ಮೂಲ ವಿದ್ಯುತ್ ಸರಬರಾಜು ರಚನೆವೇಗದ ಚಾರ್ಜಿಂಗ್ಕ್ಯೂಸಿ ಫ್ಲೈಬ್ಯಾಕ್ + ಸೆಕೆಂಡರಿ ಸೈಡ್ (ಸೆಕೆಂಡರಿ) ಸಿಂಕ್ರೊನಸ್ ರೆಕ್ಟಿಫಿಕೇಶನ್ ಎಸ್‌ಎಸ್‌ಆರ್ ಅನ್ನು ಬಳಸುತ್ತದೆ. ಫ್ಲೈಬ್ಯಾಕ್ ಪರಿವರ್ತಕಗಳಿಗೆ, ಪ್ರತಿಕ್ರಿಯೆ ಮಾದರಿ ವಿಧಾನದ ಪ್ರಕಾರ, ಇದನ್ನು ವಿಂಗಡಿಸಬಹುದು: ಪ್ರಾಥಮಿಕ ಭಾಗ (ಪ್ರಾಥಮಿಕ) ನಿಯಂತ್ರಣ ಮತ್ತು ದ್ವಿತೀಯಕ ಭಾಗ (ದ್ವಿತೀಯ) ನಿಯಂತ್ರಣ; PWM ನಿಯಂತ್ರಕದ ಸ್ಥಳದ ಪ್ರಕಾರ. ಇದನ್ನು ವಿಂಗಡಿಸಬಹುದು: ಪ್ರಾಥಮಿಕ ಭಾಗ (ಪ್ರಾಥಮಿಕ) ನಿಯಂತ್ರಣ ಮತ್ತು ದ್ವಿತೀಯಕ (ದ್ವಿತೀಯ) ನಿಯಂತ್ರಣ. MOSFET ಗೂ ಇದಕ್ಕೂ ಯಾವುದೇ ಸಂಬಂಧವಿಲ್ಲ ಎಂದು ತೋರುತ್ತದೆ. ಆದ್ದರಿಂದ,ಓಲುಕಿಕೇಳಬೇಕು: MOSFET ಅನ್ನು ಎಲ್ಲಿ ಮರೆಮಾಡಲಾಗಿದೆ? ಅದು ಯಾವ ಪಾತ್ರವನ್ನು ವಹಿಸಿದೆ?
1. ಪ್ರಾಥಮಿಕ ಬದಿ (ಪ್ರಾಥಮಿಕ) ಹೊಂದಾಣಿಕೆ ಮತ್ತು ದ್ವಿತೀಯಕ (ದ್ವಿತೀಯ) ಹೊಂದಾಣಿಕೆ
ಔಟ್ಪುಟ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ನ ಸ್ಥಿರತೆಗೆ ಇನ್ಪುಟ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಮತ್ತು ಔಟ್ಪುಟ್ ಲೋಡ್ನಲ್ಲಿನ ಬದಲಾವಣೆಗಳನ್ನು ಸರಿಹೊಂದಿಸಲು PWM ಮುಖ್ಯ ನಿಯಂತ್ರಕಕ್ಕೆ ಅದರ ಬದಲಾಗುತ್ತಿರುವ ಮಾಹಿತಿಯನ್ನು ಕಳುಹಿಸಲು ಪ್ರತಿಕ್ರಿಯೆ ಲಿಂಕ್ ಅಗತ್ಯವಿದೆ. ವಿಭಿನ್ನ ಪ್ರತಿಕ್ರಿಯೆ ಮಾದರಿ ವಿಧಾನಗಳ ಪ್ರಕಾರ, ಚಿತ್ರಗಳು 1 ಮತ್ತು 2 ರಲ್ಲಿ ತೋರಿಸಿರುವಂತೆ ಇದನ್ನು ಪ್ರಾಥಮಿಕ ಬದಿ (ಪ್ರಾಥಮಿಕ) ಹೊಂದಾಣಿಕೆ ಮತ್ತು ದ್ವಿತೀಯಕ (ದ್ವಿತೀಯ) ಹೊಂದಾಣಿಕೆ ಎಂದು ವಿಂಗಡಿಸಬಹುದು.
ಪ್ರಾಥಮಿಕ ಬದಿಯ (ಪ್ರಾಥಮಿಕ) ನಿಯಂತ್ರಣದ ಪ್ರತಿಕ್ರಿಯೆ ಸಂಕೇತವನ್ನು ನೇರವಾಗಿ ಔಟ್ಪುಟ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ನಿಂದ ತೆಗೆದುಕೊಳ್ಳಲಾಗುವುದಿಲ್ಲ, ಆದರೆ ಔಟ್ಪುಟ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್‌ನೊಂದಿಗೆ ನಿರ್ದಿಷ್ಟ ಅನುಪಾತದ ಸಂಬಂಧವನ್ನು ನಿರ್ವಹಿಸುವ ಸಹಾಯಕ ಅಂಕುಡೊಂಕಾದ ಅಥವಾ ಪ್ರಾಥಮಿಕ ಪ್ರಾಥಮಿಕ ವಿಂಡ್‌ನಿಂದ ತೆಗೆದುಕೊಳ್ಳಲಾಗುತ್ತದೆ. ಇದರ ಗುಣಲಕ್ಷಣಗಳು:
① ಪರೋಕ್ಷ ಪ್ರತಿಕ್ರಿಯೆ ವಿಧಾನ, ಕಳಪೆ ಲೋಡ್ ನಿಯಂತ್ರಣ ದರ ಮತ್ತು ಕಳಪೆ ನಿಖರತೆ;
②. ಸರಳ ಮತ್ತು ಕಡಿಮೆ ವೆಚ್ಚ;
③. ಪ್ರತ್ಯೇಕ ಆಪ್ಟೋಕಪ್ಲರ್ ಅಗತ್ಯವಿಲ್ಲ.
ಸೆಕೆಂಡರಿ ಸೈಡ್ (ಸೆಕೆಂಡರಿ) ನಿಯಂತ್ರಣಕ್ಕಾಗಿ ಪ್ರತಿಕ್ರಿಯೆ ಸಿಗ್ನಲ್ ಅನ್ನು ಆಪ್ಟೋಕಪ್ಲರ್ ಮತ್ತು TL431 ಅನ್ನು ಬಳಸಿಕೊಂಡು ಔಟ್ಪುಟ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ನಿಂದ ನೇರವಾಗಿ ತೆಗೆದುಕೊಳ್ಳಲಾಗುತ್ತದೆ. ಇದರ ಗುಣಲಕ್ಷಣಗಳು:
① ನೇರ ಪ್ರತಿಕ್ರಿಯೆ ವಿಧಾನ, ಉತ್ತಮ ಲೋಡ್ ನಿಯಂತ್ರಣ ದರ, ರೇಖೀಯ ನಿಯಂತ್ರಣ ದರ, ಮತ್ತು ಹೆಚ್ಚಿನ ನಿಖರತೆ;
②. ಹೊಂದಾಣಿಕೆ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ ಸಂಕೀರ್ಣ ಮತ್ತು ದುಬಾರಿಯಾಗಿದೆ;
③. ಕಾಲಾನಂತರದಲ್ಲಿ ವಯಸ್ಸಾದ ಸಮಸ್ಯೆಗಳನ್ನು ಹೊಂದಿರುವ ಆಪ್ಟೋಕಪ್ಲರ್ ಅನ್ನು ಪ್ರತ್ಯೇಕಿಸುವುದು ಅವಶ್ಯಕ.
