MOSFET ಆಂಟಿ-ರಿವರ್ಸ್ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್

ಮೊದಲನೆಯದಾಗಿ, MOSFET ವಿರೋಧಿ ರಿವರ್ಸ್ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ನ ಮೂಲ ತತ್ವ

MOSFET ನ ಸ್ವಿಚಿಂಗ್ ಗುಣಲಕ್ಷಣಗಳನ್ನು ಬಳಸಿಕೊಂಡು MOSFET ವಿರೋಧಿ ರಿವರ್ಸ್ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್, ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ ಅನ್ನು ಆನ್ ಮತ್ತು ಆಫ್ ಮಾಡಲು ಗೇಟ್ (G) ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಅನ್ನು ನಿಯಂತ್ರಿಸುವ ಮೂಲಕ. ವಿದ್ಯುತ್ ಸರಬರಾಜು ಧ್ರುವೀಯತೆಯು ಸರಿಯಾಗಿದ್ದಾಗ, ಗೇಟ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ MOSFET ಅನ್ನು ವಹನ ಸ್ಥಿತಿಯಲ್ಲಿ ಮಾಡುತ್ತದೆ, ಪ್ರಸ್ತುತವು ಸಾಮಾನ್ಯವಾಗಿ ಹರಿಯಬಹುದು; ವಿದ್ಯುತ್ ಸರಬರಾಜು ಧ್ರುವೀಯತೆಯು ಹಿಮ್ಮುಖವಾದಾಗ, ಗೇಟ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ MOSFET ವಹನವನ್ನು ಮಾಡಲು ಸಾಧ್ಯವಿಲ್ಲ, ಹೀಗಾಗಿ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ ಅನ್ನು ಕಡಿತಗೊಳಿಸುತ್ತದೆ.

ಎರಡನೆಯದಾಗಿ, MOSFET ವಿರೋಧಿ ರಿವರ್ಸ್ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ನ ನಿರ್ದಿಷ್ಟ ಸಾಕ್ಷಾತ್ಕಾರ

1. ಎನ್-ಚಾನೆಲ್ MOSFET ವಿರೋಧಿ ರಿವರ್ಸ್ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್

N-ಚಾನೆಲ್ MOSFET ಗಳನ್ನು ಸಾಮಾನ್ಯವಾಗಿ ಆಂಟಿ-ರಿವರ್ಸ್ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್‌ಗಳನ್ನು ಅರಿತುಕೊಳ್ಳಲು ಬಳಸಲಾಗುತ್ತದೆ. ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ನಲ್ಲಿ, N- ಚಾನೆಲ್ MOSFET ನ ಮೂಲ (S) ಅನ್ನು ಲೋಡ್ನ ಋಣಾತ್ಮಕ ಟರ್ಮಿನಲ್ಗೆ ಸಂಪರ್ಕಿಸಲಾಗಿದೆ, ಡ್ರೈನ್ (D) ಅನ್ನು ವಿದ್ಯುತ್ ಸರಬರಾಜಿನ ಧನಾತ್ಮಕ ಟರ್ಮಿನಲ್ಗೆ ಸಂಪರ್ಕಿಸಲಾಗಿದೆ ಮತ್ತು ಗೇಟ್ (G) ಅನ್ನು ಸಂಪರ್ಕಿಸಲಾಗಿದೆ ಪ್ರತಿರೋಧಕದ ಮೂಲಕ ವಿದ್ಯುತ್ ಪೂರೈಕೆಯ ಋಣಾತ್ಮಕ ಟರ್ಮಿನಲ್ ಅಥವಾ ನಿಯಂತ್ರಣ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ನಿಂದ ನಿಯಂತ್ರಿಸಲ್ಪಡುತ್ತದೆ.

ಫಾರ್ವರ್ಡ್ ಸಂಪರ್ಕ: ವಿದ್ಯುತ್ ಸರಬರಾಜಿನ ಧನಾತ್ಮಕ ಟರ್ಮಿನಲ್ D ಗೆ ಸಂಪರ್ಕ ಹೊಂದಿದೆ, ಮತ್ತು ಋಣಾತ್ಮಕ ಟರ್ಮಿನಲ್ S ಗೆ ಸಂಪರ್ಕ ಹೊಂದಿದೆ. ಈ ಸಮಯದಲ್ಲಿ, ಪ್ರತಿರೋಧಕವು MOSFET ಗಾಗಿ ಗೇಟ್ ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (VGS) ಅನ್ನು ಒದಗಿಸುತ್ತದೆ ಮತ್ತು VGS ಮಿತಿಗಿಂತ ಹೆಚ್ಚಾದಾಗ MOSFET ನ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (Vth), MOSFET ನಡೆಸುತ್ತದೆ ಮತ್ತು ವಿದ್ಯುತ್ ಪೂರೈಕೆಯ ಧನಾತ್ಮಕ ಟರ್ಮಿನಲ್‌ನಿಂದ MOSFET ಮೂಲಕ ಲೋಡ್‌ಗೆ ಪ್ರಸ್ತುತ ಹರಿಯುತ್ತದೆ.

