ದೇಹ ಡಯೋಡ್ ಮತ್ತು MOSFET ನಡುವಿನ ವ್ಯತ್ಯಾಸ

1. ಮೂಲ ವ್ಯಾಖ್ಯಾನಗಳು ಮತ್ತು ರಚನೆಗಳು

 

- ಡಯೋಡ್: ಡಯೋಡ್ ಎರಡು ವಿದ್ಯುದ್ವಾರಗಳೊಂದಿಗೆ ಅರೆವಾಹಕ ಸಾಧನವಾಗಿದ್ದು, ಪಿ-ಟೈಪ್ ಮತ್ತು ಎನ್-ಟೈಪ್ ಅರೆವಾಹಕಗಳಿಂದ ಮಾಡಲ್ಪಟ್ಟಿದೆ, ಇದು ಪಿಎನ್ ಜಂಕ್ಷನ್ ಅನ್ನು ರೂಪಿಸುತ್ತದೆ. ಇದು ರಿವರ್ಸ್ ಫ್ಲೋ (ರಿವರ್ಸ್ ಬಯಾಸ್) ಅನ್ನು ತಡೆಯುವಾಗ ಧನಾತ್ಮಕದಿಂದ ಋಣಾತ್ಮಕ ಬದಿಗೆ (ಫಾರ್ವರ್ಡ್ ಬಯಾಸ್) ಹರಿಯುವಂತೆ ಮಾತ್ರ ಅನುಮತಿಸುತ್ತದೆ.

- MOSFET: ಒಂದು MOSFET ಮೂರು-ಟರ್ಮಿನಲ್ ಸೆಮಿಕಂಡಕ್ಟರ್ ಸಾಧನವಾಗಿದ್ದು ಅದು ಪ್ರವಾಹವನ್ನು ನಿಯಂತ್ರಿಸಲು ವಿದ್ಯುತ್ ಕ್ಷೇತ್ರದ ಪರಿಣಾಮವನ್ನು ಬಳಸುತ್ತದೆ. ಇದು ಗೇಟ್ (ಜಿ), ಮೂಲ (ಎಸ್) ಮತ್ತು ಡ್ರೈನ್ (ಡಿ) ಅನ್ನು ಒಳಗೊಂಡಿದೆ. ಮೂಲ ಮತ್ತು ಡ್ರೈನ್ ನಡುವಿನ ಪ್ರಸ್ತುತವು ಗೇಟ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ನಿಂದ ನಿಯಂತ್ರಿಸಲ್ಪಡುತ್ತದೆ.

 

2. ಕೆಲಸದ ತತ್ವ

 

- ಡಯೋಡ್: ಡಯೋಡ್‌ನ ಕೆಲಸದ ತತ್ವವು PN ಜಂಕ್ಷನ್‌ನ ಏಕಮುಖ ವಾಹಕತೆಯನ್ನು ಆಧರಿಸಿದೆ. ಮುಂದಕ್ಕೆ ಪಕ್ಷಪಾತದ ಅಡಿಯಲ್ಲಿ, ವಾಹಕಗಳು (ರಂಧ್ರಗಳು ಮತ್ತು ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್‌ಗಳು) ಪ್ರವಾಹವನ್ನು ರೂಪಿಸಲು PN ಜಂಕ್ಷನ್‌ನಾದ್ಯಂತ ಹರಡುತ್ತವೆ; ಹಿಮ್ಮುಖ ಪಕ್ಷಪಾತದ ಅಡಿಯಲ್ಲಿ, ಸಂಭಾವ್ಯ ತಡೆಗೋಡೆ ರಚಿಸಲಾಗಿದೆ, ಪ್ರಸ್ತುತ ಹರಿವನ್ನು ತಡೆಯುತ್ತದೆ.