2. ಸೆಕೆಂಡರಿ ಸೈಡ್ (ಸೆಕೆಂಡರಿ) ಡಯೋಡ್ ಸರಿಪಡಿಸುವಿಕೆ ಮತ್ತುMOSFETಸಿಂಕ್ರೊನಸ್ ರಿಕ್ಟಿಫಿಕೇಶನ್ SSR
ಫ್ಲೈಬ್ಯಾಕ್ ಪರಿವರ್ತಕದ ಸೆಕೆಂಡರಿ ಸೈಡ್ (ಸೆಕೆಂಡರಿ) ಸಾಮಾನ್ಯವಾಗಿ ವೇಗದ ಚಾರ್ಜಿಂಗ್‌ನ ದೊಡ್ಡ ಔಟ್ಪುಟ್ ಕರೆಂಟ್‌ನಿಂದ ಡಯೋಡ್ ರಿಕ್ಟಿಫಿಕೇಶನ್ ಅನ್ನು ಬಳಸುತ್ತದೆ. ವಿಶೇಷವಾಗಿ ನೇರ ಚಾರ್ಜಿಂಗ್ ಅಥವಾ ಫ್ಲ್ಯಾಷ್ ಚಾರ್ಜಿಂಗ್ಗಾಗಿ, ಔಟ್ಪುಟ್ ಕರೆಂಟ್ 5A ಯಷ್ಟು ಹೆಚ್ಚಾಗಿರುತ್ತದೆ. ದಕ್ಷತೆಯನ್ನು ಸುಧಾರಿಸಲು, ಡಯೋಡ್ ಬದಲಿಗೆ MOSFET ಅನ್ನು ರೆಕ್ಟಿಫೈಯರ್ ಆಗಿ ಬಳಸಲಾಗುತ್ತದೆ, ಇದನ್ನು ಎರಡನೇ (ಸೆಕೆಂಡರಿ) ಸಿಂಕ್ರೊನಸ್ ರೆಕ್ಟಿಫಿಕೇಶನ್ SSR ಎಂದು ಕರೆಯಲಾಗುತ್ತದೆ, ಚಿತ್ರಗಳು 3 ಮತ್ತು 4 ರಲ್ಲಿ ತೋರಿಸಿರುವಂತೆ.
ಸೆಕೆಂಡರಿ ಸೈಡ್ (ಸೆಕೆಂಡರಿ) ಡಯೋಡ್ ಸರಿಪಡಿಸುವಿಕೆಯ ಗುಣಲಕ್ಷಣಗಳು:
①. ಸರಳ, ಹೆಚ್ಚುವರಿ ಡ್ರೈವ್ ನಿಯಂತ್ರಕ ಅಗತ್ಯವಿಲ್ಲ, ಮತ್ತು ವೆಚ್ಚ ಕಡಿಮೆಯಾಗಿದೆ;
② ಔಟ್ಪುಟ್ ಕರೆಂಟ್ ದೊಡ್ಡದಾಗಿದ್ದರೆ, ದಕ್ಷತೆಯು ಕಡಿಮೆಯಾಗಿದೆ;
③. ಹೆಚ್ಚಿನ ವಿಶ್ವಾಸಾರ್ಹತೆ.
ದ್ವಿತೀಯಕ ಭಾಗದ ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯಗಳು (ದ್ವಿತೀಯ) MOSFET ಸಿಂಕ್ರೊನಸ್ ಸರಿಪಡಿಸುವಿಕೆ:
①. ಸಂಕೀರ್ಣ, ಹೆಚ್ಚುವರಿ ಡ್ರೈವ್ ನಿಯಂತ್ರಕ ಮತ್ತು ಹೆಚ್ಚಿನ ವೆಚ್ಚದ ಅಗತ್ಯವಿರುತ್ತದೆ;
②. ಔಟ್ಪುಟ್ ಕರೆಂಟ್ ದೊಡ್ಡದಾದಾಗ, ದಕ್ಷತೆಯು ಅಧಿಕವಾಗಿರುತ್ತದೆ;
③. ಡಯೋಡ್ಗಳೊಂದಿಗೆ ಹೋಲಿಸಿದರೆ, ಅವುಗಳ ವಿಶ್ವಾಸಾರ್ಹತೆ ಕಡಿಮೆಯಾಗಿದೆ.
ಪ್ರಾಯೋಗಿಕ ಅನ್ವಯಗಳಲ್ಲಿ, ಚಿತ್ರ 5 ರಲ್ಲಿ ತೋರಿಸಿರುವಂತೆ, ಚಾಲನೆಗೆ ಅನುಕೂಲವಾಗುವಂತೆ ಸಿಂಕ್ರೊನಸ್ ರೆಕ್ಟಿಫಿಕೇಶನ್ SSR ನ MOSFET ಅನ್ನು ಸಾಮಾನ್ಯವಾಗಿ ಎತ್ತರದಿಂದ ಕೆಳ ತುದಿಗೆ ಸರಿಸಲಾಗುತ್ತದೆ.
ಸಿಂಕ್ರೊನಸ್ ರಿಕ್ಟಿಫಿಕೇಶನ್ SSR ನ ಉನ್ನತ-ಮಟ್ಟದ MOSFET ನ ಗುಣಲಕ್ಷಣಗಳು:
①. ಇದಕ್ಕೆ ಬೂಟ್‌ಸ್ಟ್ರ್ಯಾಪ್ ಡ್ರೈವ್ ಅಥವಾ ಫ್ಲೋಟಿಂಗ್ ಡ್ರೈವ್ ಅಗತ್ಯವಿರುತ್ತದೆ, ಇದು ದುಬಾರಿಯಾಗಿದೆ;
②. ಉತ್ತಮ EMI.
ಸಿಂಕ್ರೊನಸ್ ರಿಕ್ಟಿಫಿಕೇಶನ್ SSR MOSFET ನ ಗುಣಲಕ್ಷಣಗಳನ್ನು ಕಡಿಮೆ ತುದಿಯಲ್ಲಿ ಇರಿಸಲಾಗಿದೆ:
① ನೇರ ಡ್ರೈವ್, ಸರಳ ಡ್ರೈವ್ ಮತ್ತು ಕಡಿಮೆ ವೆಚ್ಚ;
②. ಕಳಪೆ EMI.
