MOSFET ನ ನಿಷ್ಪರಿಣಾಮಕಾರಿತ್ವದ ಕಾರಣಗಳ ವಿಶ್ಲೇಷಣೆ

1, ವೋಲ್ಟೇಜ್ ವೈಫಲ್ಯವು BVdss ವೋಲ್ಟೇಜ್‌ನ ಮೂಲದ ನಡುವಿನ ಸೋರಿಕೆಯನ್ನು ಮಾಸ್‌ಫೆಟ್‌ನ ರೇಟ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಅನ್ನು ಮೀರುತ್ತದೆ ಮತ್ತು ಮಾಸ್‌ಫೆಟ್ ವೈಫಲ್ಯಕ್ಕೆ ಕಾರಣವಾಗುವ ನಿರ್ದಿಷ್ಟ ಸಾಮರ್ಥ್ಯವನ್ನು ಮೀರುತ್ತದೆ ಎಂದು ಹೇಳಲಾಗುತ್ತದೆ.

2, ಮೊಸ್ಫೆಟ್ ಸುರಕ್ಷಿತ ಕಾರ್ಯ ಶ್ರೇಣಿಗಿಂತ ಹೆಚ್ಚಿನ ಪ್ರಸ್ತುತ ವೈಫಲ್ಯ ಮತ್ತು ಅಮಾನ್ಯವಾಗಿದೆ, ಇದನ್ನು ಐಡಿಯಾಗಿ ವಿಂಗಡಿಸಲಾಗಿದೆ, ಇದು ಸಾಧನದ ವಿಶೇಷಣಗಳನ್ನು ಮೀರಿದೆ ಮತ್ತು ಅದರ ಐಡಿಯಿಂದ ಉಂಟಾದ ವೈಫಲ್ಯವು ತುಂಬಾ ದೊಡ್ಡದಾಗಿದೆ, ಹೆಚ್ಚಿನ ಉಡುಗೆ ಮತ್ತು ಕಣ್ಣೀರಿನ ಪರಿಣಾಮವಾಗಿ ದೀರ್ಘಾವಧಿಯ ಉಷ್ಣ ಶೇಖರಣೆಗೆ ಕಾರಣವಾಗುತ್ತದೆ ಸಾಧನ ಮತ್ತು ವೈಫಲ್ಯ.

3, ಸೇತುವೆಯಲ್ಲಿ, ಪ್ರಸ್ತುತ ಟೋಪೋಲಜಿಯನ್ನು ಕೈಗೊಳ್ಳಲು ದೇಹದ ಡಯೋಡ್‌ಗೆ LLC ಮತ್ತು ಇತರ ಪರಿಣಾಮಕಾರಿಯಾಗಿದೆ, ಏಕೆಂದರೆ ದೇಹದ ಡಯೋಡ್ ನಾಶವಾಗಿದೆ ಮತ್ತು ಅಮಾನ್ಯವಾಗಿದೆ.

4, ಸಮಾನಾಂತರ ಅಪ್ಲಿಕೇಶನ್ ಪ್ರಕ್ರಿಯೆಯಲ್ಲಿ, ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ ಪರಾವಲಂಬಿ ನಿಯತಾಂಕಗಳನ್ನು ಏರಿಳಿತಗಳಿಗೆ ಕಾರಣವಾಗುವ ಗೇಟ್ ಅನುರಣನ ವೈಫಲ್ಯಕ್ಕೆ ಕಾರಣವಾಗುತ್ತದೆ.

5, ಶುಷ್ಕ ವಾತಾವರಣದಲ್ಲಿ, ಏಕೆಂದರೆ ಮಾನವ ದೇಹ ಮತ್ತು ಉಪಕರಣಗಳು ಮತ್ತು ಸಾಧನದಿಂದ ಉತ್ಪತ್ತಿಯಾಗುವ ಸ್ಥಿರ ವಿದ್ಯುತ್ ಸ್ಥಿರ ನಿಷ್ಪರಿಣಾಮಕಾರಿಯಾಗಲು ಕಾರಣವಾಗುತ್ತದೆ.

6. ಗೇಟ್‌ನಲ್ಲಿ ಅಸಹಜ ಆಪರೇಟಿಂಗ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಪೀಕ್ ಕಾರಣ ಗೇಟ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಅಮಾನ್ಯವಾಗಿದೆ.

ಮೇಲಿನವು ಆಧರಿಸಿದೆMOSFETವೈಫಲ್ಯದ ಕಾರಣಗಳ ವಿಶ್ಲೇಷಣೆ, ನಾವು ಅನುಗುಣವಾದ ಸಂಸ್ಕರಣಾ ಕಾರ್ಯಾಚರಣೆಗಳನ್ನು ಮಾಡುತ್ತೇವೆ, ಆನ್‌ಲೈನ್‌ನಲ್ಲಿ ನಮ್ಮನ್ನು ಸಂಪರ್ಕಿಸಲು ಇತರ ಸಮಸ್ಯೆಗಳಿವೆ Guanhua Weiye ಕಂಪನಿ, ನಿಮಗೆ ಪರಿಣಾಮಕಾರಿ ಉತ್ತರಗಳು ಮತ್ತು ಗುಣಮಟ್ಟದ ಸೇವಾ ಮನೋಭಾವವನ್ನು ಒದಗಿಸಬಹುದು.
ಓಲುಕಿಕಂಪನಿಯು ಸಾಲದ ಬದುಕುಳಿಯಲು, "ಗುಣಮಟ್ಟದ ಮೊದಲ, ಸೇವೆಯ ಮೊದಲ" ಉದ್ದೇಶಕ್ಕೆ ಬದ್ಧವಾಗಿದೆ ಮತ್ತು ದೇಶ ಮತ್ತು ವಿದೇಶಗಳಲ್ಲಿನ ಅನೇಕ ಹೈಟೆಕ್ ಉದ್ಯಮಗಳು, ಉತ್ತಮ ಕೆಲಸದ ಸಂಬಂಧವನ್ನು ಸ್ಥಾಪಿಸುವ ಮೂಲ ಕಾರ್ಖಾನೆ, ವಿತರಣೆಯಲ್ಲಿ ಹಲವು ವರ್ಷಗಳ ವೃತ್ತಿಪರ ಅನುಭವದೊಂದಿಗೆ, ಉತ್ತಮ ಸಾಲದೊಂದಿಗೆ, ಅತ್ಯುತ್ತಮ ಸೇವೆ, ವ್ಯಾಪಕ ಶ್ರೇಣಿಯ ನಂಬಿಕೆ ಮತ್ತು ಬೆಂಬಲಕ್ಕೆ ಪ್ರವೇಶ.