MOSFET ನ ಕಾರ್ಯಗಳು ಯಾವುವು?

MOSFET ನಲ್ಲಿ ಎರಡು ಪ್ರಮುಖ ವಿಧಗಳಿವೆ: ಸ್ಪ್ಲಿಟ್ ಜಂಕ್ಷನ್ ಪ್ರಕಾರ ಮತ್ತು ಇನ್ಸುಲೇಟೆಡ್ ಗೇಟ್ ಪ್ರಕಾರ. ಜಂಕ್ಷನ್ MOSFET (JFET) ಎಂದು ಹೆಸರಿಸಲಾಗಿದೆ ಏಕೆಂದರೆ ಇದು ಎರಡು PN ಜಂಕ್ಷನ್‌ಗಳು ಮತ್ತು ಇನ್ಸುಲೇಟೆಡ್ ಗೇಟ್ ಅನ್ನು ಹೊಂದಿದೆMOSFET(JGFET) ಎಂದು ಹೆಸರಿಸಲಾಗಿದೆ ಏಕೆಂದರೆ ಗೇಟ್ ಸಂಪೂರ್ಣವಾಗಿ ಇತರ ವಿದ್ಯುದ್ವಾರಗಳಿಂದ ಬೇರ್ಪಡಿಸಲ್ಪಟ್ಟಿರುತ್ತದೆ. ಪ್ರಸ್ತುತ, ಇನ್ಸುಲೇಟೆಡ್ ಗೇಟ್ MOSFET ಗಳಲ್ಲಿ, ಸಾಮಾನ್ಯವಾಗಿ ಬಳಸಲಾಗುವ MOSFET, MOSFET (ಮೆಟಲ್-ಆಕ್ಸೈಡ್-ಸೆಮಿಕಂಡಕ್ಟರ್ MOSFET) ಎಂದು ಉಲ್ಲೇಖಿಸಲಾಗುತ್ತದೆ; ಜೊತೆಗೆ, PMOS, NMOS ಮತ್ತು VMOS ಪವರ್ MOSFET ಗಳು, ಹಾಗೆಯೇ ಇತ್ತೀಚೆಗೆ ಬಿಡುಗಡೆಯಾದ πMOS ಮತ್ತು VMOS ಪವರ್ ಮಾಡ್ಯೂಲ್‌ಗಳು, ಇತ್ಯಾದಿ.

 

ವಿಭಿನ್ನ ಚಾನಲ್ ಸೆಮಿಕಂಡಕ್ಟರ್ ವಸ್ತುಗಳ ಪ್ರಕಾರ, ಜಂಕ್ಷನ್ ಪ್ರಕಾರ ಮತ್ತು ಇನ್ಸುಲೇಟಿಂಗ್ ಗೇಟ್ ಪ್ರಕಾರವನ್ನು ಚಾನಲ್ ಮತ್ತು ಪಿ ಚಾನಲ್ ಎಂದು ವಿಂಗಡಿಸಲಾಗಿದೆ. ವಾಹಕತೆಯ ಕ್ರಮಕ್ಕೆ ಅನುಗುಣವಾಗಿ ವಿಂಗಡಿಸಿದರೆ, MOSFET ಅನ್ನು ಸವಕಳಿ ಪ್ರಕಾರ ಮತ್ತು ವರ್ಧನೆಯ ಪ್ರಕಾರವಾಗಿ ವಿಂಗಡಿಸಬಹುದು. ಜಂಕ್ಷನ್ MOSFET ಗಳು ಎಲ್ಲಾ ಸವಕಳಿ ಪ್ರಕಾರವಾಗಿದೆ, ಮತ್ತು ಇನ್ಸುಲೇಟೆಡ್ ಗೇಟ್ MOSFET ಗಳು ಸವಕಳಿ ಪ್ರಕಾರ ಮತ್ತು ವರ್ಧನೆಯ ಪ್ರಕಾರವಾಗಿದೆ.

ಫೀಲ್ಡ್ ಎಫೆಕ್ಟ್ ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್‌ಗಳನ್ನು ಜಂಕ್ಷನ್ ಫೀಲ್ಡ್ ಎಫೆಕ್ಟ್ ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್‌ಗಳು ಮತ್ತು MOSFET ಗಳಾಗಿ ವಿಂಗಡಿಸಬಹುದು. MOSFET ಗಳನ್ನು ನಾಲ್ಕು ವರ್ಗಗಳಾಗಿ ವಿಂಗಡಿಸಲಾಗಿದೆ: N-ಚಾನಲ್ ಸವಕಳಿ ಪ್ರಕಾರ ಮತ್ತು ವರ್ಧನೆಯ ಪ್ರಕಾರ; ಪಿ-ಚಾನಲ್ ಸವಕಳಿ ಪ್ರಕಾರ ಮತ್ತು ವರ್ಧನೆಯ ಪ್ರಕಾರ.

 

MOSFET ನ ಗುಣಲಕ್ಷಣಗಳು

MOSFET ನ ವಿಶಿಷ್ಟತೆಯು ದಕ್ಷಿಣ ಗೇಟ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ UG ಆಗಿದೆ; ಇದು ಅದರ ಡ್ರೈನ್ ಕರೆಂಟ್ ಐಡಿಯನ್ನು ನಿಯಂತ್ರಿಸುತ್ತದೆ. ಸಾಮಾನ್ಯ ಬೈಪೋಲಾರ್ ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್‌ಗಳೊಂದಿಗೆ ಹೋಲಿಸಿದರೆ, MOSFET ಗಳು ಹೆಚ್ಚಿನ ಇನ್‌ಪುಟ್ ಪ್ರತಿರೋಧ, ಕಡಿಮೆ ಶಬ್ದ, ದೊಡ್ಡ ಡೈನಾಮಿಕ್ ಶ್ರೇಣಿ, ಕಡಿಮೆ ವಿದ್ಯುತ್ ಬಳಕೆ ಮತ್ತು ಸುಲಭ ಏಕೀಕರಣದ ಗುಣಲಕ್ಷಣಗಳನ್ನು ಹೊಂದಿವೆ.

 

ಋಣಾತ್ಮಕ ಪಕ್ಷಪಾತ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (-UG) ನ ಸಂಪೂರ್ಣ ಮೌಲ್ಯವು ಹೆಚ್ಚಾದಾಗ, ಸವಕಳಿ ಪದರವು ಹೆಚ್ಚಾಗುತ್ತದೆ, ಚಾನಲ್ ಕಡಿಮೆಯಾಗುತ್ತದೆ ಮತ್ತು ಡ್ರೈನ್ ಕರೆಂಟ್ ID ಕಡಿಮೆಯಾಗುತ್ತದೆ. ಋಣಾತ್ಮಕ ಪಕ್ಷಪಾತ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (-UG) ನ ಸಂಪೂರ್ಣ ಮೌಲ್ಯವು ಕಡಿಮೆಯಾದಾಗ, ಸವಕಳಿ ಪದರವು ಕಡಿಮೆಯಾಗುತ್ತದೆ, ಚಾನಲ್ ಹೆಚ್ಚಾಗುತ್ತದೆ ಮತ್ತು ಡ್ರೈನ್ ಕರೆಂಟ್ ID ಹೆಚ್ಚಾಗುತ್ತದೆ. ಡ್ರೈನ್ ಕರೆಂಟ್ ಐಡಿಯನ್ನು ಗೇಟ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್‌ನಿಂದ ನಿಯಂತ್ರಿಸಲಾಗುತ್ತದೆ ಎಂದು ನೋಡಬಹುದು, ಆದ್ದರಿಂದ MOSFET ವೋಲ್ಟೇಜ್-ನಿಯಂತ್ರಿತ ಸಾಧನವಾಗಿದೆ, ಅಂದರೆ, ಔಟ್‌ಪುಟ್ ಕರೆಂಟ್‌ನಲ್ಲಿನ ಬದಲಾವಣೆಗಳನ್ನು ಇನ್‌ಪುಟ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್‌ನಲ್ಲಿನ ಬದಲಾವಣೆಗಳಿಂದ ನಿಯಂತ್ರಿಸಲಾಗುತ್ತದೆ, ಇದರಿಂದಾಗಿ ವರ್ಧನೆ ಮತ್ತು ಇತರ ಉದ್ದೇಶಗಳು.

