MOSFET ಶಾಖ ಉತ್ಪಾದನೆಯ ಪ್ರಮುಖ ಕಾರಣಗಳ ವಿಶ್ಲೇಷಣೆ

N ಪ್ರಕಾರ, P ಪ್ರಕಾರದ MOSFET ಸಾರದ ಕಾರ್ಯ ತತ್ವವು ಒಂದೇ ಆಗಿರುತ್ತದೆ, ಡ್ರೈನ್ ಕರೆಂಟ್‌ನ ಔಟ್‌ಪುಟ್ ಭಾಗವನ್ನು ಯಶಸ್ವಿಯಾಗಿ ನಿಯಂತ್ರಿಸಲು MOSFET ಅನ್ನು ಮುಖ್ಯವಾಗಿ ಗೇಟ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್‌ನ ಇನ್‌ಪುಟ್ ಬದಿಗೆ ಸೇರಿಸಲಾಗುತ್ತದೆ, MOSFET ಎಂಬುದು ವೋಲ್ಟೇಜ್-ನಿಯಂತ್ರಿತ ಸಾಧನವಾಗಿದೆ, ಸೇರಿಸಿದ ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಮೂಲಕ ಸಾಧನದ ಗುಣಲಕ್ಷಣಗಳನ್ನು ನಿಯಂತ್ರಿಸಲು ಗೇಟ್‌ಗೆ, ಚಾರ್ಜ್ ಸ್ಟೋರೇಜ್ ಎಫೆಕ್ಟ್‌ನಿಂದ ಉಂಟಾಗುವ ಬೇಸ್ ಕರೆಂಟ್‌ನಿಂದ ಸ್ವಿಚಿಂಗ್ ಸಮಯವನ್ನು ಮಾಡಲು ಟ್ರಯೋಡ್‌ಗಿಂತ ಭಿನ್ನವಾಗಿ, ಸ್ವಿಚಿಂಗ್ ಅಪ್ಲಿಕೇಶನ್‌ಗಳಲ್ಲಿ, MOSFET ನ ಇನ್ ಅಪ್ಲಿಕೇಶನ್ಗಳನ್ನು ಬದಲಾಯಿಸುವುದು,MOSFET ನ ಸ್ವಿಚಿಂಗ್ ವೇಗವು ಟ್ರಯೋಡ್‌ಗಿಂತ ವೇಗವಾಗಿರುತ್ತದೆ.

ಸ್ವಿಚಿಂಗ್ ಪವರ್ ಸಪ್ಲೈನಲ್ಲಿ, ಸಾಮಾನ್ಯವಾಗಿ ಬಳಸುವ MOSFET ಓಪನ್ ಡ್ರೈನ್ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್, ಡ್ರೈನ್ ಅನ್ನು ಲೋಡ್‌ಗೆ ಸಂಪರ್ಕಿಸಲಾಗಿದೆ, ಇದನ್ನು ಓಪನ್ ಡ್ರೈನ್, ಓಪನ್ ಡ್ರೈನ್ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ ಎಂದು ಕರೆಯಲಾಗುತ್ತದೆ, ಲೋಡ್ ಎಷ್ಟು ಹೆಚ್ಚಿನ ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಅನ್ನು ಸಂಪರ್ಕಿಸುತ್ತದೆ, ಆನ್ ಮಾಡಲು, ಆಫ್ ಮಾಡಲು ಸಾಧ್ಯವಾಗುತ್ತದೆ ಲೋಡ್ ಕರೆಂಟ್, ಆದರ್ಶ ಅನಲಾಗ್ ಸ್ವಿಚಿಂಗ್ ಸಾಧನವಾಗಿದೆ, ಇದು ಸ್ವಿಚಿಂಗ್ ಸಾಧನಗಳನ್ನು ಮಾಡಲು MOSFET ನ ತತ್ವವಾಗಿದೆ, ಹೆಚ್ಚಿನ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್‌ಗಳ ರೂಪದಲ್ಲಿ ಸ್ವಿಚಿಂಗ್ ಮಾಡಲು MOSFET ಆಗಿದೆ.