 

- MOSFET: MOSFET ನ ಕೆಲಸದ ತತ್ವವು ವಿದ್ಯುತ್ ಕ್ಷೇತ್ರದ ಪರಿಣಾಮವನ್ನು ಆಧರಿಸಿದೆ. ಗೇಟ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಬದಲಾದಾಗ, ಗೇಟ್ ಅಡಿಯಲ್ಲಿ ಅರೆವಾಹಕದ ಮೇಲ್ಮೈಯಲ್ಲಿ ವಾಹಕ ಚಾನಲ್ (ಎನ್-ಚಾನೆಲ್ ಅಥವಾ ಪಿ-ಚಾನೆಲ್) ಅನ್ನು ರೂಪಿಸುತ್ತದೆ, ಮೂಲ ಮತ್ತು ಡ್ರೈನ್ ನಡುವಿನ ಪ್ರಸ್ತುತವನ್ನು ನಿಯಂತ್ರಿಸುತ್ತದೆ. MOSFET ಗಳು ವೋಲ್ಟೇಜ್-ನಿಯಂತ್ರಿತ ಸಾಧನಗಳಾಗಿವೆ, ಇನ್ಪುಟ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಅನ್ನು ಅವಲಂಬಿಸಿ ಔಟ್ಪುಟ್ ಕರೆಂಟ್.

 

3. ಕಾರ್ಯಕ್ಷಮತೆಯ ಗುಣಲಕ್ಷಣಗಳು

 

- ಡಯೋಡ್:

- ಹೆಚ್ಚಿನ ಆವರ್ತನ ಮತ್ತು ಕಡಿಮೆ-ಶಕ್ತಿಯ ಅಪ್ಲಿಕೇಶನ್‌ಗಳಿಗೆ ಸೂಕ್ತವಾಗಿದೆ.

- ಏಕಮುಖ ವಾಹಕತೆಯನ್ನು ಹೊಂದಿದೆ, ಇದು ಸರಿಪಡಿಸುವಿಕೆ, ಪತ್ತೆ ಮತ್ತು ವೋಲ್ಟೇಜ್ ನಿಯಂತ್ರಣ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್‌ಗಳಲ್ಲಿ ಪ್ರಮುಖ ಅಂಶವಾಗಿದೆ.

- ರಿವರ್ಸ್ ಬ್ರೇಕ್‌ಡೌನ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಒಂದು ನಿರ್ಣಾಯಕ ನಿಯತಾಂಕವಾಗಿದೆ ಮತ್ತು ರಿವರ್ಸ್ ಬ್ರೇಕ್‌ಡೌನ್ ಸಮಸ್ಯೆಗಳನ್ನು ತಪ್ಪಿಸಲು ವಿನ್ಯಾಸದಲ್ಲಿ ಪರಿಗಣಿಸಬೇಕು.

 

- MOSFET:

- ಹೆಚ್ಚಿನ ಇನ್‌ಪುಟ್ ಪ್ರತಿರೋಧ, ಕಡಿಮೆ ಶಬ್ದ, ಕಡಿಮೆ ವಿದ್ಯುತ್ ಬಳಕೆ ಮತ್ತು ಉತ್ತಮ ಉಷ್ಣ ಸ್ಥಿರತೆಯನ್ನು ಹೊಂದಿದೆ.

- ದೊಡ್ಡ ಪ್ರಮಾಣದ ಇಂಟಿಗ್ರೇಟೆಡ್ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್‌ಗಳು ಮತ್ತು ಪವರ್ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನಿಕ್ಸ್‌ಗೆ ಸೂಕ್ತವಾಗಿದೆ.

- MOSFET ಗಳನ್ನು N-ಚಾನೆಲ್ ಮತ್ತು P-ಚಾನೆಲ್ ಪ್ರಕಾರಗಳಾಗಿ ವಿಂಗಡಿಸಲಾಗಿದೆ, ಪ್ರತಿಯೊಂದೂ ವರ್ಧನೆ-ಮೋಡ್ ಮತ್ತು ಡಿಪ್ಲಿಶನ್-ಮೋಡ್ ಪ್ರಭೇದಗಳಲ್ಲಿ ಬರುತ್ತದೆ.

- ಸ್ಯಾಚುರೇಶನ್ ಪ್ರದೇಶದಲ್ಲಿ ಸುಮಾರು ಸ್ಥಿರವಾಗಿ ಉಳಿದಿರುವ ಉತ್ತಮ ಸ್ಥಿರ ಪ್ರಸ್ತುತ ಗುಣಲಕ್ಷಣಗಳನ್ನು ಪ್ರದರ್ಶಿಸುತ್ತದೆ.