 

ಬೈಪೋಲಾರ್ ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್‌ಗಳಂತೆ, ವರ್ಧನೆಯಂತಹ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್‌ಗಳಲ್ಲಿ MOSFET ಅನ್ನು ಬಳಸಿದಾಗ, ಅದರ ಗೇಟ್‌ಗೆ ಬಯಾಸ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಅನ್ನು ಸಹ ಸೇರಿಸಬೇಕು.

ಜಂಕ್ಷನ್ ಫೀಲ್ಡ್ ಎಫೆಕ್ಟ್ ಟ್ಯೂಬ್‌ನ ಗೇಟ್ ಅನ್ನು ರಿವರ್ಸ್ ಬಯಾಸ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್‌ನೊಂದಿಗೆ ಅನ್ವಯಿಸಬೇಕು, ಅಂದರೆ, ಎನ್-ಚಾನಲ್ ಟ್ಯೂಬ್‌ಗೆ ಋಣಾತ್ಮಕ ಗೇಟ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಅನ್ನು ಅನ್ವಯಿಸಬೇಕು ಮತ್ತು ಪಿ-ಚಾನಲ್ ಟ್ಯೂಬ್‌ಗೆ ಧನಾತ್ಮಕ ಗೇಟ್ ಕ್ಲಾ ಅನ್ನು ಅನ್ವಯಿಸಬೇಕು. ಬಲವರ್ಧಿತ ಇನ್ಸುಲೇಟೆಡ್ ಗೇಟ್ MOSFET ಫಾರ್ವರ್ಡ್ ಗೇಟ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಅನ್ನು ಅನ್ವಯಿಸಬೇಕು. ಡಿಪ್ಲೀಶನ್-ಮೋಡ್ ಇನ್ಸುಲೇಟಿಂಗ್ MOSFET ನ ಗೇಟ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಧನಾತ್ಮಕ, ಋಣಾತ್ಮಕ ಅಥವಾ "0" ಆಗಿರಬಹುದು. ಪಕ್ಷಪಾತವನ್ನು ಸೇರಿಸುವ ವಿಧಾನಗಳು ಸ್ಥಿರ ಪಕ್ಷಪಾತ ವಿಧಾನ, ಸ್ವಯಂ-ಪೂರೈಕೆಯ ಪಕ್ಷಪಾತ ವಿಧಾನ, ನೇರ ಜೋಡಣೆ ವಿಧಾನ ಇತ್ಯಾದಿಗಳನ್ನು ಒಳಗೊಂಡಿವೆ.

MOSFETDC ನಿಯತಾಂಕಗಳು, AC ನಿಯತಾಂಕಗಳು ಮತ್ತು ಮಿತಿ ನಿಯತಾಂಕಗಳನ್ನು ಒಳಗೊಂಡಂತೆ ಅನೇಕ ನಿಯತಾಂಕಗಳನ್ನು ಹೊಂದಿದೆ, ಆದರೆ ಸಾಮಾನ್ಯ ಬಳಕೆಯಲ್ಲಿ, ನೀವು ಈ ಕೆಳಗಿನ ಮುಖ್ಯ ನಿಯತಾಂಕಗಳಿಗೆ ಮಾತ್ರ ಗಮನ ಕೊಡಬೇಕು: ಸ್ಯಾಚುರೇಟೆಡ್ ಡ್ರೈನ್-ಸೋರ್ಸ್ ಕರೆಂಟ್ IDSS ಪಿಂಚ್-ಆಫ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಅಪ್, (ಜಂಕ್ಷನ್ ಟ್ಯೂಬ್ ಮತ್ತು ಡಿಪ್ಲೀಷನ್ ಮೋಡ್ ಇನ್ಸುಲೇಟೆಡ್ ಗೇಟ್ ಟ್ಯೂಬ್, ಅಥವಾ ಟರ್ನ್-ಆನ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ UT (ಬಲವರ್ಧಿತ ಇನ್ಸುಲೇಟೆಡ್ ಗೇಟ್ ಟ್ಯೂಬ್), ಟ್ರಾನ್ಸ್‌ಕಂಡಕ್ಟನ್ಸ್ gm, ಡ್ರೈನ್-ಸೋರ್ಸ್ ಬ್ರೇಕ್‌ಡೌನ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ BUDS, ಗರಿಷ್ಠ ವಿದ್ಯುತ್ ಪ್ರಸರಣ PDSM ಮತ್ತು ಗರಿಷ್ಠ ಡ್ರೈನ್-ಸೋರ್ಸ್ ಕರೆಂಟ್ IDSM.

(1) ಸ್ಯಾಚುರೇಟೆಡ್ ಡ್ರೈನ್-ಸೋರ್ಸ್ ಕರೆಂಟ್

ಸ್ಯಾಚುರೇಟೆಡ್ ಡ್ರೈನ್-ಸೋರ್ಸ್ ಕರೆಂಟ್ ಐಡಿಎಸ್ಎಸ್ ಜಂಕ್ಷನ್‌ನಲ್ಲಿ ಗೇಟ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ UGS=0 ಅಥವಾ ಇನ್ಸುಲೇಟೆಡ್ ಗೇಟ್ MOSFET ನಲ್ಲಿ ಡ್ರೈನ್-ಸೋರ್ಸ್ ಕರೆಂಟ್ ಅನ್ನು ಸೂಚಿಸುತ್ತದೆ.

(2)ಪಿಂಚ್-ಆಫ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್

ಪಿಂಚ್-ಆಫ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಯುಪಿಯು ಗೇಟ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಅನ್ನು ಉಲ್ಲೇಖಿಸುತ್ತದೆ ಡ್ರೈನ್-ಮೂಲ ಸಂಪರ್ಕವು ಜಂಕ್ಷನ್ ಅಥವಾ ಡಿಪ್ಲೀಶನ್-ಟೈಪ್ ಇನ್ಸುಲೇಟೆಡ್ ಗೇಟ್ MOSFET ನಲ್ಲಿ ಕಡಿತಗೊಂಡಾಗ. N-ಚಾನೆಲ್ ಟ್ಯೂಬ್‌ನ UGS-ID ಕರ್ವ್‌ಗಾಗಿ 4-25 ರಲ್ಲಿ ತೋರಿಸಿರುವಂತೆ, IDSS ಮತ್ತು UP ಯ ಅರ್ಥವನ್ನು ಸ್ಪಷ್ಟವಾಗಿ ಕಾಣಬಹುದು.

(3) ಟರ್ನ್-ಆನ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್

ಬಲವರ್ಧಿತ ಇನ್ಸುಲೇಟೆಡ್ ಗೇಟ್ MOSFET ನಲ್ಲಿ ಡ್ರೈನ್-ಸೋರ್ಸ್ ಸಂಪರ್ಕವನ್ನು ಮಾಡಿದಾಗ ಟರ್ನ್-ಆನ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ UT ಗೇಟ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಅನ್ನು ಸೂಚಿಸುತ್ತದೆ. ಚಿತ್ರ 4-27 N-ಚಾನೆಲ್ ಟ್ಯೂಬ್‌ನ UGS-ID ಕರ್ವ್ ಅನ್ನು ತೋರಿಸುತ್ತದೆ ಮತ್ತು UT ಯ ಅರ್ಥವನ್ನು ಸ್ಪಷ್ಟವಾಗಿ ಕಾಣಬಹುದು.