3. ಪ್ರಾಥಮಿಕ ಬದಿಯ (ಪ್ರಾಥಮಿಕ) ನಿಯಂತ್ರಣ ಮತ್ತು ದ್ವಿತೀಯಕ (ದ್ವಿತೀಯ) ನಿಯಂತ್ರಣ
PWM ಮುಖ್ಯ ನಿಯಂತ್ರಕವನ್ನು ಪ್ರಾಥಮಿಕ ಭಾಗದಲ್ಲಿ ಇರಿಸಲಾಗುತ್ತದೆ (ಪ್ರಾಥಮಿಕ). ಈ ರಚನೆಯನ್ನು ಪ್ರಾಥಮಿಕ ಅಡ್ಡ (ಪ್ರಾಥಮಿಕ) ನಿಯಂತ್ರಣ ಎಂದು ಕರೆಯಲಾಗುತ್ತದೆ. ಔಟ್ಪುಟ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್, ಲೋಡ್ ರೆಗ್ಯುಲೇಷನ್ ದರ ಮತ್ತು ರೇಖೀಯ ನಿಯಂತ್ರಣ ದರದ ನಿಖರತೆಯನ್ನು ಸುಧಾರಿಸಲು, ಪ್ರಾಥಮಿಕ ಬದಿಯ (ಪ್ರಾಥಮಿಕ) ನಿಯಂತ್ರಣಕ್ಕೆ ಪ್ರತಿಕ್ರಿಯೆ ಲಿಂಕ್ ಅನ್ನು ರೂಪಿಸಲು ಬಾಹ್ಯ ಆಪ್ಟೊಕಪ್ಲರ್ ಮತ್ತು TL431 ಅಗತ್ಯವಿರುತ್ತದೆ. ಸಿಸ್ಟಮ್ ಬ್ಯಾಂಡ್‌ವಿಡ್ತ್ ಚಿಕ್ಕದಾಗಿದೆ ಮತ್ತು ಪ್ರತಿಕ್ರಿಯೆ ವೇಗವು ನಿಧಾನವಾಗಿರುತ್ತದೆ.
PWM ಮುಖ್ಯ ನಿಯಂತ್ರಕವನ್ನು ದ್ವಿತೀಯ ಭಾಗದಲ್ಲಿ ಇರಿಸಿದರೆ (ಸೆಕೆಂಡರಿ), ಆಪ್ಟೋಕಪ್ಲರ್ ಮತ್ತು TL431 ಅನ್ನು ತೆಗೆದುಹಾಕಬಹುದು ಮತ್ತು ಔಟ್ಪುಟ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಅನ್ನು ನೇರವಾಗಿ ನಿಯಂತ್ರಿಸಬಹುದು ಮತ್ತು ವೇಗದ ಪ್ರತಿಕ್ರಿಯೆಯೊಂದಿಗೆ ಸರಿಹೊಂದಿಸಬಹುದು. ಈ ರಚನೆಯನ್ನು ದ್ವಿತೀಯ (ದ್ವಿತೀಯ) ನಿಯಂತ್ರಣ ಎಂದು ಕರೆಯಲಾಗುತ್ತದೆ.
ಪ್ರಾಥಮಿಕ ಬದಿಯ (ಪ್ರಾಥಮಿಕ) ನಿಯಂತ್ರಣದ ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯಗಳು:
①. Optocoupler ಮತ್ತು TL431 ಅಗತ್ಯವಿದೆ, ಮತ್ತು ಪ್ರತಿಕ್ರಿಯೆ ವೇಗವು ನಿಧಾನವಾಗಿರುತ್ತದೆ;
②. ಔಟ್ಪುಟ್ ರಕ್ಷಣೆಯ ವೇಗವು ನಿಧಾನವಾಗಿರುತ್ತದೆ.
③. ಸಿಂಕ್ರೊನಸ್ ರೆಕ್ಟಿಫಿಕೇಶನ್ ನಿರಂತರ ಮೋಡ್ CCM ನಲ್ಲಿ, ದ್ವಿತೀಯಕ ಭಾಗಕ್ಕೆ (ದ್ವಿತೀಯ) ಸಿಂಕ್ರೊನೈಸೇಶನ್ ಸಿಗ್ನಲ್ ಅಗತ್ಯವಿದೆ.
ದ್ವಿತೀಯ (ದ್ವಿತೀಯ) ನಿಯಂತ್ರಣದ ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯಗಳು:
①. ಔಟ್ಪುಟ್ ಅನ್ನು ನೇರವಾಗಿ ಪತ್ತೆಹಚ್ಚಲಾಗಿದೆ, ಯಾವುದೇ ಆಪ್ಟೋಕಪ್ಲರ್ ಮತ್ತು TL431 ಅಗತ್ಯವಿಲ್ಲ, ಪ್ರತಿಕ್ರಿಯೆ ವೇಗವು ವೇಗವಾಗಿರುತ್ತದೆ ಮತ್ತು ಔಟ್ಪುಟ್ ರಕ್ಷಣೆಯ ವೇಗವು ವೇಗವಾಗಿರುತ್ತದೆ;
②. ಸೆಕೆಂಡರಿ ಸೈಡ್ (ಸೆಕೆಂಡರಿ) ಸಿಂಕ್ರೊನಸ್ ರಿಕ್ಟಿಫಿಕೇಶನ್ MOSFET ಅನ್ನು ಸಿಂಕ್ರೊನೈಸೇಶನ್ ಸಿಗ್ನಲ್‌ಗಳ ಅಗತ್ಯವಿಲ್ಲದೆ ನೇರವಾಗಿ ಚಾಲನೆ ಮಾಡಲಾಗುತ್ತದೆ; ಪ್ರಾಥಮಿಕ ಬದಿಯ (ಪ್ರಾಥಮಿಕ) ಹೈ-ವೋಲ್ಟೇಜ್ MOSFET ನ ಡ್ರೈವಿಂಗ್ ಸಿಗ್ನಲ್ಗಳನ್ನು ರವಾನಿಸಲು ಪಲ್ಸ್ ಟ್ರಾನ್ಸ್‌ಫಾರ್ಮರ್‌ಗಳು, ಮ್ಯಾಗ್ನೆಟಿಕ್ ಕಪ್ಲಿಂಗ್‌ಗಳು ಅಥವಾ ಕೆಪ್ಯಾಸಿಟಿವ್ ಕಪ್ಲರ್‌ಗಳಂತಹ ಹೆಚ್ಚುವರಿ ಸಾಧನಗಳು ಅಗತ್ಯವಿದೆ.
③. ಪ್ರಾಥಮಿಕ ಭಾಗಕ್ಕೆ (ಪ್ರಾಥಮಿಕ) ಆರಂಭಿಕ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ ಅಗತ್ಯವಿದೆ, ಅಥವಾ ದ್ವಿತೀಯಕ ಭಾಗವು (ದ್ವಿತೀಯ) ಪ್ರಾರಂಭಿಸಲು ಸಹಾಯಕ ವಿದ್ಯುತ್ ಸರಬರಾಜನ್ನು ಹೊಂದಿದೆ.
4. ನಿರಂತರ CCM ಮೋಡ್ ಅಥವಾ ನಿರಂತರ DCM ಮೋಡ್
ಫ್ಲೈಬ್ಯಾಕ್ ಪರಿವರ್ತಕವು ನಿರಂತರ CCM ಮೋಡ್ ಅಥವಾ ನಿರಂತರ DCM ಮೋಡ್ನಲ್ಲಿ ಕಾರ್ಯನಿರ್ವಹಿಸುತ್ತದೆ. ದ್ವಿತೀಯ (ದ್ವಿತೀಯ) ಅಂಕುಡೊಂಕಾದ ಪ್ರವಾಹವು ಸ್ವಿಚಿಂಗ್ ಚಕ್ರದ ಕೊನೆಯಲ್ಲಿ 0 ಅನ್ನು ತಲುಪಿದರೆ, ಅದನ್ನು ನಿರಂತರ DCM ಮೋಡ್ ಎಂದು ಕರೆಯಲಾಗುತ್ತದೆ. ಸ್ವಿಚಿಂಗ್ ಚಕ್ರದ ಕೊನೆಯಲ್ಲಿ ದ್ವಿತೀಯ (ದ್ವಿತೀಯ) ಅಂಕುಡೊಂಕಾದ ಪ್ರವಾಹವು 0 ಆಗಿಲ್ಲದಿದ್ದರೆ, ಚಿತ್ರ 8 ಮತ್ತು 9 ರಲ್ಲಿ ತೋರಿಸಿರುವಂತೆ ಇದನ್ನು ನಿರಂತರ CCM ಮೋಡ್ ಎಂದು ಕರೆಯಲಾಗುತ್ತದೆ.
