ವಿದ್ಯುತ್ MOSFET ನ ಕೆಲಸದ ತತ್ವದ ಬಗ್ಗೆ

ಪವರ್ MOSFET ಗಳು ಎರಡು ಮುಖ್ಯ ವಿಧಾನಗಳಲ್ಲಿ ಕಾರ್ಯನಿರ್ವಹಿಸುತ್ತವೆ:

(1) D ಮತ್ತು S (ಡ್ರೈನ್ ಧನಾತ್ಮಕ, ಮೂಲ ಋಣಾತ್ಮಕ) ಮತ್ತು UGS=0 ಗೆ ಧನಾತ್ಮಕ ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಅನ್ನು ಸೇರಿಸಿದಾಗ, P ದೇಹದ ಪ್ರದೇಶ ಮತ್ತು N ಡ್ರೈನ್ ಪ್ರದೇಶದಲ್ಲಿ PN ಜಂಕ್ಷನ್ ಹಿಮ್ಮುಖ ಪಕ್ಷಪಾತವಾಗಿದೆ ಮತ್ತು D ನಡುವೆ ಯಾವುದೇ ಪ್ರಸ್ತುತ ಹಾದುಹೋಗುವುದಿಲ್ಲ ಮತ್ತು S. G ಮತ್ತು S ನಡುವೆ ಧನಾತ್ಮಕ ವೋಲ್ಟೇಜ್ UGS ಅನ್ನು ಸೇರಿಸಿದರೆ, ಗೇಟ್ ಇನ್ಸುಲೇಟೆಡ್ ಆಗಿರುವುದರಿಂದ ಯಾವುದೇ ಗೇಟ್ ಕರೆಂಟ್ ಹರಿಯುವುದಿಲ್ಲ, ಆದರೆ ಗೇಟ್‌ನಲ್ಲಿರುವ ಧನಾತ್ಮಕ ವೋಲ್ಟೇಜ್ ರಂಧ್ರಗಳನ್ನು P ಪ್ರದೇಶದಿಂದ ಕೆಳಗಿನಿಂದ ದೂರ ತಳ್ಳುತ್ತದೆ, ಮತ್ತು ಅಲ್ಪಸಂಖ್ಯಾತ ವಾಹಕ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್‌ಗಳು P ಪ್ರದೇಶದ ಮೇಲ್ಮೈಗೆ ಆಕರ್ಷಿತವಾಗುತ್ತವೆ UGS ನಿರ್ದಿಷ್ಟ ವೋಲ್ಟೇಜ್ UT ಗಿಂತ ಹೆಚ್ಚಾದಾಗ, ಗೇಟ್‌ನ ಅಡಿಯಲ್ಲಿ P ಪ್ರದೇಶದ ಮೇಲ್ಮೈಯಲ್ಲಿ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ ಸಾಂದ್ರತೆಯು ರಂಧ್ರದ ಸಾಂದ್ರತೆಯನ್ನು ಮೀರುತ್ತದೆ, ಹೀಗಾಗಿ P- ಮಾದರಿಯ ಸೆಮಿಕಂಡಕ್ಟರ್ ಆಂಟಿಪ್ಯಾಟರ್ನ್ ಮಾಡುತ್ತದೆ ಲೇಯರ್ ಎನ್-ಟೈಪ್ ಸೆಮಿಕಂಡಕ್ಟರ್; ಈ ಆಂಟಿಪ್ಯಾಟರ್ನ್ ಪದರವು ಮೂಲ ಮತ್ತು ಡ್ರೈನ್ ನಡುವೆ N- ಮಾದರಿಯ ಚಾನಲ್ ಅನ್ನು ರೂಪಿಸುತ್ತದೆ, ಇದರಿಂದಾಗಿ PN ಜಂಕ್ಷನ್ ಕಣ್ಮರೆಯಾಗುತ್ತದೆ, ಮೂಲ ಮತ್ತು ಡ್ರೈನ್ ವಾಹಕ, ಮತ್ತು ಡ್ರೈನ್ ಕರೆಂಟ್ ಐಡಿ ಡ್ರೈನ್ ಮೂಲಕ ಹರಿಯುತ್ತದೆ. UT ಅನ್ನು ಟರ್ನ್-ಆನ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಅಥವಾ ಥ್ರೆಶೋಲ್ಡ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಎಂದು ಕರೆಯಲಾಗುತ್ತದೆ, ಮತ್ತು ಹೆಚ್ಚು UGS ಯುಟಿಯನ್ನು ಮೀರುತ್ತದೆ, ವಾಹಕ ಸಾಮರ್ಥ್ಯವು ಹೆಚ್ಚು ವಾಹಕವಾಗಿರುತ್ತದೆ ಮತ್ತು ID ದೊಡ್ಡದಾಗಿರುತ್ತದೆ. UGS ಯು UT ಅನ್ನು ಮೀರಿದರೆ, ವಾಹಕತೆ ಬಲವಾಗಿರುತ್ತದೆ, ID ಹೆಚ್ಚಾಗುತ್ತದೆ.