(4) ಟ್ರಾನ್ಸ್ಕಂಡಕ್ಟನ್ಸ್

ಟ್ರಾನ್ಸ್‌ಕಂಡಕ್ಟನ್ಸ್ gm ಡ್ರೈನ್ ಕರೆಂಟ್ ಐಡಿಯನ್ನು ನಿಯಂತ್ರಿಸಲು ಗೇಟ್-ಸೋರ್ಸ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ UGS ನ ಸಾಮರ್ಥ್ಯವನ್ನು ಪ್ರತಿನಿಧಿಸುತ್ತದೆ, ಅಂದರೆ ಡ್ರೈನ್ ಕರೆಂಟ್ ಐಡಿಯಲ್ಲಿನ ಬದಲಾವಣೆಯ ಅನುಪಾತವು ಗೇಟ್-ಸೋರ್ಸ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಯುಜಿಎಸ್‌ನಲ್ಲಿನ ಬದಲಾವಣೆಗೆ. ವರ್ಧನೆಯ ಸಾಮರ್ಥ್ಯವನ್ನು ಅಳೆಯಲು 9m ಒಂದು ಪ್ರಮುಖ ನಿಯತಾಂಕವಾಗಿದೆMOSFET.

(5) ಡ್ರೈನ್-ಸೋರ್ಸ್ ಬ್ರೇಕ್‌ಡೌನ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್

ಡ್ರೈನ್-ಸೋರ್ಸ್ ಬ್ರೇಕ್‌ಡೌನ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ BUDS ಗೇಟ್-ಸೋರ್ಸ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ UGS ಸ್ಥಿರವಾಗಿರುವಾಗ MOSFET ಸ್ವೀಕರಿಸಬಹುದಾದ ಗರಿಷ್ಠ ಡ್ರೈನ್-ಸೋರ್ಸ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಅನ್ನು ಸೂಚಿಸುತ್ತದೆ. ಇದು ಸೀಮಿತಗೊಳಿಸುವ ನಿಯತಾಂಕವಾಗಿದೆ ಮತ್ತು MOSFET ಗೆ ಅನ್ವಯಿಸಲಾದ ಆಪರೇಟಿಂಗ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ BUDS ಗಿಂತ ಕಡಿಮೆಯಿರಬೇಕು.

(6) ಗರಿಷ್ಠ ವಿದ್ಯುತ್ ಪ್ರಸರಣ

ಗರಿಷ್ಠ ವಿದ್ಯುತ್ ಪ್ರಸರಣ PDSM ಸಹ ಮಿತಿ ನಿಯತಾಂಕವಾಗಿದೆ, ಇದು MOSFET ಕಾರ್ಯಕ್ಷಮತೆಯ ಕ್ಷೀಣಿಸದೆ ಅನುಮತಿಸುವ ಗರಿಷ್ಠ ಡ್ರೈನ್-ಸೋರ್ಸ್ ಪವರ್ ಡಿಸ್ಸಿಪೇಶನ್ ಅನ್ನು ಸೂಚಿಸುತ್ತದೆ. ಬಳಸಿದಾಗ, MOSFET ನ ನಿಜವಾದ ವಿದ್ಯುತ್ ಬಳಕೆಯು PDSM ಗಿಂತ ಕಡಿಮೆಯಿರಬೇಕು ಮತ್ತು ನಿರ್ದಿಷ್ಟ ಅಂಚು ಬಿಡಬೇಕು.

(7)ಗರಿಷ್ಠ ಡ್ರೈನ್-ಸೋರ್ಸ್ ಕರೆಂಟ್

ಗರಿಷ್ಠ ಡ್ರೈನ್-ಸೋರ್ಸ್ ಕರೆಂಟ್ IDSM ಮತ್ತೊಂದು ಮಿತಿ ನಿಯತಾಂಕವಾಗಿದೆ, ಇದು MOSFET ಸಾಮಾನ್ಯವಾಗಿ ಕಾರ್ಯನಿರ್ವಹಿಸುತ್ತಿರುವಾಗ ಡ್ರೈನ್ ಮತ್ತು ಮೂಲದ ನಡುವೆ ಹಾದುಹೋಗಲು ಅನುಮತಿಸಲಾದ ಗರಿಷ್ಠ ಪ್ರವಾಹವನ್ನು ಸೂಚಿಸುತ್ತದೆ. MOSFET ನ ಆಪರೇಟಿಂಗ್ ಕರೆಂಟ್ IDSM ಅನ್ನು ಮೀರಬಾರದು.

1. MOSFET ಅನ್ನು ವರ್ಧನೆಗಾಗಿ ಬಳಸಬಹುದು. MOSFET ಆಂಪ್ಲಿಫೈಯರ್‌ನ ಇನ್‌ಪುಟ್ ಪ್ರತಿರೋಧವು ತುಂಬಾ ಹೆಚ್ಚಿರುವುದರಿಂದ, ಜೋಡಿಸುವ ಕೆಪಾಸಿಟರ್ ಚಿಕ್ಕದಾಗಿರಬಹುದು ಮತ್ತು ಎಲೆಕ್ಟ್ರೋಲೈಟಿಕ್ ಕೆಪಾಸಿಟರ್‌ಗಳನ್ನು ಬಳಸಬೇಕಾಗಿಲ್ಲ.

2. MOSFET ನ ಹೆಚ್ಚಿನ ಇನ್‌ಪುಟ್ ಪ್ರತಿರೋಧವು ಪ್ರತಿರೋಧ ರೂಪಾಂತರಕ್ಕೆ ತುಂಬಾ ಸೂಕ್ತವಾಗಿದೆ. ಬಹು-ಹಂತದ ಆಂಪ್ಲಿಫೈಯರ್‌ಗಳ ಇನ್‌ಪುಟ್ ಹಂತದಲ್ಲಿ ಪ್ರತಿರೋಧ ರೂಪಾಂತರಕ್ಕಾಗಿ ಇದನ್ನು ಹೆಚ್ಚಾಗಿ ಬಳಸಲಾಗುತ್ತದೆ.

3. MOSFET ಅನ್ನು ವೇರಿಯಬಲ್ ರೆಸಿಸ್ಟರ್ ಆಗಿ ಬಳಸಬಹುದು.

4. MOSFET ಅನ್ನು ಸ್ಥಿರವಾದ ಪ್ರಸ್ತುತ ಮೂಲವಾಗಿ ಅನುಕೂಲಕರವಾಗಿ ಬಳಸಬಹುದು.

5. MOSFET ಅನ್ನು ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನಿಕ್ ಸ್ವಿಚ್ ಆಗಿ ಬಳಸಬಹುದು.

 

MOSFET ಕಡಿಮೆ ಆಂತರಿಕ ಪ್ರತಿರೋಧ, ಹೆಚ್ಚಿನ ತಡೆದುಕೊಳ್ಳುವ ವೋಲ್ಟೇಜ್, ವೇಗದ ಸ್ವಿಚಿಂಗ್ ಮತ್ತು ಹೆಚ್ಚಿನ ಹಿಮಪಾತದ ಶಕ್ತಿಯ ಗುಣಲಕ್ಷಣಗಳನ್ನು ಹೊಂದಿದೆ. ವಿನ್ಯಾಸಗೊಳಿಸಿದ ಪ್ರಸ್ತುತ ಸ್ಪ್ಯಾನ್ 1A-200A ಮತ್ತು ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಸ್ಪ್ಯಾನ್ 30V-1200V ಆಗಿದೆ. ಗ್ರಾಹಕರ ಉತ್ಪನ್ನದ ವಿಶ್ವಾಸಾರ್ಹತೆ, ಒಟ್ಟಾರೆ ಪರಿವರ್ತನೆ ದಕ್ಷತೆ ಮತ್ತು ಉತ್ಪನ್ನದ ಬೆಲೆ ಸ್ಪರ್ಧಾತ್ಮಕತೆಯನ್ನು ಸುಧಾರಿಸಲು ಗ್ರಾಹಕರ ಅಪ್ಲಿಕೇಶನ್ ಕ್ಷೇತ್ರಗಳು ಮತ್ತು ಅಪ್ಲಿಕೇಶನ್ ಯೋಜನೆಗಳ ಪ್ರಕಾರ ನಾವು ವಿದ್ಯುತ್ ನಿಯತಾಂಕಗಳನ್ನು ಸರಿಹೊಂದಿಸಬಹುದು.

