(1) MOSFET ವೋಲ್ಟೇಜ್-ಮ್ಯಾನಿಪ್ಯುಲೇಟಿಂಗ್ ಅಂಶವಾಗಿದೆ, ಆದರೆ ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಸ್ತುತ-ಮ್ಯಾನಿಪ್ಯುಲೇಟಿಂಗ್ ಅಂಶವಾಗಿದೆ. ಚಾಲನಾ ಸಾಮರ್ಥ್ಯದಲ್ಲಿ ಲಭ್ಯವಿಲ್ಲ, ಡ್ರೈವ್ ಪ್ರವಾಹವು ತುಂಬಾ ಚಿಕ್ಕದಾಗಿದೆ, ಆಯ್ಕೆ ಮಾಡಬೇಕುMOSFET; ಮತ್ತು ಸಿಗ್ನಲ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಕಡಿಮೆ, ಮತ್ತು ವಿದ್ಯುತ್ ಮೀನುಗಾರಿಕೆ ಯಂತ್ರ ಡ್ರೈವ್ ಹಂತದ ಪರಿಸ್ಥಿತಿಗಳಿಂದ ಹೆಚ್ಚು ಪ್ರಸ್ತುತ ತೆಗೆದುಕೊಳ್ಳಲು ಭರವಸೆ, ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಆಯ್ಕೆ ಮಾಡಬೇಕು.
(2) MOSFET ಯುನಿಪೋಲಾರ್ ಸಾಧನ ಎಂದು ಕರೆಯಲ್ಪಡುವ ಹೆಚ್ಚಿನ ವಾಹಕಗಳ ಬಳಕೆಯಾಗಿದೆ, ಆದರೆ ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಹೆಚ್ಚಿನ ಸಂಖ್ಯೆಯ ವಾಹಕಗಳನ್ನು ಹೊಂದಿದೆ, ಆದರೆ ಕಡಿಮೆ ಸಂಖ್ಯೆಯ ವಾಹಕಗಳ ಬಳಕೆಯಾಗಿದೆ. ಇದನ್ನು ಬೈಪೋಲಾರ್ ಸಾಧನ ಎಂದು ಕರೆಯಲಾಗುತ್ತದೆ.
(3) ಕೆಲವುMOSFET ಗೇಟ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ನ ಬಳಕೆಗಾಗಿ ಮೂಲ ಮತ್ತು ಡ್ರೈನ್ ಅನ್ನು ವಿನಿಮಯ ಮಾಡಿಕೊಳ್ಳಬಹುದು ಧನಾತ್ಮಕ ಅಥವಾ ಋಣಾತ್ಮಕವಾಗಿರಬಹುದು, ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ಗಿಂತ ನಮ್ಯತೆ ಉತ್ತಮವಾಗಿರುತ್ತದೆ.
(4) MOSFET ಅತ್ಯಂತ ಕಡಿಮೆ ವಿದ್ಯುತ್ ಮತ್ತು ಕಡಿಮೆ ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಪರಿಸ್ಥಿತಿಗಳಲ್ಲಿ ಕಾರ್ಯನಿರ್ವಹಿಸುತ್ತದೆ, ಮತ್ತು ಅದರ ಉತ್ಪಾದನಾ ಪ್ರಕ್ರಿಯೆಯು ಸಿಲಿಕಾನ್ ಚಿಪ್‌ನಲ್ಲಿ ಅನೇಕ MOSFET ಗಳನ್ನು ಸಂಯೋಜಿಸಲು ತುಂಬಾ ಅನುಕೂಲಕರವಾಗಿರುತ್ತದೆ, ಆದ್ದರಿಂದ ದೊಡ್ಡ ಪ್ರಮಾಣದ ಇಂಟಿಗ್ರೇಟೆಡ್ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್‌ಗಳಲ್ಲಿ MOSFET ಗಳನ್ನು ವ್ಯಾಪಕವಾಗಿ ಬಳಸಲಾಗುತ್ತದೆ.
