MOSFET (ಮೆಟಲ್-ಆಕ್ಸೈಡ್-ಸೆಮಿಕಂಡಕ್ಟರ್ ಫೀಲ್ಡ್-ಎಫೆಕ್ಟ್ ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್) ಮೂರು ಧ್ರುವಗಳನ್ನು ಹೊಂದಿದೆ:
ಗೇಟ್:G, MOSFET ನ ಗೇಟ್ ಬೈಪೋಲಾರ್ ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್‌ನ ಬೇಸ್‌ಗೆ ಸಮನಾಗಿರುತ್ತದೆ ಮತ್ತು MOSFET ನ ವಹನ ಮತ್ತು ಕಟ್-ಆಫ್ ಅನ್ನು ನಿಯಂತ್ರಿಸಲು ಬಳಸಲಾಗುತ್ತದೆ. MOSFET ಗಳಲ್ಲಿ, ಗೇಟ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (Vgs) ಮೂಲ ಮತ್ತು ಡ್ರೈನ್ ನಡುವೆ ವಾಹಕ ಚಾನಲ್ ರಚನೆಯಾಗುತ್ತದೆಯೇ ಎಂದು ನಿರ್ಧರಿಸುತ್ತದೆ, ಹಾಗೆಯೇ ವಾಹಕ ಚಾನಲ್‌ನ ಅಗಲ ಮತ್ತು ವಾಹಕತೆ. ಗೇಟ್ ಅನ್ನು ಲೋಹ, ಪಾಲಿಸಿಲಿಕಾನ್ ಇತ್ಯಾದಿ ವಸ್ತುಗಳಿಂದ ಮಾಡಲಾಗಿದೆ ಮತ್ತು ಗೇಟ್‌ನ ಒಳಗೆ ಅಥವಾ ಹೊರಗೆ ನೇರವಾಗಿ ಹರಿಯುವುದನ್ನು ತಡೆಯಲು ನಿರೋಧಕ ಪದರದಿಂದ (ಸಾಮಾನ್ಯವಾಗಿ ಸಿಲಿಕಾನ್ ಡೈಆಕ್ಸೈಡ್) ಸುತ್ತುವರಿದಿದೆ.
ಮೂಲ:S, MOSFET ನ ಮೂಲವು ಬೈಪೋಲಾರ್ ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್‌ನ ಹೊರಸೂಸುವಿಕೆಗೆ ಸಮನಾಗಿರುತ್ತದೆ ಮತ್ತು ಅಲ್ಲಿ ಪ್ರಸ್ತುತ ಹರಿಯುತ್ತದೆ. N-ಚಾನೆಲ್ MOSFET ಗಳಲ್ಲಿ, ಮೂಲವು ಸಾಮಾನ್ಯವಾಗಿ ವಿದ್ಯುತ್ ಸರಬರಾಜಿನ ಋಣಾತ್ಮಕ ಟರ್ಮಿನಲ್ (ಅಥವಾ ನೆಲದ) ಗೆ ಸಂಪರ್ಕ ಹೊಂದಿದೆ, ಆದರೆ P-ಚಾನೆಲ್ MOSFET ಗಳಲ್ಲಿ, ಮೂಲವು ವಿದ್ಯುತ್ ಸರಬರಾಜಿನ ಧನಾತ್ಮಕ ಟರ್ಮಿನಲ್‌ಗೆ ಸಂಪರ್ಕ ಹೊಂದಿದೆ. ಮೂಲವು ವಾಹಕ ಚಾನಲ್ ಅನ್ನು ರೂಪಿಸುವ ಪ್ರಮುಖ ಭಾಗಗಳಲ್ಲಿ ಒಂದಾಗಿದೆ, ಇದು ಗೇಟ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಸಾಕಷ್ಟು ಹೆಚ್ಚಿರುವಾಗ ಡ್ರೈನ್‌ಗೆ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್‌ಗಳನ್ನು (ಎನ್-ಚಾನಲ್) ಅಥವಾ ರಂಧ್ರಗಳನ್ನು (ಪಿ-ಚಾನೆಲ್) ಕಳುಹಿಸುತ್ತದೆ.
ಚರಂಡಿ:D, MOSFET ನ ಡ್ರೈನ್ ಬೈಪೋಲಾರ್ ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್‌ನ ಸಂಗ್ರಾಹಕಕ್ಕೆ ಸಮನಾಗಿರುತ್ತದೆ ಮತ್ತು ಅಲ್ಲಿ ಪ್ರವಾಹವು ಹರಿಯುತ್ತದೆ. ಡ್ರೈನ್ ಸಾಮಾನ್ಯವಾಗಿ ಲೋಡ್‌ಗೆ ಸಂಪರ್ಕಗೊಳ್ಳುತ್ತದೆ ಮತ್ತು ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್‌ನಲ್ಲಿ ಪ್ರಸ್ತುತ ಔಟ್‌ಪುಟ್ ಆಗಿ ಕಾರ್ಯನಿರ್ವಹಿಸುತ್ತದೆ. MOSFET ನಲ್ಲಿ, ಡ್ರೈನ್ ವಾಹಕ ಚಾನಲ್‌ನ ಇನ್ನೊಂದು ತುದಿಯಾಗಿದೆ ಮತ್ತು ಗೇಟ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಮೂಲ ಮತ್ತು ಡ್ರೈನ್ ನಡುವೆ ವಾಹಕ ಚಾನಲ್ ರಚನೆಯನ್ನು ನಿಯಂತ್ರಿಸಿದಾಗ, ಪ್ರವಾಹವು ಮೂಲದಿಂದ ವಾಹಕ ಚಾನಲ್ ಮೂಲಕ ಡ್ರೈನ್‌ಗೆ ಹರಿಯಬಹುದು.
ಸಂಕ್ಷಿಪ್ತವಾಗಿ ಹೇಳುವುದಾದರೆ, MOSFET ನ ಗೇಟ್ ಅನ್ನು ಆನ್ ಮತ್ತು ಆಫ್ ನಿಯಂತ್ರಿಸಲು ಬಳಸಲಾಗುತ್ತದೆ, ಮೂಲವು ಕರೆಂಟ್ ಹರಿಯುವ ಸ್ಥಳವಾಗಿದೆ ಮತ್ತು ಡ್ರೈನ್ ಪ್ರಸ್ತುತ ಹರಿಯುವ ಸ್ಥಳವಾಗಿದೆ. ಈ ಮೂರು ಧ್ರುವಗಳು ಒಟ್ಟಾಗಿ MOSFET ನ ಕಾರ್ಯಾಚರಣೆಯ ಸ್ಥಿತಿ ಮತ್ತು ಕಾರ್ಯಕ್ಷಮತೆಯನ್ನು ನಿರ್ಧರಿಸುತ್ತವೆ. .
ಪೋಸ್ಟ್ ಸಮಯ: ಸೆಪ್ಟೆಂಬರ್-26-2024