ಫ್ಲೈಬ್ಯಾಕ್ ಪರಿವರ್ತಕದ ವಿವಿಧ ಆಪರೇಟಿಂಗ್ ಮೋಡ್‌ಗಳಲ್ಲಿ ಸಿಂಕ್ರೊನಸ್ ರಿಕ್ಟಿಫಿಕೇಶನ್ ಎಸ್‌ಎಸ್‌ಆರ್‌ನ ಕೆಲಸದ ಸ್ಥಿತಿಗಳು ವಿಭಿನ್ನವಾಗಿವೆ ಎಂದು ಚಿತ್ರ 8 ಮತ್ತು ಚಿತ್ರ 9 ರಿಂದ ನೋಡಬಹುದು, ಅಂದರೆ ಸಿಂಕ್ರೊನಸ್ ರಿಕ್ಟಿಫಿಕೇಶನ್ ಎಸ್‌ಎಸ್‌ಆರ್‌ನ ನಿಯಂತ್ರಣ ವಿಧಾನಗಳು ಸಹ ವಿಭಿನ್ನವಾಗಿರುತ್ತದೆ.
ಸತ್ತ ಸಮಯವನ್ನು ನಿರ್ಲಕ್ಷಿಸಿದರೆ, ನಿರಂತರ CCM ಮೋಡ್ನಲ್ಲಿ ಕೆಲಸ ಮಾಡುವಾಗ, ಸಿಂಕ್ರೊನಸ್ ರಿಕ್ಟಿಫಿಕೇಶನ್ SSR ಎರಡು ರಾಜ್ಯಗಳನ್ನು ಹೊಂದಿದೆ:
①. ಪ್ರಾಥಮಿಕ ಬದಿಯ (ಪ್ರಾಥಮಿಕ) ಹೆಚ್ಚಿನ-ವೋಲ್ಟೇಜ್ MOSFET ಅನ್ನು ಆನ್ ಮಾಡಲಾಗಿದೆ ಮತ್ತು ದ್ವಿತೀಯಕ ಭಾಗ (ದ್ವಿತೀಯ) ಸಿಂಕ್ರೊನಸ್ ರಿಕ್ಟಿಫಿಕೇಶನ್ MOSFET ಅನ್ನು ಆಫ್ ಮಾಡಲಾಗಿದೆ;
②. ಪ್ರಾಥಮಿಕ ಬದಿಯ (ಪ್ರಾಥಮಿಕ) ಹೈ-ವೋಲ್ಟೇಜ್ MOSFET ಅನ್ನು ಆಫ್ ಮಾಡಲಾಗಿದೆ ಮತ್ತು ದ್ವಿತೀಯ ಭಾಗ (ದ್ವಿತೀಯ) ಸಿಂಕ್ರೊನಸ್ ರಿಕ್ಟಿಫಿಕೇಶನ್ MOSFET ಅನ್ನು ಆನ್ ಮಾಡಲಾಗಿದೆ.
ಅಂತೆಯೇ, ಸತ್ತ ಸಮಯವನ್ನು ನಿರ್ಲಕ್ಷಿಸಿದರೆ, ನಿರಂತರ DCM ಮೋಡ್ನಲ್ಲಿ ಕಾರ್ಯನಿರ್ವಹಿಸುವಾಗ ಸಿಂಕ್ರೊನಸ್ ರಿಕ್ಟಿಫಿಕೇಶನ್ SSR ಮೂರು ಸ್ಥಿತಿಗಳನ್ನು ಹೊಂದಿರುತ್ತದೆ:
①. ಪ್ರಾಥಮಿಕ ಬದಿಯ (ಪ್ರಾಥಮಿಕ) ಹೆಚ್ಚಿನ-ವೋಲ್ಟೇಜ್ MOSFET ಅನ್ನು ಆನ್ ಮಾಡಲಾಗಿದೆ ಮತ್ತು ದ್ವಿತೀಯಕ ಭಾಗ (ದ್ವಿತೀಯ) ಸಿಂಕ್ರೊನಸ್ ರಿಕ್ಟಿಫಿಕೇಶನ್ MOSFET ಅನ್ನು ಆಫ್ ಮಾಡಲಾಗಿದೆ;
②. ಪ್ರಾಥಮಿಕ ಬದಿಯ (ಪ್ರಾಥಮಿಕ) ಹೆಚ್ಚಿನ-ವೋಲ್ಟೇಜ್ MOSFET ಅನ್ನು ಆಫ್ ಮಾಡಲಾಗಿದೆ ಮತ್ತು ದ್ವಿತೀಯ ಭಾಗ (ದ್ವಿತೀಯ) ಸಿಂಕ್ರೊನಸ್ ರಿಕ್ಟಿಫಿಕೇಶನ್ MOSFET ಅನ್ನು ಆನ್ ಮಾಡಲಾಗಿದೆ;
③. ಪ್ರಾಥಮಿಕ ಬದಿಯ (ಪ್ರಾಥಮಿಕ) ಹೈ-ವೋಲ್ಟೇಜ್ MOSFET ಅನ್ನು ಆಫ್ ಮಾಡಲಾಗಿದೆ ಮತ್ತು ದ್ವಿತೀಯ ಭಾಗ (ದ್ವಿತೀಯ) ಸಿಂಕ್ರೊನಸ್ ರಿಕ್ಟಿಫಿಕೇಶನ್ MOSFET ಅನ್ನು ಆಫ್ ಮಾಡಲಾಗಿದೆ.
5. ನಿರಂತರ CCM ಮೋಡ್ನಲ್ಲಿ ಸೆಕೆಂಡರಿ ಸೈಡ್ (ಸೆಕೆಂಡರಿ) ಸಿಂಕ್ರೊನಸ್ ರಿಕ್ಟಿಫಿಕೇಶನ್ SSR
ಫಾಸ್ಟ್-ಚಾರ್ಜ್ ಫ್ಲೈಬ್ಯಾಕ್ ಪರಿವರ್ತಕವು ನಿರಂತರ CCM ಮೋಡ್ನಲ್ಲಿ ಕಾರ್ಯನಿರ್ವಹಿಸುತ್ತಿದ್ದರೆ, ಪ್ರಾಥಮಿಕ ಬದಿಯ (ಪ್ರಾಥಮಿಕ) ನಿಯಂತ್ರಣ ವಿಧಾನ, ದ್ವಿತೀಯ ಭಾಗ (ದ್ವಿತೀಯ) ಸಿಂಕ್ರೊನಸ್ ರಿಕ್ಟಿಫಿಕೇಶನ್ MOSFET ಗೆ ಸ್ಥಗಿತಗೊಳಿಸುವಿಕೆಯನ್ನು ನಿಯಂತ್ರಿಸಲು ಪ್ರಾಥಮಿಕ ಬದಿಯಿಂದ (ಪ್ರಾಥಮಿಕ) ಸಿಂಕ್ರೊನೈಸೇಶನ್ ಸಿಗ್ನಲ್ ಅಗತ್ಯವಿರುತ್ತದೆ.
