MOSFET ವೈಫಲ್ಯದ ಕಾರಣಗಳು ಮತ್ತು ತಡೆಗಟ್ಟುವಿಕೆ

ಗೇಟ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ ವೈಫಲ್ಯ

ಅಸಹಜವಾಗಿ ಹೆಚ್ಚಿನ ಗ್ರಿಡ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್‌ಗಳಿಗೆ ಮೂರು ಮುಖ್ಯ ಕಾರಣಗಳಿವೆ: ಉತ್ಪಾದನೆ, ಸಾರಿಗೆ ಮತ್ತು ಜೋಡಣೆಯ ಸಮಯದಲ್ಲಿ ಸ್ಥಿರ ವಿದ್ಯುತ್; ಪವರ್ ಸಿಸ್ಟಮ್ ಕಾರ್ಯಾಚರಣೆಯ ಸಮಯದಲ್ಲಿ ಉಪಕರಣಗಳು ಮತ್ತು ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ಗಳ ಪರಾವಲಂಬಿ ನಿಯತಾಂಕಗಳಿಂದ ಉತ್ಪತ್ತಿಯಾಗುವ ಹೆಚ್ಚಿನ ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಅನುರಣನ; ಮತ್ತು ಹೆಚ್ಚಿನ ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಆಘಾತಗಳ ಸಮಯದಲ್ಲಿ Ggd ಮೂಲಕ ಹೆಚ್ಚಿನ ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಅನ್ನು ಗ್ರಿಡ್‌ಗೆ ರವಾನಿಸುವುದು (ಮಿಂಚಿನ ಮುಷ್ಕರ ಪರೀಕ್ಷೆಯ ಸಮಯದಲ್ಲಿ ಹೆಚ್ಚು ಸಾಮಾನ್ಯವಾದ ದೋಷ).

ಗೇಟ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ ದೋಷಗಳನ್ನು ತಡೆಗಟ್ಟುವ ಕ್ರಮಗಳು:

ಗೇಟ್ ಮತ್ತು ಮೂಲಗಳ ನಡುವಿನ ಮಿತಿಮೀರಿದ ರಕ್ಷಣೆ: ಗೇಟ್ ಮತ್ತು ಮೂಲದ ನಡುವಿನ ಪ್ರತಿರೋಧವು ತುಂಬಾ ಹೆಚ್ಚಾದಾಗ, ಗೇಟ್ ಮತ್ತು ಮೂಲದ ನಡುವಿನ ವೋಲ್ಟೇಜ್‌ನಲ್ಲಿನ ಹಠಾತ್ ಬದಲಾವಣೆಯು ವಿದ್ಯುದ್ವಾರಗಳ ನಡುವಿನ ಕೆಪಾಸಿಟನ್ಸ್ ಮೂಲಕ ಗೇಟ್‌ಗೆ ಸೇರಿಕೊಳ್ಳುತ್ತದೆ, ಇದರ ಪರಿಣಾಮವಾಗಿ ಅತಿ ಹೆಚ್ಚಿನ UGS ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಓವರ್-ನಿಯಂತ್ರಣ, ಗೇಟ್‌ನ ಅತಿಯಾದ ನಿಯಂತ್ರಣಕ್ಕೆ ಕಾರಣವಾಗುತ್ತದೆ. ಶಾಶ್ವತ ಆಕ್ಸಿಡೇಟಿವ್ ಹಾನಿ. UGS ಧನಾತ್ಮಕ ಅಸ್ಥಿರ ವೋಲ್ಟೇಜ್ನಲ್ಲಿದ್ದರೆ, ಸಾಧನವು ದೋಷಗಳನ್ನು ಉಂಟುಮಾಡಬಹುದು. ಈ ಆಧಾರದ ಮೇಲೆ, ಗೇಟ್ ಡ್ರೈವ್ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್‌ನ ಪ್ರತಿರೋಧವನ್ನು ಸೂಕ್ತವಾಗಿ ಕಡಿಮೆಗೊಳಿಸಬೇಕು ಮತ್ತು ಗೇಟ್ ಮತ್ತು ಮೂಲದ ನಡುವೆ ಡ್ಯಾಂಪಿಂಗ್ ರೆಸಿಸ್ಟರ್ ಅಥವಾ 20V ಸ್ಥಿರಗೊಳಿಸುವ ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಅನ್ನು ಸಂಪರ್ಕಿಸಬೇಕು. ತೆರೆದ ಬಾಗಿಲು ಕಾರ್ಯಾಚರಣೆಯನ್ನು ತಡೆಗಟ್ಟಲು ನಿರ್ದಿಷ್ಟ ಕಾಳಜಿಯನ್ನು ತೆಗೆದುಕೊಳ್ಳಬೇಕು.

ಡಿಸ್ಚಾರ್ಜ್ ಟ್ಯೂಬ್‌ಗಳ ನಡುವಿನ ಓವರ್‌ವೋಲ್ಟೇಜ್ ರಕ್ಷಣೆ: ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್‌ನಲ್ಲಿ ಇಂಡಕ್ಟರ್ ಇದ್ದರೆ, ಯೂನಿಟ್ ಆಫ್ ಮಾಡಿದಾಗ ಲೀಕೇಜ್ ಕರೆಂಟ್‌ನಲ್ಲಿ (ಡಿ/ಡಿಟಿ) ಹಠಾತ್ ಬದಲಾವಣೆಗಳು ಸೋರಿಕೆ ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಪೂರೈಕೆ ವೋಲ್ಟೇಜ್‌ಗಿಂತ ಅಧಿಕವಾಗಿ ಹರಿದು ಘಟಕಕ್ಕೆ ಹಾನಿಯನ್ನುಂಟುಮಾಡುತ್ತದೆ. ರಕ್ಷಣೆಯು ಝೀನರ್ ಕ್ಲಾಂಪ್, ಆರ್ಸಿ ಕ್ಲಾಂಪ್ ಅಥವಾ ಆರ್ಸಿ ಸಪ್ರೆಶನ್ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ ಅನ್ನು ಒಳಗೊಂಡಿರಬೇಕು.