ರಿವರ್ಸ್ ಮಾಡಿದಾಗ: ವಿದ್ಯುತ್ ಸರಬರಾಜಿನ ಧನಾತ್ಮಕ ಟರ್ಮಿನಲ್ S ಗೆ ಸಂಪರ್ಕ ಹೊಂದಿದೆ, ಮತ್ತು ಋಣಾತ್ಮಕ ಟರ್ಮಿನಲ್ D ಗೆ ಸಂಪರ್ಕ ಹೊಂದಿದೆ. ಈ ಸಮಯದಲ್ಲಿ, MOSFET ಕಟ್ಆಫ್ ಸ್ಥಿತಿಯಲ್ಲಿದೆ ಮತ್ತು ಗೇಟ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಕಾರಣ ಹಾನಿಯಿಂದ ಲೋಡ್ ಅನ್ನು ರಕ್ಷಿಸಲು ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ ಸಂಪರ್ಕ ಕಡಿತಗೊಂಡಿದೆ. MOSFET ನಡೆಸುವಿಕೆಯನ್ನು ಮಾಡಲು ಸಾಕಷ್ಟು VGS ಅನ್ನು ರೂಪಿಸಲು ಸಾಧ್ಯವಾಗುವುದಿಲ್ಲ (VGS 0 ಕ್ಕಿಂತ ಕಡಿಮೆ ಅಥವಾ Vth ಗಿಂತ ಕಡಿಮೆ ಇರಬಹುದು).

2. ಸಹಾಯಕ ಘಟಕಗಳ ಪಾತ್ರ

ರೆಸಿಸ್ಟರ್: MOSFET ಗಾಗಿ ಗೇಟ್ ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಒದಗಿಸಲು ಮತ್ತು ಗೇಟ್ ಓವರ್‌ಕರೆಂಟ್ ಹಾನಿಯನ್ನು ತಡೆಯಲು ಗೇಟ್ ಪ್ರವಾಹವನ್ನು ಮಿತಿಗೊಳಿಸಲು ಬಳಸಲಾಗುತ್ತದೆ.

ವೋಲ್ಟೇಜ್ ನಿಯಂತ್ರಕ: ಗೇಟ್ ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ ತುಂಬಾ ಅಧಿಕವಾಗದಂತೆ ಮತ್ತು MOSFET ಅನ್ನು ಒಡೆಯುವುದನ್ನು ತಡೆಯಲು ಬಳಸುವ ಐಚ್ಛಿಕ ಘಟಕ.

ಪರಾವಲಂಬಿ ಡಯೋಡ್: MOSFET ಒಳಗೆ ಪರಾವಲಂಬಿ ಡಯೋಡ್ (ದೇಹದ ಡಯೋಡ್) ಅಸ್ತಿತ್ವದಲ್ಲಿದೆ, ಆದರೆ ಅದರ ಪರಿಣಾಮವನ್ನು ಸಾಮಾನ್ಯವಾಗಿ ನಿರ್ಲಕ್ಷಿಸಲಾಗುತ್ತದೆ ಅಥವಾ ಆಂಟಿ-ರಿವರ್ಸ್ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್‌ಗಳಲ್ಲಿ ಅದರ ಹಾನಿಕಾರಕ ಪರಿಣಾಮವನ್ನು ತಪ್ಪಿಸಲು ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ ವಿನ್ಯಾಸದಿಂದ ತಪ್ಪಿಸಲಾಗುತ್ತದೆ.

ಮೂರನೆಯದಾಗಿ, MOSFET ವಿರೋಧಿ ರಿವರ್ಸ್ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ನ ಅನುಕೂಲಗಳು

ಕಡಿಮೆ ನಷ್ಟ: MOSFET ಆನ್-ರೆಸಿಸ್ಟೆನ್ಸ್ ಚಿಕ್ಕದಾಗಿದೆ, ಆನ್-ರೆಸಿಸ್ಟೆನ್ಸ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಕಡಿಮೆಯಾಗುತ್ತದೆ, ಆದ್ದರಿಂದ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ ನಷ್ಟವು ಚಿಕ್ಕದಾಗಿದೆ.