(5) MOSFET ಹೆಚ್ಚಿನ ಇನ್ಪುಟ್ ಪ್ರತಿರೋಧ ಮತ್ತು ಕಡಿಮೆ ಶಬ್ದದ ಪ್ರಯೋಜನಗಳನ್ನು ಹೊಂದಿದೆ, ಆದ್ದರಿಂದ ಇದನ್ನು ವಿವಿಧ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನಿಕ್ ಟ್ರ್ಯಾಪ್ ಉಪಕರಣಗಳಲ್ಲಿ ವ್ಯಾಪಕವಾಗಿ ಬಳಸಲಾಗುತ್ತದೆ. ವಿಶೇಷವಾಗಿ ಫೀಲ್ಡ್ ಎಫೆಕ್ಟ್ ಟ್ಯೂಬ್‌ನೊಂದಿಗೆ ಸಂಪೂರ್ಣ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನಿಕ್ ಉಪಕರಣಗಳ ಇನ್ಪುಟ್, ಔಟ್‌ಪುಟ್ ಹಂತವನ್ನು ಮಾಡಲು, ಸಾಮಾನ್ಯ ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಅನ್ನು ಪಡೆಯಬಹುದು ಕಾರ್ಯವನ್ನು ತಲುಪುವುದು ಕಷ್ಟ.
(6)MOSFET ಗಳನ್ನು ಎರಡು ವರ್ಗಗಳಾಗಿ ವಿಂಗಡಿಸಲಾಗಿದೆ: ಕೆಂಪು ಜಂಕ್ಷನ್ ಪ್ರಕಾರ ಮತ್ತು ಇನ್ಸುಲೇಟೆಡ್ ಗೇಟ್ ಪ್ರಕಾರ, ಮತ್ತು ಅವುಗಳ ಕುಶಲತೆಯ ತತ್ವಗಳು ಒಂದೇ ಆಗಿರುತ್ತವೆ.
ವಾಸ್ತವವಾಗಿ, ಟ್ರಯೋಡ್ ಅಗ್ಗವಾಗಿದೆ ಮತ್ತು ಬಳಸಲು ಹೆಚ್ಚು ಅನುಕೂಲಕರವಾಗಿದೆ, ಸಾಮಾನ್ಯವಾಗಿ ಹಳೆಯ ಕಡಿಮೆ-ಆವರ್ತನ ಮೀನುಗಾರರಲ್ಲಿ ಬಳಸಲಾಗುತ್ತದೆ, ಹೆಚ್ಚಿನ ಆವರ್ತನದ ಹೈ-ಸ್ಪೀಡ್ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್‌ಗಳಿಗೆ MOSFET, ಹೆಚ್ಚಿನ-ಪ್ರಸ್ತುತ ಸಂದರ್ಭಗಳಲ್ಲಿ, ಆದ್ದರಿಂದ ಹೊಸ ಪ್ರಕಾರದ ಹೆಚ್ಚಿನ ಆವರ್ತನದ ಅಲ್ಟ್ರಾಸಾನಿಕ್ ಮೀನುಗಾರರು, ಅಗತ್ಯ ಆಗಿದೆದೊಡ್ಡ MOS. ಸಾಮಾನ್ಯವಾಗಿ ಹೇಳುವುದಾದರೆ, ಕಡಿಮೆ-ವೆಚ್ಚದ ಸಂದರ್ಭಗಳಲ್ಲಿ, ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್‌ಗಳ ಬಳಕೆಯನ್ನು ಪರಿಗಣಿಸುವ ಮೊದಲನೆಯ ಸಾಮಾನ್ಯ ಬಳಕೆ, ನೀವು MOS ಅನ್ನು ಪರಿಗಣಿಸಲು ಬಯಸಿದರೆ ಅಲ್ಲ.