ಕೆಳಗಿನ ಎರಡು ವಿಧಾನಗಳನ್ನು ಸಾಮಾನ್ಯವಾಗಿ ದ್ವಿತೀಯ ಬದಿಯ ಸಿಂಕ್ರೊನಸ್ ಡ್ರೈವ್ ಸಿಗ್ನಲ್ ಪಡೆಯಲು ಬಳಸಲಾಗುತ್ತದೆ (ದ್ವಿತೀಯ):
(1) ಚಿತ್ರ 10 ರಲ್ಲಿ ತೋರಿಸಿರುವಂತೆ ನೇರವಾಗಿ ದ್ವಿತೀಯ (ದ್ವಿತೀಯ) ಅಂಕುಡೊಂಕಾದ ಬಳಸಿ;
(2) ಚಿತ್ರ 12 ರಲ್ಲಿ ತೋರಿಸಿರುವಂತೆ ಸಿಂಕ್ರೊನಸ್ ಡ್ರೈವ್ ಸಿಗ್ನಲ್ ಅನ್ನು ಪ್ರಾಥಮಿಕ ಬದಿಯಿಂದ (ಪ್ರಾಥಮಿಕ) ದ್ವಿತೀಯ ಭಾಗಕ್ಕೆ (ದ್ವಿತೀಯ) ರವಾನಿಸಲು ಪಲ್ಸ್ ಟ್ರಾನ್ಸ್‌ಫಾರ್ಮರ್‌ಗಳಂತಹ ಹೆಚ್ಚುವರಿ ಪ್ರತ್ಯೇಕ ಘಟಕಗಳನ್ನು ಬಳಸಿ.
ಸಿಂಕ್ರೊನಸ್ ಡ್ರೈವ್ ಸಿಗ್ನಲ್ ಅನ್ನು ಪಡೆಯಲು ದ್ವಿತೀಯ (ದ್ವಿತೀಯ) ಅಂಕುಡೊಂಕಾದ ನೇರವಾಗಿ ಬಳಸಿ, ಸಿಂಕ್ರೊನಸ್ ಡ್ರೈವ್ ಸಿಗ್ನಲ್ನ ನಿಖರತೆಯನ್ನು ನಿಯಂತ್ರಿಸಲು ತುಂಬಾ ಕಷ್ಟ, ಮತ್ತು ಆಪ್ಟಿಮೈಸ್ಡ್ ದಕ್ಷತೆ ಮತ್ತು ವಿಶ್ವಾಸಾರ್ಹತೆಯನ್ನು ಸಾಧಿಸುವುದು ಕಷ್ಟ. ಚಿತ್ರ 11 ಶೋನಲ್ಲಿ ತೋರಿಸಿರುವಂತೆ ನಿಯಂತ್ರಣ ನಿಖರತೆಯನ್ನು ಸುಧಾರಿಸಲು ಕೆಲವು ಕಂಪನಿಗಳು ಡಿಜಿಟಲ್ ನಿಯಂತ್ರಕಗಳನ್ನು ಸಹ ಬಳಸುತ್ತವೆ.
ಸಿಂಕ್ರೊನಸ್ ಡ್ರೈವಿಂಗ್ ಸಿಗ್ನಲ್ಗಳನ್ನು ಪಡೆಯಲು ಪಲ್ಸ್ ಟ್ರಾನ್ಸ್ಫಾರ್ಮರ್ ಅನ್ನು ಬಳಸುವುದು ಹೆಚ್ಚಿನ ನಿಖರತೆಯನ್ನು ಹೊಂದಿದೆ, ಆದರೆ ವೆಚ್ಚವು ತುಲನಾತ್ಮಕವಾಗಿ ಹೆಚ್ಚು.
ಸೆಕೆಂಡರಿ ಸೈಡ್ (ಸೆಕೆಂಡರಿ) ನಿಯಂತ್ರಣ ವಿಧಾನವು ಸಾಮಾನ್ಯವಾಗಿ ಪಲ್ಸ್ ಟ್ರಾನ್ಸ್ಫಾರ್ಮರ್ ಅಥವಾ ಮ್ಯಾಗ್ನೆಟಿಕ್ ಕಪ್ಲಿಂಗ್ ವಿಧಾನವನ್ನು ಬಳಸಿಕೊಂಡು ಸಿಂಕ್ರೊನಸ್ ಡ್ರೈವ್ ಸಿಗ್ನಲ್ ಅನ್ನು ದ್ವಿತೀಯ ಭಾಗದಿಂದ (ದ್ವಿತೀಯ) ಪ್ರಾಥಮಿಕ ಭಾಗಕ್ಕೆ (ಪ್ರಾಥಮಿಕ), ಚಿತ್ರ 7.v ನಲ್ಲಿ ತೋರಿಸಿರುವಂತೆ ರವಾನಿಸುತ್ತದೆ.
6. ಸೆಕೆಂಡರಿ ಸೈಡ್ (ಸೆಕೆಂಡರಿ) ಸಿಂಕ್ರೊನಸ್ ರಿಕ್ಟಿಫಿಕೇಶನ್ SSR ನಿರಂತರ DCM ಮೋಡ್ನಲ್ಲಿ
ವೇಗದ ಚಾರ್ಜ್ ಫ್ಲೈಬ್ಯಾಕ್ ಪರಿವರ್ತಕವು ನಿರಂತರ DCM ಮೋಡ್ನಲ್ಲಿ ಕಾರ್ಯನಿರ್ವಹಿಸುತ್ತಿದ್ದರೆ. ಪ್ರಾಥಮಿಕ ಬದಿಯ (ಪ್ರಾಥಮಿಕ) ನಿಯಂತ್ರಣ ವಿಧಾನ ಅಥವಾ ದ್ವಿತೀಯಕ (ದ್ವಿತೀಯ) ನಿಯಂತ್ರಣ ವಿಧಾನದ ಹೊರತಾಗಿಯೂ, ಸಿಂಕ್ರೊನಸ್ ರಿಕ್ಟಿಫಿಕೇಶನ್ MOSFET ನ D ಮತ್ತು S ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಡ್ರಾಪ್‌ಗಳನ್ನು ನೇರವಾಗಿ ಪತ್ತೆಹಚ್ಚಬಹುದು ಮತ್ತು ನಿಯಂತ್ರಿಸಬಹುದು.