ಹೆಚ್ಚಿನ ವಿಶ್ವಾಸಾರ್ಹತೆ: ಸರಳ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ ವಿನ್ಯಾಸದ ಮೂಲಕ ವಿರೋಧಿ ರಿವರ್ಸ್ ಕಾರ್ಯವನ್ನು ಅರಿತುಕೊಳ್ಳಬಹುದು, ಮತ್ತು MOSFET ಸ್ವತಃ ಹೆಚ್ಚಿನ ಮಟ್ಟದ ವಿಶ್ವಾಸಾರ್ಹತೆಯನ್ನು ಹೊಂದಿದೆ.

ನಮ್ಯತೆ: ವಿಭಿನ್ನ ಅಪ್ಲಿಕೇಶನ್ ಅವಶ್ಯಕತೆಗಳನ್ನು ಪೂರೈಸಲು ವಿಭಿನ್ನ MOSFET ಮಾದರಿಗಳು ಮತ್ತು ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ ವಿನ್ಯಾಸಗಳನ್ನು ಆಯ್ಕೆ ಮಾಡಬಹುದು.

ಮುನ್ನಚ್ಚರಿಕೆಗಳು

MOSFET ವಿರೋಧಿ ರಿವರ್ಸ್ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ನ ವಿನ್ಯಾಸದಲ್ಲಿ, ವೋಲ್ಟೇಜ್, ಕರೆಂಟ್, ಸ್ವಿಚಿಂಗ್ ವೇಗ ಮತ್ತು ಇತರ ನಿಯತಾಂಕಗಳನ್ನು ಒಳಗೊಂಡಂತೆ ಅಪ್ಲಿಕೇಶನ್ ಅವಶ್ಯಕತೆಗಳನ್ನು ಪೂರೈಸಲು MOSFET ಗಳ ಆಯ್ಕೆಯನ್ನು ನೀವು ಖಚಿತಪಡಿಸಿಕೊಳ್ಳಬೇಕು.

ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ ಕಾರ್ಯಕ್ಷಮತೆಯ ಮೇಲೆ ಪ್ರತಿಕೂಲ ಪರಿಣಾಮಗಳನ್ನು ತಪ್ಪಿಸಲು ಪರಾವಲಂಬಿ ಧಾರಣ, ಪರಾವಲಂಬಿ ಇಂಡಕ್ಟನ್ಸ್ ಇತ್ಯಾದಿಗಳಂತಹ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್‌ನಲ್ಲಿನ ಇತರ ಘಟಕಗಳ ಪ್ರಭಾವವನ್ನು ಪರಿಗಣಿಸುವುದು ಅವಶ್ಯಕ.

ಪ್ರಾಯೋಗಿಕ ಅನ್ವಯಗಳಲ್ಲಿ, ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ನ ಸ್ಥಿರತೆ ಮತ್ತು ವಿಶ್ವಾಸಾರ್ಹತೆಯನ್ನು ಖಚಿತಪಡಿಸಿಕೊಳ್ಳಲು ಸಾಕಷ್ಟು ಪರೀಕ್ಷೆ ಮತ್ತು ಪರಿಶೀಲನೆಯ ಅಗತ್ಯವಿರುತ್ತದೆ.

ಸಂಕ್ಷಿಪ್ತವಾಗಿ ಹೇಳುವುದಾದರೆ, MOSFET ಆಂಟಿ-ರಿವರ್ಸ್ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ ಸರಳವಾದ, ವಿಶ್ವಾಸಾರ್ಹ ಮತ್ತು ಕಡಿಮೆ-ನಷ್ಟದ ವಿದ್ಯುತ್ ಪೂರೈಕೆ ಸಂರಕ್ಷಣಾ ಯೋಜನೆಯಾಗಿದ್ದು, ರಿವರ್ಸ್ ಪವರ್ ಧ್ರುವೀಯತೆಯನ್ನು ತಡೆಗಟ್ಟುವ ಅಗತ್ಯವಿರುವ ವಿವಿಧ ಅಪ್ಲಿಕೇಶನ್‌ಗಳಲ್ಲಿ ವ್ಯಾಪಕವಾಗಿ ಬಳಸಲಾಗುತ್ತದೆ.