MOSFET ಎಂದರೆ ಸ್ಥಗಿತದ ಕಾರಣಗಳು ಮತ್ತು ಪರಿಹಾರಗಳು ಈ ಕೆಳಗಿನಂತಿವೆ
ಮೊದಲನೆಯದಾಗಿ, MOSFET ನ ಇನ್ಪುಟ್ ಪ್ರತಿರೋಧವು ತುಂಬಾ ಹೆಚ್ಚಾಗಿರುತ್ತದೆ ಮತ್ತು ಗೇಟ್ - ಮೂಲ ಇಂಟರ್-ಎಲೆಕ್ಟ್ರೋಡ್ ಕೆಪಾಸಿಟನ್ಸ್ ತುಂಬಾ ಚಿಕ್ಕದಾಗಿದೆ, ಆದ್ದರಿಂದ ಇದು ಬಾಹ್ಯ ವಿದ್ಯುತ್ಕಾಂತೀಯ ಕ್ಷೇತ್ರಗಳು ಅಥವಾ ಸ್ಥಾಯೀವಿದ್ಯುತ್ತಿನ ಇಂಡಕ್ಟನ್ಸ್‌ಗೆ ಬಹಳ ಒಳಗಾಗುತ್ತದೆ ಮತ್ತು ಚಾರ್ಜ್ ಆಗುತ್ತದೆ ಮತ್ತು ಸಣ್ಣ ಪ್ರಮಾಣದ ಚಾರ್ಜ್ ಅನ್ನು ರಚಿಸಬಹುದು. ಸೂಕ್ತವಾಗಿ ಹೆಚ್ಚಿನ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (U = Q / C) ನ ಅಂತರ-ವಿದ್ಯುದ್ವಾರದ ಧಾರಣದಲ್ಲಿ, ಟ್ಯೂಬ್ ಹಾನಿಗೊಳಗಾಗುತ್ತದೆ. ಎಲೆಕ್ಟ್ರಿಕ್ ಫಿಶಿಂಗ್ ಯಂತ್ರದ MOS ಇನ್ಪುಟ್ ಆಂಟಿ-ಸ್ಟಾಟಿಕ್ ನಿರ್ವಹಣಾ ಕ್ರಮಗಳನ್ನು ಹೊಂದಿದ್ದರೂ, ಇನ್ನೂ ಎಚ್ಚರಿಕೆಯಿಂದ ಚಿಕಿತ್ಸೆ ನೀಡಬೇಕಾಗಿದ್ದರೂ, ಅತ್ಯುತ್ತಮ ಲೋಹದ ಪಾತ್ರೆಗಳು ಅಥವಾ ವಾಹಕ ವಸ್ತುಗಳ ಪ್ಯಾಕೇಜಿಂಗ್‌ನ ಸಂಗ್ರಹಣೆ ಮತ್ತು ವಿತರಣೆಯಲ್ಲಿ, ಸ್ಥಿರವಾದ ಹೆಚ್ಚಿನ ವೋಲ್ಟೇಜ್ ದಾಳಿ ಮಾಡಲು ಸುಲಭವಾಗುವುದಿಲ್ಲ. ರಾಸಾಯನಿಕ ವಸ್ತುಗಳು ಅಥವಾ ರಾಸಾಯನಿಕ ಫೈಬರ್ ಬಟ್ಟೆಗಳು. ಅಸೆಂಬ್ಲಿ, ಕಾರ್ಯಾರಂಭ, ವಸ್ತುಗಳು, ನೋಟ, ವರ್ಕ್‌ಸ್ಟೇಷನ್ ಇತ್ಯಾದಿಗಳು ಅತ್ಯುತ್ತಮ ಗ್ರೌಂಡಿಂಗ್ ಆಗಿರಬೇಕು. ನಿರ್ವಾಹಕರ ಸ್ಥಾಯೀವಿದ್ಯುತ್ತಿನ ಹಸ್ತಕ್ಷೇಪದ ಹಾನಿಯನ್ನು ತಪ್ಪಿಸಲು, ನೈಲಾನ್, ರಾಸಾಯನಿಕ ಫೈಬರ್ ಬಟ್ಟೆ, ಕೈ ಅಥವಾ ಇಂಟಿಗ್ರೇಟೆಡ್ ಬ್ಲಾಕ್ ಅನ್ನು ಸ್ಪರ್ಶಿಸುವ ಮೊದಲು ಯಾವುದನ್ನಾದರೂ ಧರಿಸಬಾರದು, ನೆಲವನ್ನು ಸಂಪರ್ಕಿಸಲು ಉತ್ತಮವಾಗಿದೆ. ಉಪಕರಣಗಳನ್ನು ನೇರಗೊಳಿಸುವಿಕೆ ಮತ್ತು ಬಾಗುವಿಕೆ ಅಥವಾ ಹಸ್ತಚಾಲಿತ ಬೆಸುಗೆ ಹಾಕಲು, ಅತ್ಯುತ್ತಮವಾದ ಗ್ರೌಂಡಿಂಗ್ಗಾಗಿ ಉಪಕರಣಗಳ ಬಳಕೆ ಅಗತ್ಯ.
