ಸಾಮಾನ್ಯವಾಗಿ ಬಳಸುವ ಉನ್ನತ-ಶಕ್ತಿ MOSFET ಗಳ ಕಾರ್ಯ ತತ್ವದ ಪರಿಚಯ

ಇಂದು ಸಾಮಾನ್ಯವಾಗಿ ಬಳಸುವ ಹೆಚ್ಚಿನ ಶಕ್ತಿಯ ಮೇಲೆMOSFETಅದರ ಕೆಲಸದ ತತ್ವವನ್ನು ಸಂಕ್ಷಿಪ್ತವಾಗಿ ಪರಿಚಯಿಸಲು. ಅದು ತನ್ನ ಸ್ವಂತ ಕೆಲಸವನ್ನು ಹೇಗೆ ಅರಿತುಕೊಳ್ಳುತ್ತದೆ ಎಂಬುದನ್ನು ನೋಡಿ.

 

ಮೆಟಲ್-ಆಕ್ಸೈಡ್-ಸೆಮಿಕಂಡಕ್ಟರ್ ಅಂದರೆ, ಮೆಟಲ್-ಆಕ್ಸೈಡ್-ಸೆಮಿಕಂಡಕ್ಟರ್, ನಿಖರವಾಗಿ, ಈ ಹೆಸರು ಇಂಟಿಗ್ರೇಟೆಡ್ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್‌ನಲ್ಲಿ MOSFET ನ ರಚನೆಯನ್ನು ವಿವರಿಸುತ್ತದೆ, ಅಂದರೆ: ಅರೆವಾಹಕ ಸಾಧನದ ನಿರ್ದಿಷ್ಟ ರಚನೆಯಲ್ಲಿ, ಸಿಲಿಕಾನ್ ಡೈಆಕ್ಸೈಡ್ ಮತ್ತು ಲೋಹದೊಂದಿಗೆ ಸೇರಿಕೊಂಡು, ರಚನೆ ಗೇಟ್ ನ.

 

MOSFET ನ ಮೂಲ ಮತ್ತು ಡ್ರೈನ್ ವಿರೋಧಾಭಾಸವಾಗಿದೆ, ಎರಡೂ P-ಟೈಪ್ ಬ್ಯಾಕ್‌ಗೇಟ್‌ನಲ್ಲಿ ರೂಪುಗೊಂಡ N- ಮಾದರಿಯ ವಲಯಗಳಾಗಿವೆ. ಹೆಚ್ಚಿನ ಸಂದರ್ಭಗಳಲ್ಲಿ, ಎರಡು ಪ್ರದೇಶಗಳು ಒಂದೇ ಆಗಿರುತ್ತವೆ, ಹೊಂದಾಣಿಕೆಯ ಎರಡು ತುದಿಗಳು ಸಾಧನದ ಕಾರ್ಯಕ್ಷಮತೆಯ ಮೇಲೆ ಪರಿಣಾಮ ಬೀರದಿದ್ದರೂ ಸಹ, ಅಂತಹ ಸಾಧನವನ್ನು ಸಮ್ಮಿತೀಯವೆಂದು ಪರಿಗಣಿಸಲಾಗುತ್ತದೆ.

 

ವರ್ಗೀಕರಣ: ಪ್ರತಿ ಎನ್-ಚಾನೆಲ್ ಮತ್ತು ಪಿ-ಚಾನೆಲ್ ಎರಡರ ಚಾನಲ್ ವಸ್ತು ಪ್ರಕಾರ ಮತ್ತು ಇನ್ಸುಲೇಟೆಡ್ ಗೇಟ್ ಪ್ರಕಾರದ ಪ್ರಕಾರ; ವಾಹಕ ಕ್ರಮದ ಪ್ರಕಾರ: MOSFET ಅನ್ನು ಸವಕಳಿ ಮತ್ತು ವರ್ಧನೆ ಎಂದು ವಿಂಗಡಿಸಲಾಗಿದೆ, ಆದ್ದರಿಂದ MOSFET ಅನ್ನು N-ಚಾನೆಲ್ ಸವಕಳಿ ಮತ್ತು ವರ್ಧನೆ ಎಂದು ವಿಂಗಡಿಸಲಾಗಿದೆ; P-ಚಾನಲ್ ಸವಕಳಿ ಮತ್ತು ನಾಲ್ಕು ಪ್ರಮುಖ ವರ್ಗಗಳ ವರ್ಧನೆ.