ವಿದ್ಯುತ್ ಸರಬರಾಜು ಅಪ್ಲಿಕೇಶನ್‌ಗಳನ್ನು ಬದಲಾಯಿಸುವ ವಿಷಯದಲ್ಲಿ, ಈ ಅಪ್ಲಿಕೇಶನ್ ಅಗತ್ಯವಿದೆ MOSFET ಗಳು ನಿಯತಕಾಲಿಕವಾಗಿ ನಡೆಸಲು, ಆಫ್ ಮಾಡಲು, ಉದಾಹರಣೆಗೆ ಮೂಲಭೂತ ಬಕ್ ಪರಿವರ್ತಕದಲ್ಲಿ ಸಾಮಾನ್ಯವಾಗಿ ಬಳಸುವ DC-DC ವಿದ್ಯುತ್ ಸರಬರಾಜು ಸ್ವಿಚಿಂಗ್ ಕಾರ್ಯವನ್ನು ನಿರ್ವಹಿಸಲು ಎರಡು MOSFET ಗಳ ಮೇಲೆ ಅವಲಂಬಿತವಾಗಿದೆ, ಶಕ್ತಿಯನ್ನು ಸಂಗ್ರಹಿಸಲು, ಶಕ್ತಿಯನ್ನು ಲೋಡ್‌ಗೆ ಬಿಡುಗಡೆ ಮಾಡಲು ಇಂಡಕ್ಟರ್‌ನಲ್ಲಿ ಪರ್ಯಾಯವಾಗಿ ಈ ಸ್ವಿಚ್‌ಗಳು, ಆಗಾಗ್ಗೆ ಆಯ್ಕೆಮಾಡಿ ನೂರಾರು kHz ಅಥವಾ 1 MHz ಗಿಂತ ಹೆಚ್ಚು, ಮುಖ್ಯವಾಗಿ ಆಗ ಹೆಚ್ಚಿನ ಆವರ್ತನ, ಕಾಂತೀಯ ಘಟಕಗಳು ಚಿಕ್ಕದಾಗಿರುತ್ತವೆ. ಸಾಮಾನ್ಯ ಕಾರ್ಯಾಚರಣೆಯ ಸಮಯದಲ್ಲಿ, MOSFET ಒಂದು ಕಂಡಕ್ಟರ್‌ಗೆ ಸಮನಾಗಿರುತ್ತದೆ, ಉದಾಹರಣೆಗೆ, ಹೆಚ್ಚಿನ-ಶಕ್ತಿ MOSFET ಗಳು, ಸಣ್ಣ-ವೋಲ್ಟೇಜ್ MOSFET ಗಳು, ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್‌ಗಳು, ವಿದ್ಯುತ್ ಸರಬರಾಜು MOS ನ ಕನಿಷ್ಠ ವಹನ ನಷ್ಟವಾಗಿದೆ.

MOSFET PDF ನಿಯತಾಂಕಗಳು, MOSFET ತಯಾರಕರು ಆನ್-ಸ್ಟೇಟ್ ಪ್ರತಿರೋಧವನ್ನು ವ್ಯಾಖ್ಯಾನಿಸಲು RDS (ON) ಪ್ಯಾರಾಮೀಟರ್ ಅನ್ನು ಯಶಸ್ವಿಯಾಗಿ ಅಳವಡಿಸಿಕೊಂಡಿದ್ದಾರೆ, ಅಪ್ಲಿಕೇಶನ್‌ಗಳನ್ನು ಬದಲಾಯಿಸಲು, RDS (ON) ಅತ್ಯಂತ ಪ್ರಮುಖ ಸಾಧನದ ಲಕ್ಷಣವಾಗಿದೆ; ಡೇಟಾಶೀಟ್‌ಗಳು RDS (ON), ಗೇಟ್ (ಅಥವಾ ಡ್ರೈವ್) ವೋಲ್ಟೇಜ್ VGS ಅನ್ನು ವ್ಯಾಖ್ಯಾನಿಸುತ್ತದೆ ಮತ್ತು ಸ್ವಿಚ್ ಮೂಲಕ ಹರಿಯುವ ಪ್ರವಾಹವು ಸಂಬಂಧಿಸಿದೆ, ಸಾಕಷ್ಟು ಗೇಟ್ ಡ್ರೈವ್‌ಗಾಗಿ, RDS (ON) ತುಲನಾತ್ಮಕವಾಗಿ ಸ್ಥಿರ ನಿಯತಾಂಕವಾಗಿದೆ; ವಹನದಲ್ಲಿರುವ MOSFET ಗಳು ಶಾಖ ಉತ್ಪಾದನೆಗೆ ಗುರಿಯಾಗುತ್ತವೆ ಮತ್ತು ನಿಧಾನವಾಗಿ ಹೆಚ್ಚುತ್ತಿರುವ ಜಂಕ್ಷನ್ ತಾಪಮಾನವು RDS (ON) ನಲ್ಲಿ ಹೆಚ್ಚಳಕ್ಕೆ ಕಾರಣವಾಗಬಹುದು;MOSFET ಡೇಟಾಶೀಟ್‌ಗಳು ಥರ್ಮಲ್ ಇಂಪೆಡೆನ್ಸ್ ಪ್ಯಾರಾಮೀಟರ್ ಅನ್ನು ನಿರ್ದಿಷ್ಟಪಡಿಸುತ್ತವೆ, ಇದನ್ನು MOSFET ಪ್ಯಾಕೇಜಿನ ಸೆಮಿಕಂಡಕ್ಟರ್ ಜಂಕ್ಷನ್‌ನ ಶಾಖವನ್ನು ಹೊರಹಾಕುವ ಸಾಮರ್ಥ್ಯ ಎಂದು ವ್ಯಾಖ್ಯಾನಿಸಲಾಗಿದೆ ಮತ್ತು RθJC ಅನ್ನು ಜಂಕ್ಷನ್-ಟು-ಕೇಸ್ ಥರ್ಮಲ್ ಪ್ರತಿರೋಧ ಎಂದು ಸರಳವಾಗಿ ವ್ಯಾಖ್ಯಾನಿಸಲಾಗಿದೆ.