 

4. ಅಪ್ಲಿಕೇಶನ್ ಕ್ಷೇತ್ರಗಳು

 

- ಡಯೋಡ್: ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನಿಕ್ಸ್, ಸಂವಹನ ಮತ್ತು ವಿದ್ಯುತ್ ಸರಬರಾಜು ಕ್ಷೇತ್ರಗಳಲ್ಲಿ ವ್ಯಾಪಕವಾಗಿ ಬಳಸಲಾಗುತ್ತದೆ, ಉದಾಹರಣೆಗೆ ರಿಕ್ಟಿಫಿಕೇಶನ್ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್‌ಗಳು, ವೋಲ್ಟೇಜ್ ರೆಗ್ಯುಲೇಷನ್ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್‌ಗಳು ಮತ್ತು ಡಿಟೆಕ್ಷನ್ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್‌ಗಳಲ್ಲಿ.

 

- MOSFET: ಇಂಟಿಗ್ರೇಟೆಡ್ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್‌ಗಳು, ಪವರ್ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನಿಕ್ಸ್, ಕಂಪ್ಯೂಟರ್‌ಗಳು ಮತ್ತು ಸಂವಹನದಲ್ಲಿ ನಿರ್ಣಾಯಕ ಪಾತ್ರವನ್ನು ವಹಿಸುತ್ತದೆ, ಇದನ್ನು ಸ್ವಿಚಿಂಗ್ ಎಲಿಮೆಂಟ್‌ಗಳು, ಆಂಪ್ಲಿಫಿಕೇಶನ್ ಅಂಶಗಳು ಮತ್ತು ಡ್ರೈವಿಂಗ್ ಅಂಶಗಳಾಗಿ ಬಳಸಲಾಗುತ್ತದೆ.

 

5. ತೀರ್ಮಾನ

 

ಡಯೋಡ್‌ಗಳು ಮತ್ತು MOSFET ಗಳು ಅವುಗಳ ಮೂಲ ವ್ಯಾಖ್ಯಾನಗಳು, ರಚನೆಗಳು, ಕೆಲಸದ ತತ್ವಗಳು, ಕಾರ್ಯಕ್ಷಮತೆ ಗುಣಲಕ್ಷಣಗಳು ಮತ್ತು ಅಪ್ಲಿಕೇಶನ್ ಕ್ಷೇತ್ರಗಳಲ್ಲಿ ಭಿನ್ನವಾಗಿರುತ್ತವೆ. ಡಯೋಡ್‌ಗಳು ಅವುಗಳ ಏಕಮುಖ ವಾಹಕತೆಯಿಂದಾಗಿ ಸರಿಪಡಿಸುವಿಕೆ ಮತ್ತು ವೋಲ್ಟೇಜ್ ನಿಯಂತ್ರಣದಲ್ಲಿ ಪ್ರಮುಖ ಪಾತ್ರವನ್ನು ವಹಿಸುತ್ತವೆ, ಆದರೆ MOSFET ಗಳು ಅವುಗಳ ಹೆಚ್ಚಿನ ಇನ್‌ಪುಟ್ ಪ್ರತಿರೋಧ, ಕಡಿಮೆ ಶಬ್ದ ಮತ್ತು ಕಡಿಮೆ ವಿದ್ಯುತ್ ಬಳಕೆಯಿಂದಾಗಿ ಸಮಗ್ರ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್‌ಗಳು ಮತ್ತು ಪವರ್ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನಿಕ್ಸ್‌ಗಳಲ್ಲಿ ವ್ಯಾಪಕವಾಗಿ ಬಳಸಲ್ಪಡುತ್ತವೆ. ಎರಡೂ ಘಟಕಗಳು ಆಧುನಿಕ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನಿಕ್ ತಂತ್ರಜ್ಞಾನಕ್ಕೆ ಮೂಲಭೂತವಾಗಿವೆ, ಪ್ರತಿಯೊಂದೂ ತನ್ನದೇ ಆದ ಅನುಕೂಲಗಳನ್ನು ನೀಡುತ್ತದೆ.