 

MOSFET vs ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಹೋಲಿಕೆ

(1) MOSFET ಒಂದು ವೋಲ್ಟೇಜ್ ನಿಯಂತ್ರಣ ಅಂಶವಾಗಿದೆ, ಆದರೆ ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಸ್ತುತ ನಿಯಂತ್ರಣ ಅಂಶವಾಗಿದೆ. ಸಿಗ್ನಲ್ ಮೂಲದಿಂದ ಸ್ವಲ್ಪ ಪ್ರಮಾಣದ ಕರೆಂಟ್ ಅನ್ನು ಮಾತ್ರ ತೆಗೆದುಕೊಳ್ಳಲು ಅನುಮತಿಸಿದಾಗ, MOSFET ಅನ್ನು ಬಳಸಬೇಕು; ಸಿಗ್ನಲ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಕಡಿಮೆಯಾದಾಗ ಮತ್ತು ಸಿಗ್ನಲ್ ಮೂಲದಿಂದ ಹೆಚ್ಚಿನ ಪ್ರಮಾಣದ ಪ್ರವಾಹವನ್ನು ತೆಗೆದುಕೊಳ್ಳಲು ಅನುಮತಿಸಿದಾಗ, ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಅನ್ನು ಬಳಸಬೇಕು.

(2) MOSFET ವಿದ್ಯುಚ್ಛಕ್ತಿಯನ್ನು ನಡೆಸಲು ಬಹುಪಾಲು ವಾಹಕಗಳನ್ನು ಬಳಸುತ್ತದೆ, ಆದ್ದರಿಂದ ಇದನ್ನು ಯುನಿಪೋಲಾರ್ ಸಾಧನ ಎಂದು ಕರೆಯಲಾಗುತ್ತದೆ, ಆದರೆ ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್‌ಗಳು ವಿದ್ಯುಚ್ಛಕ್ತಿಯನ್ನು ನಡೆಸಲು ಬಹುಪಾಲು ವಾಹಕಗಳು ಮತ್ತು ಅಲ್ಪಸಂಖ್ಯಾತ ವಾಹಕಗಳನ್ನು ಹೊಂದಿವೆ. ಇದನ್ನು ಬೈಪೋಲಾರ್ ಸಾಧನ ಎಂದು ಕರೆಯಲಾಗುತ್ತದೆ.

(3) ಕೆಲವು MOSFET ಗಳ ಮೂಲ ಮತ್ತು ಡ್ರೈನ್ ಅನ್ನು ಪರಸ್ಪರ ಬದಲಿಯಾಗಿ ಬಳಸಬಹುದು, ಮತ್ತು ಗೇಟ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಧನಾತ್ಮಕ ಅಥವಾ ಋಣಾತ್ಮಕವಾಗಿರಬಹುದು, ಇದು ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್‌ಗಳಿಗಿಂತ ಹೆಚ್ಚು ಹೊಂದಿಕೊಳ್ಳುತ್ತದೆ.

(4) MOSFET ಅತ್ಯಂತ ಕಡಿಮೆ ವಿದ್ಯುತ್ ಮತ್ತು ಕಡಿಮೆ ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಪರಿಸ್ಥಿತಿಗಳಲ್ಲಿ ಕೆಲಸ ಮಾಡಬಹುದು, ಮತ್ತು ಅದರ ಉತ್ಪಾದನಾ ಪ್ರಕ್ರಿಯೆಯು ಸಿಲಿಕಾನ್ ವೇಫರ್‌ನಲ್ಲಿ ಅನೇಕ MOSFET ಗಳನ್ನು ಸುಲಭವಾಗಿ ಸಂಯೋಜಿಸುತ್ತದೆ. ಆದ್ದರಿಂದ, ದೊಡ್ಡ ಪ್ರಮಾಣದ ಇಂಟಿಗ್ರೇಟೆಡ್ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್‌ಗಳಲ್ಲಿ MOSFET ಗಳನ್ನು ವ್ಯಾಪಕವಾಗಿ ಬಳಸಲಾಗುತ್ತದೆ.

 

MOSFET ನ ಗುಣಮಟ್ಟ ಮತ್ತು ಧ್ರುವೀಯತೆಯನ್ನು ಹೇಗೆ ನಿರ್ಣಯಿಸುವುದು

ಮಲ್ಟಿಮೀಟರ್‌ನ ವ್ಯಾಪ್ತಿಯನ್ನು RX1K ಗೆ ಆಯ್ಕೆ ಮಾಡಿ, ಕಪ್ಪು ಪರೀಕ್ಷಾ ಲೀಡ್ ಅನ್ನು D ಪೋಲ್‌ಗೆ ಮತ್ತು ಕೆಂಪು ಪರೀಕ್ಷೆಯನ್ನು S ಪೋಲ್‌ಗೆ ಸಂಪರ್ಕಪಡಿಸಿ. ನಿಮ್ಮ ಕೈಯಿಂದ ಅದೇ ಸಮಯದಲ್ಲಿ G ಮತ್ತು D ಕಂಬಗಳನ್ನು ಸ್ಪರ್ಶಿಸಿ. MOSFET ತತ್‌ಕ್ಷಣದ ವಹನ ಸ್ಥಿತಿಯಲ್ಲಿರಬೇಕು, ಅಂದರೆ, ಮೀಟರ್ ಸೂಜಿಯು ಸಣ್ಣ ಪ್ರತಿರೋಧವನ್ನು ಹೊಂದಿರುವ ಸ್ಥಾನಕ್ಕೆ ಸ್ವಿಂಗ್ ಆಗುತ್ತದೆ. , ತದನಂತರ G ಮತ್ತು S ಧ್ರುವಗಳನ್ನು ನಿಮ್ಮ ಕೈಗಳಿಂದ ಸ್ಪರ್ಶಿಸಿ, MOSFET ಯಾವುದೇ ಪ್ರತಿಕ್ರಿಯೆಯನ್ನು ಹೊಂದಿರಬಾರದು, ಅಂದರೆ, ಮೀಟರ್ ಸೂಜಿಯು ಶೂನ್ಯ ಸ್ಥಾನಕ್ಕೆ ಹಿಂತಿರುಗುವುದಿಲ್ಲ. ಈ ಸಮಯದಲ್ಲಿ, MOSFET ಉತ್ತಮ ಟ್ಯೂಬ್ ಎಂದು ನಿರ್ಣಯಿಸಬೇಕು.

ಮಲ್ಟಿಮೀಟರ್‌ನ ವ್ಯಾಪ್ತಿಯನ್ನು RX1K ಗೆ ಆಯ್ಕೆಮಾಡಿ, ಮತ್ತು MOSFET ನ ಮೂರು ಪಿನ್‌ಗಳ ನಡುವಿನ ಪ್ರತಿರೋಧವನ್ನು ಅಳೆಯಿರಿ. ಒಂದು ಪಿನ್ ಮತ್ತು ಇನ್ನೆರಡು ಪಿನ್‌ಗಳ ನಡುವಿನ ಪ್ರತಿರೋಧವು ಅಪರಿಮಿತವಾಗಿದ್ದರೆ ಮತ್ತು ಪರೀಕ್ಷಾ ಲೀಡ್‌ಗಳನ್ನು ವಿನಿಮಯ ಮಾಡಿಕೊಂಡ ನಂತರವೂ ಅದು ಅನಂತವಾಗಿದ್ದರೆ, ಈ ಪಿನ್ G ಪೋಲ್ ಆಗಿರುತ್ತದೆ ಮತ್ತು ಇತರ ಎರಡು ಪಿನ್‌ಗಳು S ಪೋಲ್ ಮತ್ತು D ಪೋಲ್ ಆಗಿರುತ್ತವೆ. ನಂತರ ಎಸ್ ಪೋಲ್ ಮತ್ತು ಡಿ ಧ್ರುವದ ನಡುವಿನ ಪ್ರತಿರೋಧ ಮೌಲ್ಯವನ್ನು ಒಮ್ಮೆ ಅಳೆಯಲು ಮಲ್ಟಿಮೀಟರ್ ಅನ್ನು ಬಳಸಿ, ಟೆಸ್ಟ್ ಲೀಡ್‌ಗಳನ್ನು ವಿನಿಮಯ ಮಾಡಿಕೊಳ್ಳಿ ಮತ್ತು ಮತ್ತೆ ಅಳೆಯಿರಿ. ಚಿಕ್ಕ ಪ್ರತಿರೋಧ ಮೌಲ್ಯವು ಕಪ್ಪು ಬಣ್ಣದ್ದಾಗಿದೆ. ಪರೀಕ್ಷಾ ಸೀಸವನ್ನು ಎಸ್ ಪೋಲ್‌ಗೆ ಸಂಪರ್ಕಿಸಲಾಗಿದೆ ಮತ್ತು ಕೆಂಪು ಪರೀಕ್ಷಾ ಸೀಸವನ್ನು ಡಿ ಪೋಲ್‌ಗೆ ಸಂಪರ್ಕಿಸಲಾಗಿದೆ.