1, ಆವರ್ತನವು ತುಂಬಾ ಹೆಚ್ಚಾಗಿದೆ, ಕೆಲವೊಮ್ಮೆ ಪರಿಮಾಣವನ್ನು ಅತಿಯಾಗಿ ಅನುಸರಿಸುವುದು, ನೇರವಾಗಿ ಹೆಚ್ಚಿನ ಆವರ್ತನಕ್ಕೆ ಕಾರಣವಾಗುತ್ತದೆ, ನಷ್ಟದ ಹೆಚ್ಚಳದ ಮೇಲೆ MOSFET, ಹೆಚ್ಚಿನ ಶಾಖ, ಸಾಕಷ್ಟು ಶಾಖದ ವಿಸರ್ಜನೆಯ ವಿನ್ಯಾಸದ ಉತ್ತಮ ಕೆಲಸವನ್ನು ಮಾಡಬೇಡಿ, ಹೆಚ್ಚಿನ ಪ್ರವಾಹ, ನಾಮಮಾತ್ರ MOSFET ನ ಪ್ರಸ್ತುತ ಮೌಲ್ಯ, ಉತ್ತಮ ಶಾಖದ ಹರಡುವಿಕೆಯ ಅಗತ್ಯವನ್ನು ಸಾಧಿಸಲು ಸಾಧ್ಯವಾಗುತ್ತದೆ; ID ಗರಿಷ್ಠ ಪ್ರವಾಹಕ್ಕಿಂತ ಕಡಿಮೆಯಾಗಿದೆ, ಗಂಭೀರವಾದ ಶಾಖವಾಗಿರಬಹುದು, ಸಾಕಷ್ಟು ಸಹಾಯಕ ಹೀಟ್‌ಸಿಂಕ್‌ಗಳ ಅಗತ್ಯತೆ.

2, MOSFET ಆಯ್ಕೆಯ ದೋಷಗಳು ಮತ್ತು ವಿದ್ಯುತ್ ತೀರ್ಪಿನಲ್ಲಿನ ದೋಷಗಳು, MOSFET ಆಂತರಿಕ ಪ್ರತಿರೋಧವನ್ನು ಸಂಪೂರ್ಣವಾಗಿ ಪರಿಗಣಿಸಲಾಗುವುದಿಲ್ಲ, MOSFET ತಾಪನ ಸಮಸ್ಯೆಗಳೊಂದಿಗೆ ವ್ಯವಹರಿಸುವಾಗ ನೇರವಾಗಿ ಸ್ವಿಚಿಂಗ್ ಪ್ರತಿರೋಧವನ್ನು ಹೆಚ್ಚಿಸುತ್ತದೆ.

3, ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ ವಿನ್ಯಾಸದ ಸಮಸ್ಯೆಗಳಿಂದಾಗಿ, ಶಾಖದ ಪರಿಣಾಮವಾಗಿ, MOSFET ಒಂದು ರೇಖೀಯ ಕಾರ್ಯಾಚರಣಾ ಸ್ಥಿತಿಯಲ್ಲಿ ಕಾರ್ಯನಿರ್ವಹಿಸುತ್ತದೆ, ಸ್ವಿಚಿಂಗ್ ಸ್ಥಿತಿಯಲ್ಲಿಲ್ಲ, ಇದು MOSFET ತಾಪನಕ್ಕೆ ನೇರ ಕಾರಣವಾಗಿದೆ, ಉದಾಹರಣೆಗೆ, N-MOS ಸ್ವಿಚಿಂಗ್, G- ಮಟ್ಟದ ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಕೆಲವು V ಯಿಂದ ವಿದ್ಯುತ್ ಸರಬರಾಜಿಗಿಂತ ಹೆಚ್ಚಿನದಾಗಿರಬೇಕು, ಸಂಪೂರ್ಣ ವಹನಕ್ಕೆ ಸಾಧ್ಯವಾಗುವಂತೆ, P-MOS ವಿಭಿನ್ನವಾಗಿರುತ್ತದೆ; ಸಂಪೂರ್ಣವಾಗಿ ತೆರೆದ ಅನುಪಸ್ಥಿತಿಯಲ್ಲಿ, ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಡ್ರಾಪ್ ತುಂಬಾ ದೊಡ್ಡದಾಗಿದೆ, ಇದು ವಿದ್ಯುತ್ ಬಳಕೆಗೆ ಕಾರಣವಾಗುತ್ತದೆ, ಸಮಾನವಾದ DC ಪ್ರತಿರೋಧವು ದೊಡ್ಡದಾಗಿದೆ, ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಡ್ರಾಪ್ ಕೂಡ ಹೆಚ್ಚಾಗುತ್ತದೆ, U * I ಸಹ ಹೆಚ್ಚಾಗುತ್ತದೆ, ನಷ್ಟವು ಶಾಖಕ್ಕೆ ಕಾರಣವಾಗುತ್ತದೆ.