(1) ಸಿಂಕ್ರೊನಸ್ ರಿಕ್ಟಿಫಿಕೇಶನ್ MOSFET ಅನ್ನು ಆನ್ ಮಾಡಲಾಗುತ್ತಿದೆ
ಸಿಂಕ್ರೊನಸ್ ರಿಕ್ಟಿಫಿಕೇಶನ್ MOSFET ನ VDS ನ ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಧನಾತ್ಮಕದಿಂದ ಋಣಾತ್ಮಕವಾಗಿ ಬದಲಾದಾಗ, ಆಂತರಿಕ ಪರಾವಲಂಬಿ ಡಯೋಡ್ ಆನ್ ಆಗುತ್ತದೆ ಮತ್ತು ಸ್ವಲ್ಪ ವಿಳಂಬದ ನಂತರ, ಚಿತ್ರ 13 ರಲ್ಲಿ ತೋರಿಸಿರುವಂತೆ ಸಿಂಕ್ರೊನಸ್ ರಿಕ್ಟಿಫಿಕೇಶನ್ MOSFET ಆನ್ ಆಗುತ್ತದೆ.
(2) ಸಿಂಕ್ರೊನಸ್ ರಿಕ್ಟಿಫಿಕೇಶನ್ MOSFET ಅನ್ನು ಆಫ್ ಮಾಡುವುದು
ಸಿಂಕ್ರೊನಸ್ ರಿಕ್ಟಿಫಿಕೇಶನ್ MOSFET ಅನ್ನು ಆನ್ ಮಾಡಿದ ನಂತರ, VDS=-Io*Rdson. ದ್ವಿತೀಯ (ದ್ವಿತೀಯ) ಅಂಕುಡೊಂಕಾದ ಪ್ರವಾಹವು 0 ಕ್ಕೆ ಕಡಿಮೆಯಾದಾಗ, ಅಂದರೆ, ಪ್ರಸ್ತುತ ಪತ್ತೆ ಸಿಗ್ನಲ್ VDS ನ ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಋಣಾತ್ಮಕದಿಂದ 0 ಗೆ ಬದಲಾದಾಗ, ಚಿತ್ರ 13 ರಲ್ಲಿ ತೋರಿಸಿರುವಂತೆ ಸಿಂಕ್ರೊನಸ್ ರಿಕ್ಟಿಫಿಕೇಶನ್ MOSFET ಆಫ್ ಆಗುತ್ತದೆ.
ಪ್ರಾಯೋಗಿಕ ಅನ್ವಯಗಳಲ್ಲಿ, ದ್ವಿತೀಯ (ದ್ವಿತೀಯ) ಅಂಕುಡೊಂಕಾದ ಪ್ರವಾಹವು 0 (VDS=0) ತಲುಪುವ ಮೊದಲು ಸಿಂಕ್ರೊನಸ್ ರಿಕ್ಟಿಫಿಕೇಶನ್ MOSFET ಆಫ್ ಆಗುತ್ತದೆ. -20mV, -50mV, -100mV, -200mV, ಇತ್ಯಾದಿಗಳಂತಹ ವಿಭಿನ್ನ ಚಿಪ್‌ಗಳಿಂದ ಹೊಂದಿಸಲಾದ ಪ್ರಸ್ತುತ ಪತ್ತೆ ಉಲ್ಲೇಖ ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಮೌಲ್ಯಗಳು ವಿಭಿನ್ನವಾಗಿವೆ.
ಸಿಸ್ಟಮ್ನ ಪ್ರಸ್ತುತ ಪತ್ತೆ ಉಲ್ಲೇಖ ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಅನ್ನು ನಿಗದಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ. ಪ್ರಸ್ತುತ ಪತ್ತೆ ಉಲ್ಲೇಖ ವೋಲ್ಟೇಜ್ನ ಸಂಪೂರ್ಣ ಮೌಲ್ಯವು ಹೆಚ್ಚು, ಸಣ್ಣ ಹಸ್ತಕ್ಷೇಪ ದೋಷ ಮತ್ತು ಉತ್ತಮ ನಿಖರತೆ. ಆದಾಗ್ಯೂ, ಔಟ್ಪುಟ್ ಲೋಡ್ ಕರೆಂಟ್ Io ಕಡಿಮೆಯಾದಾಗ, ಸಿಂಕ್ರೊನಸ್ ರಿಕ್ಟಿಫಿಕೇಶನ್ MOSFET ದೊಡ್ಡ ಔಟ್ಪುಟ್ ಕರೆಂಟ್‌ನಲ್ಲಿ ಆಫ್ ಆಗುತ್ತದೆ ಮತ್ತು ಅದರ ಆಂತರಿಕ ಪರಾವಲಂಬಿ ಡಯೋಡ್ ಹೆಚ್ಚು ಸಮಯದವರೆಗೆ ನಡೆಸುತ್ತದೆ, ಆದ್ದರಿಂದ ಚಿತ್ರ 14 ರಲ್ಲಿ ತೋರಿಸಿರುವಂತೆ ದಕ್ಷತೆಯು ಕಡಿಮೆಯಾಗುತ್ತದೆ.
ಹೆಚ್ಚುವರಿಯಾಗಿ, ಪ್ರಸ್ತುತ ಪತ್ತೆ ಉಲ್ಲೇಖ ವೋಲ್ಟೇಜ್ನ ಸಂಪೂರ್ಣ ಮೌಲ್ಯವು ತುಂಬಾ ಚಿಕ್ಕದಾಗಿದ್ದರೆ. ಸಿಸ್ಟಂ ದೋಷಗಳು ಮತ್ತು ಹಸ್ತಕ್ಷೇಪವು ಸಿಂಕ್ರೊನಸ್ ರಿಕ್ಟಿಫಿಕೇಶನ್ MOSFET ಅನ್ನು ಸೆಕೆಂಡರಿ (ಸೆಕೆಂಡರಿ) ಅಂಕುಡೊಂಕಾದ ಪ್ರವಾಹವು 0 ಮೀರಿದ ನಂತರ ಆಫ್ ಮಾಡಲು ಕಾರಣವಾಗಬಹುದು, ಇದು ರಿವರ್ಸ್ ಇನ್ಫ್ಲೋ ಪ್ರವಾಹಕ್ಕೆ ಕಾರಣವಾಗುತ್ತದೆ, ದಕ್ಷತೆ ಮತ್ತು ಸಿಸ್ಟಮ್ ವಿಶ್ವಾಸಾರ್ಹತೆಯ ಮೇಲೆ ಪರಿಣಾಮ ಬೀರುತ್ತದೆ.
ಹೆಚ್ಚಿನ ನಿಖರವಾದ ಪ್ರಸ್ತುತ ಪತ್ತೆ ಸಂಕೇತಗಳು ವ್ಯವಸ್ಥೆಯ ದಕ್ಷತೆ ಮತ್ತು ವಿಶ್ವಾಸಾರ್ಹತೆಯನ್ನು ಸುಧಾರಿಸಬಹುದು, ಆದರೆ ಸಾಧನದ ವೆಚ್ಚವು ಹೆಚ್ಚಾಗುತ್ತದೆ. ಪ್ರಸ್ತುತ ಪತ್ತೆ ಸಂಕೇತದ ನಿಖರತೆಯು ಈ ಕೆಳಗಿನ ಅಂಶಗಳಿಗೆ ಸಂಬಂಧಿಸಿದೆ:
①. ಪ್ರಸ್ತುತ ಪತ್ತೆ ಉಲ್ಲೇಖ ವೋಲ್ಟೇಜ್ನ ನಿಖರತೆ ಮತ್ತು ತಾಪಮಾನ ಡ್ರಿಫ್ಟ್;
②. ಬಯಾಸ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಮತ್ತು ಆಫ್‌ಸೆಟ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್, ಬಯಾಸ್ ಕರೆಂಟ್ ಮತ್ತು ಆಫ್‌ಸೆಟ್ ಕರೆಂಟ್ ಮತ್ತು ಪ್ರಸ್ತುತ ಆಂಪ್ಲಿಫಯರ್‌ನ ತಾಪಮಾನ ಡ್ರಿಫ್ಟ್;
③. ಸಿಂಕ್ರೊನಸ್ ರಿಕ್ಟಿಫಿಕೇಶನ್ MOSFET ನ ಆನ್-ವೋಲ್ಟೇಜ್ Rdson ನ ನಿಖರತೆ ಮತ್ತು ತಾಪಮಾನದ ಡ್ರಿಫ್ಟ್.