 

MOSFET ಪತ್ತೆ ಮತ್ತು ಬಳಕೆಯ ಮುನ್ನೆಚ್ಚರಿಕೆಗಳು

1. MOSFET ಅನ್ನು ಗುರುತಿಸಲು ಪಾಯಿಂಟರ್ ಮಲ್ಟಿಮೀಟರ್ ಅನ್ನು ಬಳಸಿ

1) ಜಂಕ್ಷನ್ MOSFET ನ ವಿದ್ಯುದ್ವಾರಗಳನ್ನು ಗುರುತಿಸಲು ಪ್ರತಿರೋಧ ಮಾಪನ ವಿಧಾನವನ್ನು ಬಳಸಿ

MOSFET ನ PN ಜಂಕ್ಷನ್‌ನ ಫಾರ್ವರ್ಡ್ ಮತ್ತು ರಿವರ್ಸ್ ಪ್ರತಿರೋಧ ಮೌಲ್ಯಗಳು ವಿಭಿನ್ನವಾಗಿವೆ ಎಂಬ ವಿದ್ಯಮಾನದ ಪ್ರಕಾರ, MOSFET ಜಂಕ್ಷನ್‌ನ ಮೂರು ವಿದ್ಯುದ್ವಾರಗಳನ್ನು ಗುರುತಿಸಬಹುದು. ನಿರ್ದಿಷ್ಟ ವಿಧಾನ: ಮಲ್ಟಿಮೀಟರ್ ಅನ್ನು R×1k ಶ್ರೇಣಿಗೆ ಹೊಂದಿಸಿ, ಯಾವುದೇ ಎರಡು ವಿದ್ಯುದ್ವಾರಗಳನ್ನು ಆಯ್ಕೆಮಾಡಿ, ಮತ್ತು ಅವುಗಳ ಮುಂದಕ್ಕೆ ಮತ್ತು ಹಿಮ್ಮುಖ ಪ್ರತಿರೋಧ ಮೌಲ್ಯಗಳನ್ನು ಕ್ರಮವಾಗಿ ಅಳೆಯಿರಿ. ಎರಡು ವಿದ್ಯುದ್ವಾರಗಳ ಫಾರ್ವರ್ಡ್ ಮತ್ತು ರಿವರ್ಸ್ ರೆಸಿಸ್ಟೆನ್ಸ್ ಮೌಲ್ಯಗಳು ಸಮಾನವಾಗಿದ್ದಾಗ ಮತ್ತು ಹಲವಾರು ಸಾವಿರ ಓಮ್‌ಗಳಾಗಿದ್ದರೆ, ಎರಡು ವಿದ್ಯುದ್ವಾರಗಳು ಕ್ರಮವಾಗಿ ಡ್ರೈನ್ ಡಿ ಮತ್ತು ಮೂಲ ಎಸ್ ಆಗಿರುತ್ತವೆ. ಜಂಕ್ಷನ್ MOSFET ಗಳಿಗೆ, ಡ್ರೈನ್ ಮತ್ತು ಮೂಲವು ಪರಸ್ಪರ ಬದಲಾಯಿಸಬಹುದಾದ ಕಾರಣ, ಉಳಿದ ವಿದ್ಯುದ್ವಾರವು ಗೇಟ್ ಜಿ ಆಗಿರಬೇಕು. ನೀವು ಮಲ್ಟಿಮೀಟರ್‌ನ ಕಪ್ಪು ಪರೀಕ್ಷೆಯ ಸೀಸವನ್ನು (ಕೆಂಪು ಪರೀಕ್ಷೆಯ ಸೀಸವನ್ನು ಸಹ ಸ್ವೀಕಾರಾರ್ಹವಾಗಿದೆ) ಯಾವುದೇ ವಿದ್ಯುದ್ವಾರಕ್ಕೆ ಸ್ಪರ್ಶಿಸಬಹುದು ಮತ್ತು ಇತರ ಪರೀಕ್ಷಾ ದಾರಿ ಪ್ರತಿರೋಧ ಮೌಲ್ಯವನ್ನು ಅಳೆಯಲು ಅನುಕ್ರಮದಲ್ಲಿ ಉಳಿದ ಎರಡು ವಿದ್ಯುದ್ವಾರಗಳನ್ನು ಸ್ಪರ್ಶಿಸಿ. ಎರಡು ಬಾರಿ ಅಳತೆ ಮಾಡಲಾದ ಪ್ರತಿರೋಧ ಮೌಲ್ಯಗಳು ಸರಿಸುಮಾರು ಸಮಾನವಾದಾಗ, ಕಪ್ಪು ಪರೀಕ್ಷೆಯ ಸೀಸದೊಂದಿಗೆ ಸಂಪರ್ಕದಲ್ಲಿರುವ ವಿದ್ಯುದ್ವಾರವು ಗೇಟ್ ಆಗಿರುತ್ತದೆ ಮತ್ತು ಇತರ ಎರಡು ವಿದ್ಯುದ್ವಾರಗಳು ಕ್ರಮವಾಗಿ ಡ್ರೈನ್ ಮತ್ತು ಮೂಲವಾಗಿದೆ. ಎರಡು ಬಾರಿ ಅಳೆಯಲಾದ ಪ್ರತಿರೋಧ ಮೌಲ್ಯಗಳು ಎರಡೂ ತುಂಬಾ ದೊಡ್ಡದಾಗಿದ್ದರೆ, ಅದು PN ಜಂಕ್ಷನ್‌ನ ಹಿಮ್ಮುಖ ದಿಕ್ಕು ಎಂದು ಅರ್ಥ, ಅಂದರೆ, ಅವೆರಡೂ ಹಿಮ್ಮುಖ ಪ್ರತಿರೋಧಗಳಾಗಿವೆ. ಇದು ಎನ್-ಚಾನೆಲ್ MOSFET ಎಂದು ನಿರ್ಧರಿಸಬಹುದು, ಮತ್ತು ಕಪ್ಪು ಪರೀಕ್ಷಾ ಸೀಸವನ್ನು ಗೇಟ್‌ಗೆ ಸಂಪರ್ಕಿಸಲಾಗಿದೆ; ಪ್ರತಿರೋಧ ಮೌಲ್ಯಗಳನ್ನು ಎರಡು ಬಾರಿ ಅಳತೆ ಮಾಡಿದರೆ ಪ್ರತಿರೋಧ ಮೌಲ್ಯಗಳು ತುಂಬಾ ಚಿಕ್ಕದಾಗಿದೆ, ಇದು ಫಾರ್ವರ್ಡ್ PN ಜಂಕ್ಷನ್ ಎಂದು ಸೂಚಿಸುತ್ತದೆ, ಅಂದರೆ, ಮುಂದೆ ಪ್ರತಿರೋಧ, ಮತ್ತು ಇದು P-ಚಾನೆಲ್ MOSFET ಎಂದು ನಿರ್ಧರಿಸಲಾಗುತ್ತದೆ. ಕಪ್ಪು ಪರೀಕ್ಷಾ ಸೀಸವನ್ನು ಸಹ ಗೇಟ್‌ಗೆ ಸಂಪರ್ಕಿಸಲಾಗಿದೆ. ಮೇಲಿನ ಪರಿಸ್ಥಿತಿಯು ಸಂಭವಿಸದಿದ್ದರೆ, ನೀವು ಕಪ್ಪು ಮತ್ತು ಕೆಂಪು ಪರೀಕ್ಷಾ ಲೀಡ್‌ಗಳನ್ನು ಬದಲಾಯಿಸಬಹುದು ಮತ್ತು ಗ್ರಿಡ್ ಅನ್ನು ಗುರುತಿಸುವವರೆಗೆ ಮೇಲಿನ ವಿಧಾನದ ಪ್ರಕಾರ ಪರೀಕ್ಷೆಯನ್ನು ನಡೆಸಬಹುದು.