(2) D, S ಜೊತೆಗೆ ಋಣಾತ್ಮಕ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ಮೂಲ ಧನಾತ್ಮಕ, ಡ್ರೈನ್ ಋಣಾತ್ಮಕ), PN ಜಂಕ್ಷನ್ ಮುಂದಕ್ಕೆ ಪಕ್ಷಪಾತವಾಗಿದೆ, ಆಂತರಿಕ ರಿವರ್ಸ್ ಡಯೋಡ್‌ಗೆ ಸಮನಾಗಿರುತ್ತದೆ (ವೇಗದ ಪ್ರತಿಕ್ರಿಯೆ ಗುಣಲಕ್ಷಣಗಳನ್ನು ಹೊಂದಿಲ್ಲ), ಅಂದರೆ,MOSFET ಹಿಮ್ಮುಖ ತಡೆಯುವ ಸಾಮರ್ಥ್ಯವನ್ನು ಹೊಂದಿಲ್ಲ, ವಿಲೋಮ ವಹನ ಘಟಕಗಳಾಗಿ ಪರಿಗಣಿಸಬಹುದು.

    ಮೂಲಕMOSFET ಕಾರ್ಯಾಚರಣೆಯ ತತ್ವವನ್ನು ನೋಡಬಹುದು, ಅದರ ವಹನವು ಕೇವಲ ಒಂದು ಧ್ರುವೀಯತೆಯ ವಾಹಕಗಳು ವಾಹಕದಲ್ಲಿ ತೊಡಗಿಕೊಂಡಿವೆ, ಇದನ್ನು ಯುನಿಪೋಲಾರ್ ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಎಂದೂ ಕರೆಯಲಾಗುತ್ತದೆ. MOSFET ಡ್ರೈವ್ ಅನ್ನು ಸಾಮಾನ್ಯವಾಗಿ ವಿದ್ಯುತ್ ಸರಬರಾಜು IC ಮತ್ತು MOSFET ನಿಯತಾಂಕಗಳನ್ನು ಆಧರಿಸಿ ಸರಿಯಾದ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ ಅನ್ನು ಆಯ್ಕೆ ಮಾಡಲಾಗುತ್ತದೆ, MOSFET ಅನ್ನು ಸಾಮಾನ್ಯವಾಗಿ ಸ್ವಿಚಿಂಗ್ ಮಾಡಲು ಬಳಸಲಾಗುತ್ತದೆ. ವಿದ್ಯುತ್ ಸರಬರಾಜು ಡ್ರೈವ್ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್. MOSFET ಅನ್ನು ಬಳಸಿಕೊಂಡು ಸ್ವಿಚಿಂಗ್ ವಿದ್ಯುತ್ ಸರಬರಾಜನ್ನು ವಿನ್ಯಾಸಗೊಳಿಸುವಾಗ, ಹೆಚ್ಚಿನ ಜನರು MOSFET ನ ಆನ್-ರೆಸಿಸ್ಟೆನ್ಸ್, ಗರಿಷ್ಠ ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಮತ್ತು ಗರಿಷ್ಠ ಪ್ರವಾಹವನ್ನು ಪರಿಗಣಿಸುತ್ತಾರೆ. ಆದಾಗ್ಯೂ, ಜನರು ಆಗಾಗ್ಗೆ ಈ ಅಂಶಗಳನ್ನು ಮಾತ್ರ ಪರಿಗಣಿಸುತ್ತಾರೆ, ಇದರಿಂದಾಗಿ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ ಸರಿಯಾಗಿ ಕಾರ್ಯನಿರ್ವಹಿಸುತ್ತದೆ, ಆದರೆ ಇದು ಉತ್ತಮ ವಿನ್ಯಾಸ ಪರಿಹಾರವಲ್ಲ. ಹೆಚ್ಚು ವಿವರವಾದ ವಿನ್ಯಾಸಕ್ಕಾಗಿ, MOSFET ತನ್ನದೇ ಆದ ಪ್ಯಾರಾಮೀಟರ್ ಮಾಹಿತಿಯನ್ನು ಸಹ ಪರಿಗಣಿಸಬೇಕು. ಒಂದು ನಿರ್ದಿಷ್ಟ MOSFET ಗಾಗಿ, ಅದರ ಡ್ರೈವಿಂಗ್ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್, ಡ್ರೈವ್ ಔಟ್‌ಪುಟ್‌ನ ಗರಿಷ್ಠ ಪ್ರವಾಹ, ಇತ್ಯಾದಿ, MOSFET ನ ಸ್ವಿಚಿಂಗ್ ಕಾರ್ಯಕ್ಷಮತೆಯ ಮೇಲೆ ಪರಿಣಾಮ ಬೀರುತ್ತದೆ.