MOSFET ಕಾರ್ಯಾಚರಣೆಯ ತತ್ವ - ರಚನಾತ್ಮಕ ಗುಣಲಕ್ಷಣಗಳುMOSFETಇದು ವಾಹಕದಲ್ಲಿ ಒಳಗೊಂಡಿರುವ ಒಂದು ಧ್ರುವೀಯ ವಾಹಕಗಳನ್ನು (ಪಾಲಿಸ್) ಮಾತ್ರ ನಡೆಸುತ್ತದೆ, ಇದು ಯುನಿಪೋಲಾರ್ ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಆಗಿದೆ. ನಡೆಸುವ ಕಾರ್ಯವಿಧಾನವು ಕಡಿಮೆ-ಶಕ್ತಿಯ MOSFET ನಂತೆಯೇ ಇರುತ್ತದೆ, ಆದರೆ ರಚನೆಯು ದೊಡ್ಡ ವ್ಯತ್ಯಾಸವನ್ನು ಹೊಂದಿದೆ, ಕಡಿಮೆ-ಶಕ್ತಿ MOSFET ಒಂದು ಸಮತಲ ವಾಹಕ ಸಾಧನವಾಗಿದೆ, ಹೆಚ್ಚಿನ ವಿದ್ಯುತ್ MOSFET ಲಂಬ ವಾಹಕ ರಚನೆಯನ್ನು VMOSFET ಎಂದೂ ಕರೆಯುತ್ತಾರೆ, ಇದು MOSFET ಅನ್ನು ಹೆಚ್ಚು ಸುಧಾರಿಸುತ್ತದೆ. ಸಾಧನದ ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಮತ್ತು ಪ್ರಸ್ತುತ ತಡೆದುಕೊಳ್ಳುವ ಸಾಮರ್ಥ್ಯ. ಮುಖ್ಯ ಲಕ್ಷಣವೆಂದರೆ ಲೋಹದ ಗೇಟ್ ಮತ್ತು ಚಾನಲ್ ನಡುವೆ ಸಿಲಿಕಾ ನಿರೋಧನದ ಪದರವಿದೆ ಮತ್ತು ಆದ್ದರಿಂದ ಹೆಚ್ಚಿನ ಇನ್ಪುಟ್ ಪ್ರತಿರೋಧವನ್ನು ಹೊಂದಿದೆ, ಟ್ಯೂಬ್ n ಪ್ರಸರಣ ವಲಯದ ಎರಡು ಹೆಚ್ಚಿನ ಸಾಂದ್ರತೆಗಳಲ್ಲಿ n- ಮಾದರಿಯ ವಾಹಕ ಚಾನಲ್ ಅನ್ನು ರೂಪಿಸುತ್ತದೆ. n-ಚಾನೆಲ್ ವರ್ಧನೆ MOSFET ಗಳನ್ನು ಫಾರ್ವರ್ಡ್ ಬಯಾಸ್‌ನೊಂದಿಗೆ ಗೇಟ್‌ಗೆ ಅನ್ವಯಿಸಬೇಕು ಮತ್ತು ಗೇಟ್ ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ n-ಚಾನೆಲ್ MOSFET ನಿಂದ ಉತ್ಪತ್ತಿಯಾಗುವ ವಾಹಕ ಚಾನಲ್‌ನ ಥ್ರೆಶೋಲ್ಡ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್‌ಗಿಂತ ಹೆಚ್ಚಾದಾಗ ಮಾತ್ರ. n-ಚಾನೆಲ್ ಡಿಪ್ಲೀಶನ್ ಟೈಪ್ MOSFET ಗಳು n-ಚಾನೆಲ್ MOSFET ಗಳು ಇದರಲ್ಲಿ ಯಾವುದೇ ಗೇಟ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಅನ್ನು ಅನ್ವಯಿಸದಿದ್ದಾಗ (ಗೇಟ್ ಸೋರ್ಸ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಶೂನ್ಯವಾಗಿರುತ್ತದೆ) ನಡೆಸುವ ಚಾನಲ್‌ಗಳನ್ನು ಉತ್ಪಾದಿಸಲಾಗುತ್ತದೆ.