 

2) MOSFET ನ ಗುಣಮಟ್ಟವನ್ನು ನಿರ್ಧರಿಸಲು ಪ್ರತಿರೋಧ ಮಾಪನ ವಿಧಾನವನ್ನು ಬಳಸಿ

MOSFET ನ ಮೂಲ ಮತ್ತು ಡ್ರೈನ್, ಗೇಟ್ ಮತ್ತು ಮೂಲ, ಗೇಟ್ ಮತ್ತು ಡ್ರೈನ್, ಗೇಟ್ G1 ಮತ್ತು ಗೇಟ್ G2 ನಡುವಿನ ಪ್ರತಿರೋಧವನ್ನು ಅಳೆಯಲು ಮಲ್ಟಿಮೀಟರ್ ಅನ್ನು ಬಳಸುವುದು ಪ್ರತಿರೋಧ ಮಾಪನ ವಿಧಾನವಾಗಿದೆ, ಇದು MOSFET ಕೈಪಿಡಿಯಲ್ಲಿ ಸೂಚಿಸಲಾದ ಪ್ರತಿರೋಧ ಮೌಲ್ಯಕ್ಕೆ ಹೊಂದಿಕೆಯಾಗುತ್ತದೆಯೇ ಎಂದು ನಿರ್ಧರಿಸುತ್ತದೆ. ನಿರ್ವಹಣೆ ಒಳ್ಳೆಯದು ಅಥವಾ ಕೆಟ್ಟದು. ನಿರ್ದಿಷ್ಟ ವಿಧಾನ: ಮೊದಲಿಗೆ, ಮಲ್ಟಿಮೀಟರ್ ಅನ್ನು R×10 ಅಥವಾ R×100 ಶ್ರೇಣಿಗೆ ಹೊಂದಿಸಿ ಮತ್ತು ಮೂಲ S ಮತ್ತು ಡ್ರೈನ್ D ನಡುವಿನ ಪ್ರತಿರೋಧವನ್ನು ಅಳೆಯಿರಿ, ಸಾಮಾನ್ಯವಾಗಿ ಹತ್ತಾರು ಓಮ್‌ಗಳಿಂದ ಹಲವಾರು ಸಾವಿರ ಓಮ್‌ಗಳ ವ್ಯಾಪ್ತಿಯಲ್ಲಿ (ಇದನ್ನು ಕಾಣಬಹುದು ವಿವಿಧ ಮಾದರಿಗಳ ಟ್ಯೂಬ್‌ಗಳು, ಅವುಗಳ ಪ್ರತಿರೋಧ ಮೌಲ್ಯಗಳು ವಿಭಿನ್ನವಾಗಿವೆ ಎಂಬ ಕೈಪಿಡಿ), ಅಳತೆ ಮಾಡಲಾದ ಪ್ರತಿರೋಧ ಮೌಲ್ಯವು ಸಾಮಾನ್ಯ ಮೌಲ್ಯಕ್ಕಿಂತ ಹೆಚ್ಚಿದ್ದರೆ, ಅದು ಕಳಪೆ ಆಂತರಿಕ ಸಂಪರ್ಕದ ಕಾರಣದಿಂದಾಗಿರಬಹುದು; ಅಳತೆ ಮಾಡಲಾದ ಪ್ರತಿರೋಧ ಮೌಲ್ಯವು ಅನಂತವಾಗಿದ್ದರೆ, ಅದು ಆಂತರಿಕ ಮುರಿದ ಧ್ರುವವಾಗಿರಬಹುದು. ನಂತರ ಮಲ್ಟಿಮೀಟರ್ ಅನ್ನು R×10k ಶ್ರೇಣಿಗೆ ಹೊಂದಿಸಿ, ತದನಂತರ G1 ಮತ್ತು G2 ಗೇಟ್‌ಗಳ ನಡುವೆ, ಗೇಟ್ ಮತ್ತು ಮೂಲದ ನಡುವೆ ಮತ್ತು ಗೇಟ್ ಮತ್ತು ಡ್ರೈನ್ ನಡುವೆ ಪ್ರತಿರೋಧ ಮೌಲ್ಯಗಳನ್ನು ಅಳೆಯಿರಿ. ಅಳತೆ ಮಾಡಲಾದ ಪ್ರತಿರೋಧ ಮೌಲ್ಯಗಳು ಎಲ್ಲಾ ಅನಂತವಾದಾಗ, ಟ್ಯೂಬ್ ಸಾಮಾನ್ಯವಾಗಿದೆ ಎಂದರ್ಥ; ಮೇಲಿನ ಪ್ರತಿರೋಧ ಮೌಲ್ಯಗಳು ತುಂಬಾ ಚಿಕ್ಕದಾಗಿದ್ದರೆ ಅಥವಾ ಮಾರ್ಗವಿದ್ದರೆ, ಟ್ಯೂಬ್ ಕೆಟ್ಟದಾಗಿದೆ ಎಂದು ಅರ್ಥ. ಟ್ಯೂಬ್‌ನಲ್ಲಿ ಎರಡು ಗೇಟ್‌ಗಳನ್ನು ಮುರಿದರೆ, ಪತ್ತೆಗಾಗಿ ಘಟಕ ಪರ್ಯಾಯ ವಿಧಾನವನ್ನು ಬಳಸಬಹುದು ಎಂದು ಗಮನಿಸಬೇಕು.

 

3) MOSFET ನ ವರ್ಧನೆಯ ಸಾಮರ್ಥ್ಯವನ್ನು ಅಂದಾಜು ಮಾಡಲು ಇಂಡಕ್ಷನ್ ಸಿಗ್ನಲ್ ಇನ್‌ಪುಟ್ ವಿಧಾನವನ್ನು ಬಳಸಿ