ಹೆಚ್ಚುವರಿಯಾಗಿ, ಸಿಸ್ಟಮ್ ದೃಷ್ಟಿಕೋನದಿಂದ, ಡಿಜಿಟಲ್ ನಿಯಂತ್ರಣ, ಪ್ರಸ್ತುತ ಪತ್ತೆ ಉಲ್ಲೇಖ ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಅನ್ನು ಬದಲಾಯಿಸುವುದು ಮತ್ತು ಸಿಂಕ್ರೊನಸ್ ರಿಕ್ಟಿಫಿಕೇಶನ್ MOSFET ಡ್ರೈವಿಂಗ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಅನ್ನು ಬದಲಾಯಿಸುವ ಮೂಲಕ ಅದನ್ನು ಸುಧಾರಿಸಬಹುದು.
ಔಟ್ಪುಟ್ ಲೋಡ್ ಪ್ರಸ್ತುತ Io ಕಡಿಮೆಯಾದಾಗ, ವಿದ್ಯುತ್ MOSFET ನ ಡ್ರೈವಿಂಗ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಕಡಿಮೆಯಾದರೆ, ಅನುಗುಣವಾದ MOSFET ಟರ್ನ್-ಆನ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ Rdson ಹೆಚ್ಚಾಗುತ್ತದೆ. ಚಿತ್ರ 15 ರಲ್ಲಿ ತೋರಿಸಿರುವಂತೆ, ಸಿಂಕ್ರೊನಸ್ ರಿಕ್ಟಿಫಿಕೇಶನ್ MOSFET ನ ಆರಂಭಿಕ ಸ್ಥಗಿತವನ್ನು ತಪ್ಪಿಸಲು, ಪರಾವಲಂಬಿ ಡಯೋಡ್ನ ವಹನ ಸಮಯವನ್ನು ಕಡಿಮೆ ಮಾಡಲು ಮತ್ತು ಸಿಸ್ಟಮ್ನ ದಕ್ಷತೆಯನ್ನು ಸುಧಾರಿಸಲು ಸಾಧ್ಯವಿದೆ.
ಔಟ್ಪುಟ್ ಲೋಡ್ ಪ್ರಸ್ತುತ Io ಕಡಿಮೆಯಾದಾಗ, ಪ್ರಸ್ತುತ ಪತ್ತೆ ಉಲ್ಲೇಖ ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಕೂಡ ಕಡಿಮೆಯಾಗುತ್ತದೆ ಎಂದು ಚಿತ್ರ 14 ರಿಂದ ನೋಡಬಹುದಾಗಿದೆ. ಈ ರೀತಿಯಾಗಿ, ಔಟ್ಪುಟ್ ಕರೆಂಟ್ Io ದೊಡ್ಡದಾದಾಗ, ನಿಯಂತ್ರಣ ನಿಖರತೆಯನ್ನು ಸುಧಾರಿಸಲು ಹೆಚ್ಚಿನ ಪ್ರಸ್ತುತ ಪತ್ತೆ ಉಲ್ಲೇಖ ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಅನ್ನು ಬಳಸಲಾಗುತ್ತದೆ; ಔಟ್ಪುಟ್ ಪ್ರಸ್ತುತ Io ಕಡಿಮೆಯಾದಾಗ, ಕಡಿಮೆ ಪ್ರಸ್ತುತ ಪತ್ತೆ ಉಲ್ಲೇಖ ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಅನ್ನು ಬಳಸಲಾಗುತ್ತದೆ. ಇದು ಸಿಂಕ್ರೊನಸ್ ರಿಕ್ಟಿಫಿಕೇಶನ್ MOSFET ನ ವಹನ ಸಮಯವನ್ನು ಸುಧಾರಿಸುತ್ತದೆ ಮತ್ತು ಸಿಸ್ಟಮ್ನ ದಕ್ಷತೆಯನ್ನು ಸುಧಾರಿಸುತ್ತದೆ.
ಮೇಲಿನ ವಿಧಾನವನ್ನು ಸುಧಾರಣೆಗೆ ಬಳಸಲಾಗದಿದ್ದಾಗ, Schottky ಡಯೋಡ್‌ಗಳನ್ನು ಸಿಂಕ್ರೊನಸ್ ರಿಕ್ಟಿಫಿಕೇಶನ್ MOSFET ನ ಎರಡೂ ತುದಿಗಳಲ್ಲಿ ಸಮಾನಾಂತರವಾಗಿ ಸಂಪರ್ಕಿಸಬಹುದು. ಸಿಂಕ್ರೊನಸ್ ರಿಕ್ಟಿಫಿಕೇಶನ್ MOSFET ಅನ್ನು ಮುಂಚಿತವಾಗಿ ಆಫ್ ಮಾಡಿದ ನಂತರ, ಬಾಹ್ಯ ಸ್ಕಾಟ್ಕಿ ಡಯೋಡ್ ಅನ್ನು ಫ್ರೀವೀಲಿಂಗ್ಗಾಗಿ ಸಂಪರ್ಕಿಸಬಹುದು.
7. ಸೆಕೆಂಡರಿ (ಸೆಕೆಂಡರಿ) ನಿಯಂತ್ರಣ CCM+DCM ಹೈಬ್ರಿಡ್ ಮೋಡ್
ಪ್ರಸ್ತುತ, ಮೊಬೈಲ್ ಫೋನ್ ವೇಗದ ಚಾರ್ಜಿಂಗ್ಗಾಗಿ ಸಾಮಾನ್ಯವಾಗಿ ಬಳಸುವ ಎರಡು ಪರಿಹಾರಗಳಿವೆ:
(1) ಪ್ರಾಥಮಿಕ ಬದಿಯ (ಪ್ರಾಥಮಿಕ) ನಿಯಂತ್ರಣ ಮತ್ತು DCM ಕಾರ್ಯ ಕ್ರಮ. ಸೆಕೆಂಡರಿ ಸೈಡ್ (ಸೆಕೆಂಡರಿ) ಸಿಂಕ್ರೊನಸ್ ರಿಕ್ಟಿಫಿಕೇಶನ್ MOSFET ಗೆ ಸಿಂಕ್ರೊನೈಸೇಶನ್ ಸಿಗ್ನಲ್ ಅಗತ್ಯವಿಲ್ಲ.