 

MOSFET ನ ಕಾರ್ಯಾಚರಣೆಯ ತತ್ವವು "ಪ್ರಚೋದಿತ ಚಾರ್ಜ್" ನಿಂದ ರೂಪುಗೊಂಡ ವಾಹಕ ಚಾನಲ್ನ ಸ್ಥಿತಿಯನ್ನು ಬದಲಾಯಿಸಲು VGS ಅನ್ನು ಬಳಸಿಕೊಂಡು "ಪ್ರೇರಿತ ಚಾರ್ಜ್" ಪ್ರಮಾಣವನ್ನು ನಿಯಂತ್ರಿಸುವುದು ಮತ್ತು ನಂತರ ಡ್ರೈನ್ ಪ್ರವಾಹವನ್ನು ನಿಯಂತ್ರಿಸುವ ಉದ್ದೇಶವನ್ನು ಸಾಧಿಸುವುದು. ಟ್ಯೂಬ್‌ಗಳ ತಯಾರಿಕೆಯಲ್ಲಿ, ಹೆಚ್ಚಿನ ಸಂಖ್ಯೆಯ ಧನಾತ್ಮಕ ಅಯಾನುಗಳ ಹೊರಹೊಮ್ಮುವಿಕೆಯಲ್ಲಿ ಪದರವನ್ನು ನಿರೋಧಿಸುವ ಪ್ರಕ್ರಿಯೆಯ ಮೂಲಕ, ಆದ್ದರಿಂದ ಇಂಟರ್ಫೇಸ್‌ನ ಇನ್ನೊಂದು ಬದಿಯಲ್ಲಿ ಹೆಚ್ಚು ಋಣಾತ್ಮಕ ಆವೇಶವನ್ನು ಪ್ರಚೋದಿಸಬಹುದು, ಈ ಋಣಾತ್ಮಕ ಶುಲ್ಕಗಳು N ನಲ್ಲಿನ ಕಲ್ಮಶಗಳ ಹೆಚ್ಚಿನ ನುಗ್ಗುವಿಕೆಗೆ ವಾಹಕ ಚಾನಲ್ ರಚನೆಗೆ ಸಂಪರ್ಕಗೊಂಡಿರುವ ಪ್ರದೇಶ, VGS = 0 ನಲ್ಲಿಯೂ ಸಹ ದೊಡ್ಡ ಸೋರಿಕೆ ಪ್ರಸ್ತುತ ID ಇದೆ. ಗೇಟ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಅನ್ನು ಬದಲಾಯಿಸಿದಾಗ, ಚಾನಲ್‌ನಲ್ಲಿ ಪ್ರೇರಿತವಾದ ಚಾರ್ಜ್‌ನ ಪ್ರಮಾಣವೂ ಬದಲಾಗುತ್ತದೆ, ಮತ್ತು ವಾಹಕ ಚಾನಲ್ ಅಗಲ ಮತ್ತು ಚಾನಲ್‌ನ ಕಿರಿದಾಗುವಿಕೆ ಮತ್ತು ಬದಲಾವಣೆ, ಮತ್ತು ಹೀಗಾಗಿ ಗೇಟ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್‌ನೊಂದಿಗೆ ಸೋರಿಕೆ ಪ್ರಸ್ತುತ ID. ಪ್ರಸ್ತುತ ID ಗೇಟ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ನೊಂದಿಗೆ ಬದಲಾಗುತ್ತದೆ.

 

ಈಗ ಅಪ್ಲಿಕೇಶನ್MOSFETನಮ್ಮ ಜೀವನದ ಗುಣಮಟ್ಟವನ್ನು ಸುಧಾರಿಸುವಾಗ ಜನರ ಕಲಿಕೆ, ಕೆಲಸದ ದಕ್ಷತೆಯನ್ನು ಹೆಚ್ಚು ಸುಧಾರಿಸಿದೆ. ಕೆಲವು ಸರಳ ತಿಳುವಳಿಕೆಯ ಮೂಲಕ ನಾವು ಅದರ ಬಗ್ಗೆ ಹೆಚ್ಚು ತರ್ಕಬದ್ಧವಾದ ತಿಳುವಳಿಕೆಯನ್ನು ಹೊಂದಿದ್ದೇವೆ. ಇದನ್ನು ಸಾಧನವಾಗಿ ಬಳಸುವುದಲ್ಲದೆ, ಅದರ ಗುಣಲಕ್ಷಣಗಳ ಬಗ್ಗೆ ಹೆಚ್ಚು ತಿಳುವಳಿಕೆ, ಕೆಲಸದ ತತ್ವ, ಇದು ನಮಗೆ ಬಹಳಷ್ಟು ವಿನೋದವನ್ನು ನೀಡುತ್ತದೆ.