ನಿರ್ದಿಷ್ಟ ವಿಧಾನ: ಮಲ್ಟಿಮೀಟರ್ ಪ್ರತಿರೋಧದ R×100 ಮಟ್ಟವನ್ನು ಬಳಸಿ, ಕೆಂಪು ಪರೀಕ್ಷಾ ಲೀಡ್ ಅನ್ನು ಮೂಲ S ಗೆ ಮತ್ತು ಕಪ್ಪು ಪರೀಕ್ಷೆಯ ದಾರಿಯನ್ನು ಡ್ರೈನ್ D ಗೆ ಸಂಪರ್ಕಿಸಿ. MOSFET ಗೆ 1.5V ವಿದ್ಯುತ್ ಸರಬರಾಜು ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಅನ್ನು ಸೇರಿಸಿ. ಈ ಸಮಯದಲ್ಲಿ, ಡ್ರೈನ್ ಮತ್ತು ಮೂಲದ ನಡುವಿನ ಪ್ರತಿರೋಧ ಮೌಲ್ಯವನ್ನು ಮೀಟರ್ ಸೂಜಿಯಿಂದ ಸೂಚಿಸಲಾಗುತ್ತದೆ. ನಂತರ ನಿಮ್ಮ ಕೈಯಿಂದ ಜಂಕ್ಷನ್ MOSFET ನ ಗೇಟ್ G ಅನ್ನು ಪಿಂಚ್ ಮಾಡಿ ಮತ್ತು ಮಾನವ ದೇಹದ ಪ್ರೇರಿತ ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಸಿಗ್ನಲ್ ಅನ್ನು ಗೇಟ್‌ಗೆ ಸೇರಿಸಿ. ಈ ರೀತಿಯಾಗಿ, ಟ್ಯೂಬ್ನ ವರ್ಧನೆಯ ಪರಿಣಾಮದಿಂದಾಗಿ, ಡ್ರೈನ್-ಸೋರ್ಸ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ VDS ಮತ್ತು ಡ್ರೈನ್ ಕರೆಂಟ್ Ib ಬದಲಾಗುತ್ತದೆ, ಅಂದರೆ, ಡ್ರೈನ್ ಮತ್ತು ಮೂಲದ ನಡುವಿನ ಪ್ರತಿರೋಧವು ಬದಲಾಗುತ್ತದೆ. ಇದರಿಂದ ಮೀಟರ್ ಸೂಜಿ ಹೆಚ್ಚಿನ ಪ್ರಮಾಣದಲ್ಲಿ ಸ್ವಿಂಗ್ ಆಗುವುದನ್ನು ಗಮನಿಸಬಹುದು. ಕೈಯಲ್ಲಿ ಹಿಡಿಯುವ ಗ್ರಿಡ್ ಸೂಜಿಯ ಸೂಜಿ ಸ್ವಲ್ಪ ಸ್ವಿಂಗ್ ಆಗಿದ್ದರೆ, ಟ್ಯೂಬ್ನ ವರ್ಧನೆಯ ಸಾಮರ್ಥ್ಯವು ಕಳಪೆಯಾಗಿದೆ ಎಂದು ಅರ್ಥ; ಸೂಜಿ ಹೆಚ್ಚು ಸ್ವಿಂಗ್ ಆಗಿದ್ದರೆ, ಟ್ಯೂಬ್ನ ವರ್ಧನೆಯ ಸಾಮರ್ಥ್ಯವು ದೊಡ್ಡದಾಗಿದೆ ಎಂದರ್ಥ; ಸೂಜಿ ಚಲಿಸದಿದ್ದರೆ, ಟ್ಯೂಬ್ ಕೆಟ್ಟದಾಗಿದೆ ಎಂದು ಅರ್ಥ.

 

ಮೇಲಿನ ವಿಧಾನದ ಪ್ರಕಾರ, ನಾವು ಜಂಕ್ಷನ್ MOSFET 3DJ2F ಅನ್ನು ಅಳೆಯಲು ಮಲ್ಟಿಮೀಟರ್ನ R×100 ಸ್ಕೇಲ್ ಅನ್ನು ಬಳಸುತ್ತೇವೆ. ಮೊದಲು ಟ್ಯೂಬ್ನ G ವಿದ್ಯುದ್ವಾರವನ್ನು ತೆರೆಯಿರಿ ಮತ್ತು ಡ್ರೈನ್-ಸೋರ್ಸ್ ಪ್ರತಿರೋಧ RDS ಅನ್ನು 600Ω ಎಂದು ಅಳೆಯಿರಿ. ನಿಮ್ಮ ಕೈಯಿಂದ G ವಿದ್ಯುದ್ವಾರವನ್ನು ಹಿಡಿದ ನಂತರ, ಮೀಟರ್ ಸೂಜಿ ಎಡಕ್ಕೆ ಸ್ವಿಂಗ್ ಆಗುತ್ತದೆ. ಸೂಚಿಸಲಾದ ಪ್ರತಿರೋಧ RDS 12kΩ ಆಗಿದೆ. ಮೀಟರ್ ಸೂಜಿ ದೊಡ್ಡದಾಗಿ ಸ್ವಿಂಗ್ ಆಗಿದ್ದರೆ, ಟ್ಯೂಬ್ ಚೆನ್ನಾಗಿದೆ ಎಂದರ್ಥ. , ಮತ್ತು ಹೆಚ್ಚಿನ ವರ್ಧನೆಯ ಸಾಮರ್ಥ್ಯವನ್ನು ಹೊಂದಿದೆ.

 

ಈ ವಿಧಾನವನ್ನು ಬಳಸುವಾಗ ಗಮನಿಸಬೇಕಾದ ಕೆಲವು ಅಂಶಗಳಿವೆ: ಮೊದಲನೆಯದಾಗಿ, MOSFET ಅನ್ನು ಪರೀಕ್ಷಿಸುವಾಗ ಮತ್ತು ನಿಮ್ಮ ಕೈಯಿಂದ ಗೇಟ್ ಅನ್ನು ಹಿಡಿದಿಟ್ಟುಕೊಳ್ಳುವಾಗ, ಮಲ್ಟಿಮೀಟರ್ ಸೂಜಿ ಬಲಕ್ಕೆ (ಪ್ರತಿರೋಧ ಮೌಲ್ಯವು ಕಡಿಮೆಯಾಗುತ್ತದೆ) ಅಥವಾ ಎಡಕ್ಕೆ (ಪ್ರತಿರೋಧ ಮೌಲ್ಯವು ಹೆಚ್ಚಾಗುತ್ತದೆ) . ಇದು ಮಾನವ ದೇಹದಿಂದ ಪ್ರೇರಿತವಾದ AC ವೋಲ್ಟೇಜ್ ತುಲನಾತ್ಮಕವಾಗಿ ಹೆಚ್ಚಾಗಿರುತ್ತದೆ ಮತ್ತು ಪ್ರತಿರೋಧದ ಶ್ರೇಣಿಯೊಂದಿಗೆ ಅಳತೆ ಮಾಡುವಾಗ ವಿಭಿನ್ನ MOSFET ಗಳು ವಿಭಿನ್ನ ಕಾರ್ಯ ಬಿಂದುಗಳನ್ನು ಹೊಂದಿರಬಹುದು (ಸ್ಯಾಚುರೇಟೆಡ್ ವಲಯ ಅಥವಾ ಅಪರ್ಯಾಪ್ತ ವಲಯದಲ್ಲಿ ಕಾರ್ಯನಿರ್ವಹಿಸುತ್ತವೆ). ಹೆಚ್ಚಿನ ಟ್ಯೂಬ್‌ಗಳ RDS ಹೆಚ್ಚಾಗುತ್ತದೆ ಎಂದು ಪರೀಕ್ಷೆಗಳು ತೋರಿಸಿವೆ. ಅಂದರೆ, ಗಡಿಯಾರದ ಕೈ ಎಡಕ್ಕೆ ಸ್ವಿಂಗ್ ಆಗುತ್ತದೆ; ಕೆಲವು ಟ್ಯೂಬ್‌ಗಳ RDS ಕಡಿಮೆಯಾಗುತ್ತದೆ, ಇದರಿಂದಾಗಿ ವಾಚ್ ಕೈ ಬಲಕ್ಕೆ ತಿರುಗುತ್ತದೆ.