ಎರಡನೆಯದಾಗಿ, MOSFET ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್‌ನ ಇನ್‌ಪುಟ್‌ನಲ್ಲಿನ ನಿರ್ವಹಣಾ ಡಯೋಡ್, ಅದರ ಆನ್-ಟೈಮ್ ಕರೆಂಟ್ ಟಾಲರೆನ್ಸ್ ಸಾಮಾನ್ಯವಾಗಿ 1mA ಆಗಿರುವ ಮಿತಿಮೀರಿದ ಅಸ್ಥಿರ ಇನ್ಪುಟ್ ಪ್ರವಾಹದ ಸಾಧ್ಯತೆಯಲ್ಲಿ (10mA ಮೀರಿ), ಇನ್ಪುಟ್ ನಿರ್ವಹಣೆ ರೆಸಿಸ್ಟರ್‌ಗೆ ಸಂಪರ್ಕ ಹೊಂದಿರಬೇಕು. ಮತ್ತು ಆರಂಭಿಕ ವಿನ್ಯಾಸದಲ್ಲಿ 129 # ನಿರ್ವಹಣಾ ಪ್ರತಿರೋಧಕದಲ್ಲಿ ಭಾಗವಹಿಸಲಿಲ್ಲ, ಆದ್ದರಿಂದ MOSFET ಸ್ಥಗಿತಗೊಳ್ಳಲು ಇದು ಕಾರಣವಾಗಿದೆ ಮತ್ತು ಆಂತರಿಕ ನಿರ್ವಹಣೆ ಪ್ರತಿರೋಧಕವನ್ನು ಬದಲಿಸುವ ಮೂಲಕ MOSFET ಅಂತಹ ವೈಫಲ್ಯದ ಆಕ್ರಮಣವನ್ನು ತಪ್ಪಿಸಲು ಸಾಧ್ಯವಾಗುತ್ತದೆ. ಮತ್ತು ಕ್ಷಣಿಕ ಶಕ್ತಿಯನ್ನು ಹೀರಿಕೊಳ್ಳುವ ನಿರ್ವಹಣಾ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ ಸೀಮಿತವಾಗಿರುವುದರಿಂದ, ತುಂಬಾ ದೊಡ್ಡ ಕ್ಷಣಿಕ ಸಂಕೇತ ಮತ್ತು ತುಂಬಾ ಹೆಚ್ಚಿನ ಸ್ಥಾಯೀವಿದ್ಯುತ್ತಿನ ವೋಲ್ಟೇಜ್ ನಿರ್ವಹಣೆ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ ಪರಿಣಾಮವನ್ನು ಕಳೆದುಕೊಳ್ಳುವಂತೆ ಮಾಡುತ್ತದೆ. ಆದ್ದರಿಂದ ವೆಲ್ಡಿಂಗ್ ಬೆಸುಗೆ ಹಾಕುವ ಕಬ್ಬಿಣದ ಸೋರಿಕೆ ಸ್ಥಗಿತ ಸಾಧನ ಇನ್ಪುಟ್ ತಡೆಗಟ್ಟಲು ದೃಢವಾಗಿ ನೆಲಕ್ಕೆ ಅವಶ್ಯಕವಾದಾಗ, ಸಾಮಾನ್ಯ ಬಳಕೆ, ಬೆಸುಗೆಗಾಗಿ ಬೆಸುಗೆ ಹಾಕುವ ಕಬ್ಬಿಣದ ಉಳಿದ ಶಾಖದ ಬಳಕೆಯ ನಂತರ ಆಫ್ ಪವರ್ ಮಾಡಬಹುದು, ಮತ್ತು ಅದರ ಗ್ರೌಂಡ್ಡ್ ಪಿನ್ಗಳನ್ನು ಮೊದಲು ಬೆಸುಗೆ ಹಾಕಬಹುದು.
ಪೋಸ್ಟ್ ಸಮಯ: ಜುಲೈ-31-2024