(2) ಸೆಕೆಂಡರಿ (ಸೆಕೆಂಡರಿ) ನಿಯಂತ್ರಣ, CCM+DCM ಮಿಶ್ರ ಆಪರೇಟಿಂಗ್ ಮೋಡ್ (ಔಟ್ಪುಟ್ ಲೋಡ್ ಕರೆಂಟ್ ಕಡಿಮೆಯಾದಾಗ, CCM ನಿಂದ DCM ಗೆ). ಸೆಕೆಂಡರಿ ಸೈಡ್ (ಸೆಕೆಂಡರಿ) ಸಿಂಕ್ರೊನಸ್ ರಿಕ್ಟಿಫಿಕೇಶನ್ MOSFET ನೇರವಾಗಿ ಚಾಲಿತವಾಗಿದೆ ಮತ್ತು ಅದರ ಟರ್ನ್-ಆನ್ ಮತ್ತು ಟರ್ನ್-ಆಫ್ ಲಾಜಿಕ್ ತತ್ವಗಳನ್ನು ಚಿತ್ರ 16 ರಲ್ಲಿ ತೋರಿಸಲಾಗಿದೆ:
ಸಿಂಕ್ರೊನಸ್ ರಿಕ್ಟಿಫಿಕೇಶನ್ MOSFET ಅನ್ನು ಆನ್ ಮಾಡಲಾಗುತ್ತಿದೆ: ಸಿಂಕ್ರೊನಸ್ ರಿಕ್ಟಿಫಿಕೇಶನ್ MOSFET ನ VDS ನ ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಧನಾತ್ಮಕದಿಂದ ಋಣಾತ್ಮಕವಾಗಿ ಬದಲಾದಾಗ, ಅದರ ಆಂತರಿಕ ಪರಾವಲಂಬಿ ಡಯೋಡ್ ಆನ್ ಆಗುತ್ತದೆ. ಒಂದು ನಿರ್ದಿಷ್ಟ ವಿಳಂಬದ ನಂತರ, ಸಿಂಕ್ರೊನಸ್ ರಿಕ್ಟಿಫಿಕೇಶನ್ MOSFET ಆನ್ ಆಗುತ್ತದೆ.
ಸಿಂಕ್ರೊನಸ್ ರಿಕ್ಟಿಫಿಕೇಶನ್ MOSFET ಅನ್ನು ಆಫ್ ಮಾಡಲಾಗುತ್ತಿದೆ:
① ಔಟ್ಪುಟ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಸೆಟ್ ಮೌಲ್ಯಕ್ಕಿಂತ ಕಡಿಮೆಯಾದಾಗ, ಸಿಂಕ್ರೊನಸ್ ಗಡಿಯಾರ ಸಂಕೇತವನ್ನು MOSFET ನ ಟರ್ನ್-ಆಫ್ ಅನ್ನು ನಿಯಂತ್ರಿಸಲು ಮತ್ತು CCM ಮೋಡ್ನಲ್ಲಿ ಕೆಲಸ ಮಾಡಲು ಬಳಸಲಾಗುತ್ತದೆ.
② ಔಟ್ಪುಟ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಸೆಟ್ ಮೌಲ್ಯಕ್ಕಿಂತ ಹೆಚ್ಚಾದಾಗ, ಸಿಂಕ್ರೊನಸ್ ಗಡಿಯಾರ ಸಂಕೇತವನ್ನು ರಕ್ಷಿಸಲಾಗುತ್ತದೆ ಮತ್ತು ಕೆಲಸದ ವಿಧಾನವು DCM ಮೋಡ್‌ನಂತೆಯೇ ಇರುತ್ತದೆ. VDS=-Io*Rdson ಸಿಗ್ನಲ್ ಸಿಂಕ್ರೊನಸ್ ರಿಕ್ಟಿಫಿಕೇಶನ್ MOSFET ನ ಸ್ಥಗಿತವನ್ನು ನಿಯಂತ್ರಿಸುತ್ತದೆ.
ಈಗ, ಸಂಪೂರ್ಣ ವೇಗದ ಚಾರ್ಜಿಂಗ್ QC ಯಲ್ಲಿ MOSFET ಯಾವ ಪಾತ್ರವನ್ನು ವಹಿಸುತ್ತದೆ ಎಂಬುದು ಎಲ್ಲರಿಗೂ ತಿಳಿದಿದೆ!
ಓಲುಕಿ ಬಗ್ಗೆ
Olukey ನ ಪ್ರಮುಖ ತಂಡವು 20 ವರ್ಷಗಳಿಂದ ಘಟಕಗಳ ಮೇಲೆ ಕೇಂದ್ರೀಕರಿಸಿದೆ ಮತ್ತು ಶೆನ್ಜೆನ್‌ನಲ್ಲಿ ಪ್ರಧಾನ ಕಛೇರಿಯನ್ನು ಹೊಂದಿದೆ. ಮುಖ್ಯ ವ್ಯಾಪಾರ: MOSFET, MCU, IGBT ಮತ್ತು ಇತರ ಸಾಧನಗಳು. ಮುಖ್ಯ ಏಜೆಂಟ್ ಉತ್ಪನ್ನಗಳು WINSOK ಮತ್ತು Cmsemicon. ಮಿಲಿಟರಿ ಉದ್ಯಮ, ಕೈಗಾರಿಕಾ ನಿಯಂತ್ರಣ, ಹೊಸ ಶಕ್ತಿ, ವೈದ್ಯಕೀಯ ಉತ್ಪನ್ನಗಳು, 5G, ಇಂಟರ್ನೆಟ್ ಆಫ್ ಥಿಂಗ್ಸ್, ಸ್ಮಾರ್ಟ್ ಮನೆಗಳು ಮತ್ತು ವಿವಿಧ ಗ್ರಾಹಕ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನಿಕ್ಸ್ ಉತ್ಪನ್ನಗಳಲ್ಲಿ ಉತ್ಪನ್ನಗಳನ್ನು ವ್ಯಾಪಕವಾಗಿ ಬಳಸಲಾಗುತ್ತದೆ. ಮೂಲ ಜಾಗತಿಕ ಸಾಮಾನ್ಯ ಏಜೆಂಟ್‌ನ ಅನುಕೂಲಗಳನ್ನು ಅವಲಂಬಿಸಿ, ನಾವು ಚೀನೀ ಮಾರುಕಟ್ಟೆಯನ್ನು ಆಧರಿಸಿರುತ್ತೇವೆ. ನಮ್ಮ ಗ್ರಾಹಕರಿಗೆ ವಿವಿಧ ಸುಧಾರಿತ ಹೈಟೆಕ್ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನಿಕ್ ಘಟಕಗಳನ್ನು ಪರಿಚಯಿಸಲು, ಉತ್ತಮ ಗುಣಮಟ್ಟದ ಉತ್ಪನ್ನಗಳನ್ನು ಉತ್ಪಾದಿಸಲು ತಯಾರಕರಿಗೆ ಸಹಾಯ ಮಾಡಲು ಮತ್ತು ಸಮಗ್ರ ಸೇವೆಗಳನ್ನು ಒದಗಿಸಲು ನಾವು ನಮ್ಮ ಸಮಗ್ರ ಅನುಕೂಲಕರ ಸೇವೆಗಳನ್ನು ಬಳಸುತ್ತೇವೆ.
ಪೋಸ್ಟ್ ಸಮಯ: ಡಿಸೆಂಬರ್-14-2023
