MOSFET ಸಣ್ಣ ಪ್ರಸ್ತುತ ತಾಪನದ ಕಾರಣಗಳು ಮತ್ತು ಕ್ರಮಗಳು

I. ಕಾರಣಗಳುMOSFET ಬಿಸಿಮಾಡುವುದು
1, ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ ವಿನ್ಯಾಸದ ಸಮಸ್ಯೆ. MOSFET ಆನ್‌ಲೈನ್ ಸ್ಥಿತಿಯಲ್ಲಿ ಕಾರ್ಯನಿರ್ವಹಿಸಲು ಅವಕಾಶ ನೀಡುವುದು, ಸ್ವಿಚಿಂಗ್ ಸ್ಥಿತಿಯಲ್ಲಿಲ್ಲ. MOSFET ಬಿಸಿಯಾಗಲು ಇದು ಒಂದು ಕಾರಣವಾಗಿದೆ. N-MOS ಸ್ವಿಚಿಂಗ್ ಮಾಡಿದರೆ, G-ಲೆವೆಲ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಸಂಪೂರ್ಣವಾಗಿ ಆನ್ ಆಗಲು ವಿದ್ಯುತ್ ಸರಬರಾಜಿಗಿಂತ ಕೆಲವು V ಹೆಚ್ಚಿನದಾಗಿರಬೇಕು ಮತ್ತು P-MOS ಗೆ ವಿರುದ್ಧವಾಗಿರುತ್ತದೆ. ಸಂಪೂರ್ಣವಾಗಿ ತೆರೆದಿಲ್ಲ ಮತ್ತು ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಡ್ರಾಪ್ ತುಂಬಾ ದೊಡ್ಡದಾಗಿದೆ ವಿದ್ಯುತ್ ಬಳಕೆಗೆ ಕಾರಣವಾಗುತ್ತದೆ, ಸಮಾನ DC ಪ್ರತಿರೋಧವು ತುಲನಾತ್ಮಕವಾಗಿ ದೊಡ್ಡದಾಗಿದೆ, ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಡ್ರಾಪ್ ಹೆಚ್ಚಾಗುತ್ತದೆ, ಆದ್ದರಿಂದ U * I ಸಹ ಹೆಚ್ಚಾಗುತ್ತದೆ, ನಷ್ಟವು ಶಾಖ ಎಂದರ್ಥ.

2, ಆವರ್ತನವು ತುಂಬಾ ಹೆಚ್ಚಾಗಿದೆ. ಮುಖ್ಯವಾಗಿ ಕೆಲವೊಮ್ಮೆ ವಾಲ್ಯೂಮ್‌ಗೆ ತುಂಬಾ ಹೆಚ್ಚು, ಇದರ ಪರಿಣಾಮವಾಗಿ ಹೆಚ್ಚಿದ ಆವರ್ತನ, MOSFET ನಷ್ಟಗಳು ಹೆಚ್ಚಾಗುತ್ತವೆ, ಇದು MOSFET ತಾಪನಕ್ಕೆ ಕಾರಣವಾಗುತ್ತದೆ.

3, ಕರೆಂಟ್ ತುಂಬಾ ಹೆಚ್ಚಾಗಿದೆ. ID ಗರಿಷ್ಠ ಕರೆಂಟ್‌ಗಿಂತ ಕಡಿಮೆಯಾದಾಗ, MOSFET ಬಿಸಿಯಾಗಲು ಸಹ ಕಾರಣವಾಗುತ್ತದೆ.

4, MOSFET ಮಾದರಿಯ ಆಯ್ಕೆಯು ತಪ್ಪಾಗಿದೆ. MOSFET ನ ಆಂತರಿಕ ಪ್ರತಿರೋಧವನ್ನು ಸಂಪೂರ್ಣವಾಗಿ ಪರಿಗಣಿಸಲಾಗಿಲ್ಲ, ಇದು ಸ್ವಿಚಿಂಗ್ ಪ್ರತಿರೋಧವನ್ನು ಹೆಚ್ಚಿಸುತ್ತದೆ.二,

MOSFET ನ ತೀವ್ರ ಶಾಖ ಉತ್ಪಾದನೆಗೆ ಪರಿಹಾರ
1, MOSFET ನ ಹೀಟ್ ಸಿಂಕ್ ವಿನ್ಯಾಸದಲ್ಲಿ ಉತ್ತಮ ಕೆಲಸ ಮಾಡಿ.

2, ಸಾಕಷ್ಟು ಸಹಾಯಕ ಶಾಖ ಸಿಂಕ್‌ಗಳನ್ನು ಸೇರಿಸಿ.

3, ಹೀಟ್ ಸಿಂಕ್ ಅಂಟಿಕೊಳ್ಳುವಿಕೆಯನ್ನು ಅಂಟಿಸಿ.