಿ_GS=0V		-	0.75	1.2	V
t_rr	ರಿವರ್ಸ್ ರಿಕವರಿ ಸಮಯ	I_SD=20A, dl_SD/dt=100A/µs		-	42	-	ns
Q_rr	ರಿವರ್ಸ್ ರಿಕವರಿ ಚಾರ್ಜ್	I_SD=20A, dl_SD/dt=100A/µs		-	36	-	nC
ಡೈನಾಮಿಕ್ ಗುಣಲಕ್ಷಣಗಳು^3,4
R_G	ಗೇಟ್ ಪ್ರತಿರೋಧ	V_GS=0V,V_DS=0V,F=1MHz		-	1.5	-	W
C_iss	ಇನ್ಪುಟ್ ಕೆಪಾಸಿಟನ್ಸ್	V_GS=0V, V_DS=30V, F=1.0MHz Ω		-	1340	-	pF
C_oss	ಔಟ್ಪುಟ್ ಕೆಪಾಸಿಟನ್ಸ್			-	270	-
C_{ಆರ್ಎಸ್ಎಸ್}	ರಿವರ್ಸ್ ಟ್ರಾನ್ಸ್ಫರ್ ಕೆಪಾಸಿಟನ್ಸ್			-	40	-
ಟಿಡಿ(ಆನ್)	ಟರ್ನ್-ಆನ್ ವಿಳಂಬ ಸಮಯ	VDD=30V, IDS=1A, VGEN=10V, RG=6Ω.		-	15	-	ns
t_r	ಟರ್ನ್-ಆನ್ ರೈಸ್ ಟೈಮ್			-	6	-
ಟಿಡಿ (ಆಫ್)	ಟರ್ನ್-ಆಫ್ ವಿಳಂಬ ಸಮಯ			-	33	-
t_f	ಟರ್ನ್ ಆಫ್ ಫಾಲ್ ಟೈಮ್			-	30	-
ಗೇಟ್ ಚಾರ್ಜ್ ಗುಣಲಕ್ಷಣಗಳು ^3,4
Q_g	ಒಟ್ಟು ಗೇಟ್ ಶುಲ್ಕ	V_DS=30V, V_GS=4.5V, I_DS=20A		-	13	-	nC
Q_g	ಒಟ್ಟು ಗೇಟ್ ಶುಲ್ಕ	V_DS=30V, ವಿ_GS=10V, I_DS=20A		-	27	-
Q_gth	ಥ್ರೆಶೋಲ್ಡ್ ಗೇಟ್ ಚಾರ್ಜ್			-	4.1	-
Q_gs	ಗೇಟ್-ಮೂಲ ಶುಲ್ಕ			-	5	-
Q_gd	ಗೇಟ್-ಡ್ರೈನ್ ಚಾರ್ಜ್			-	4.2	-