ಆದರೆ ಗಡಿಯಾರದ ಕೈ ಯಾವ ದಿಕ್ಕಿನಲ್ಲಿ ಸ್ವಿಂಗ್ ಆಗಿದ್ದರೂ, ಗಡಿಯಾರದ ಕೈ ದೊಡ್ಡದಾಗಿ ಸ್ವಿಂಗ್ ಆಗುವವರೆಗೆ, ಟ್ಯೂಬ್ ಹೆಚ್ಚಿನ ವರ್ಧನೆಯ ಸಾಮರ್ಥ್ಯವನ್ನು ಹೊಂದಿದೆ ಎಂದು ಅರ್ಥ. ಎರಡನೆಯದಾಗಿ, ಈ ವಿಧಾನವು MOSFET ಗಳಿಗೆ ಸಹ ಕಾರ್ಯನಿರ್ವಹಿಸುತ್ತದೆ. ಆದರೆ MOSFET ನ ಇನ್ಪುಟ್ ಪ್ರತಿರೋಧವು ಹೆಚ್ಚಾಗಿರುತ್ತದೆ ಮತ್ತು ಗೇಟ್ G ಯ ಅನುಮತಿಸಲಾದ ಪ್ರೇರಿತ ವೋಲ್ಟೇಜ್ ತುಂಬಾ ಹೆಚ್ಚಿರಬಾರದು ಎಂದು ಗಮನಿಸಬೇಕು, ಆದ್ದರಿಂದ ನಿಮ್ಮ ಕೈಗಳಿಂದ ನೇರವಾಗಿ ಗೇಟ್ ಅನ್ನು ಹಿಸುಕು ಹಾಕಬೇಡಿ. ಲೋಹದ ರಾಡ್ನೊಂದಿಗೆ ಗೇಟ್ ಅನ್ನು ಸ್ಪರ್ಶಿಸಲು ನೀವು ಸ್ಕ್ರೂಡ್ರೈವರ್ನ ಇನ್ಸುಲೇಟೆಡ್ ಹ್ಯಾಂಡಲ್ ಅನ್ನು ಬಳಸಬೇಕು. , ಮಾನವ ದೇಹದಿಂದ ಪ್ರೇರಿತವಾದ ಚಾರ್ಜ್ ಅನ್ನು ನೇರವಾಗಿ ಗೇಟ್‌ಗೆ ಸೇರಿಸುವುದನ್ನು ತಡೆಯಲು, ಗೇಟ್ ಸ್ಥಗಿತಕ್ಕೆ ಕಾರಣವಾಗುತ್ತದೆ. ಮೂರನೆಯದಾಗಿ, ಪ್ರತಿ ಅಳತೆಯ ನಂತರ, GS ಧ್ರುವಗಳು ಶಾರ್ಟ್-ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ ಆಗಿರಬೇಕು. ಏಕೆಂದರೆ GS ಜಂಕ್ಷನ್ ಕೆಪಾಸಿಟರ್‌ನಲ್ಲಿ ಸಣ್ಣ ಪ್ರಮಾಣದ ಚಾರ್ಜ್ ಇರುತ್ತದೆ, ಇದು VGS ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಅನ್ನು ನಿರ್ಮಿಸುತ್ತದೆ. ಪರಿಣಾಮವಾಗಿ, ಮತ್ತೆ ಅಳತೆ ಮಾಡುವಾಗ ಮೀಟರ್ನ ಕೈಗಳು ಚಲಿಸದಿರಬಹುದು. ಜಿಎಸ್ ವಿದ್ಯುದ್ವಾರಗಳ ನಡುವಿನ ಚಾರ್ಜ್ ಅನ್ನು ಶಾರ್ಟ್-ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ ಮಾಡುವುದು ಚಾರ್ಜ್ ಅನ್ನು ಹೊರಹಾಕುವ ಏಕೈಕ ಮಾರ್ಗವಾಗಿದೆ.

4) ಗುರುತಿಸದ MOSFET ಗಳನ್ನು ಗುರುತಿಸಲು ಪ್ರತಿರೋಧ ಮಾಪನ ವಿಧಾನವನ್ನು ಬಳಸಿ

ಮೊದಲನೆಯದಾಗಿ, ಪ್ರತಿರೋಧ ಮೌಲ್ಯಗಳೊಂದಿಗೆ ಎರಡು ಪಿನ್‌ಗಳನ್ನು ಕಂಡುಹಿಡಿಯಲು ಪ್ರತಿರೋಧವನ್ನು ಅಳೆಯುವ ವಿಧಾನವನ್ನು ಬಳಸಿ, ಅವುಗಳೆಂದರೆ ಮೂಲ S ಮತ್ತು ಡ್ರೈನ್ D. ಉಳಿದ ಎರಡು ಪಿನ್‌ಗಳು ಮೊದಲ ಗೇಟ್ G1 ಮತ್ತು ಎರಡನೇ ಗೇಟ್ G2. ಮೂಲ S ಮತ್ತು ಡ್ರೈನ್ D ನಡುವಿನ ಪ್ರತಿರೋಧ ಮೌಲ್ಯವನ್ನು ಮೊದಲು ಎರಡು ಪರೀಕ್ಷಾ ಲೀಡ್‌ಗಳೊಂದಿಗೆ ಅಳತೆ ಮಾಡಿ. ಪರೀಕ್ಷಾ ಲೀಡ್ಗಳನ್ನು ಬದಲಾಯಿಸಿ ಮತ್ತು ಮತ್ತೆ ಅಳತೆ ಮಾಡಿ. ಅಳತೆ ಮಾಡಲಾದ ಪ್ರತಿರೋಧ ಮೌಲ್ಯವನ್ನು ಬರೆಯಿರಿ. ಎರಡು ಬಾರಿ ಅಳತೆ ಮಾಡಿದ ದೊಡ್ಡ ಪ್ರತಿರೋಧ ಮೌಲ್ಯವು ಕಪ್ಪು ಪರೀಕ್ಷೆಯ ಸೀಸವಾಗಿದೆ. ಸಂಪರ್ಕಿತ ವಿದ್ಯುದ್ವಾರವು ಡ್ರೈನ್ ಡಿ ಆಗಿದೆ; ಕೆಂಪು ಪರೀಕ್ಷಾ ಸೀಸವನ್ನು S ಮೂಲಕ್ಕೆ ಸಂಪರ್ಕಿಸಲಾಗಿದೆ. ಈ ವಿಧಾನದಿಂದ ಗುರುತಿಸಲಾದ S ಮತ್ತು D ಧ್ರುವಗಳನ್ನು ಟ್ಯೂಬ್‌ನ ವರ್ಧನೆಯ ಸಾಮರ್ಥ್ಯವನ್ನು ಅಂದಾಜು ಮಾಡುವ ಮೂಲಕ ಪರಿಶೀಲಿಸಬಹುದು. ಅಂದರೆ, ದೊಡ್ಡ ವರ್ಧನೆಯ ಸಾಮರ್ಥ್ಯವನ್ನು ಹೊಂದಿರುವ ಕಪ್ಪು ಪರೀಕ್ಷೆಯ ಸೀಸವನ್ನು D ಧ್ರುವಕ್ಕೆ ಸಂಪರ್ಕಿಸಲಾಗಿದೆ; ಕೆಂಪು ಪರೀಕ್ಷೆಯ ಸೀಸವನ್ನು ನೆಲಕ್ಕೆ 8-ಧ್ರುವಕ್ಕೆ ಸಂಪರ್ಕಿಸಲಾಗಿದೆ. ಎರಡೂ ವಿಧಾನಗಳ ಪರೀಕ್ಷಾ ಫಲಿತಾಂಶಗಳು ಒಂದೇ ಆಗಿರಬೇಕು. ಡ್ರೈನ್ D ಮತ್ತು ಮೂಲ S ನ ಸ್ಥಾನಗಳನ್ನು ನಿರ್ಧರಿಸಿದ ನಂತರ, D ಮತ್ತು S ನ ಅನುಗುಣವಾದ ಸ್ಥಾನಗಳ ಪ್ರಕಾರ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ ಅನ್ನು ಸ್ಥಾಪಿಸಿ. ಸಾಮಾನ್ಯವಾಗಿ, G1 ಮತ್ತು G2 ಸಹ ಅನುಕ್ರಮದಲ್ಲಿ ಜೋಡಿಸಲಾಗುತ್ತದೆ. ಇದು G1 ಮತ್ತು G2 ಎಂಬ ಎರಡು ಗೇಟ್‌ಗಳ ಸ್ಥಾನಗಳನ್ನು ನಿರ್ಧರಿಸುತ್ತದೆ. ಇದು D, S, G1 ಮತ್ತು G2 ಪಿನ್‌ಗಳ ಕ್ರಮವನ್ನು ನಿರ್ಧರಿಸುತ್ತದೆ.

5) ಟ್ರಾನ್ಸ್‌ಕಂಡಕ್ಟನ್ಸ್ ಗಾತ್ರವನ್ನು ನಿರ್ಧರಿಸಲು ಹಿಮ್ಮುಖ ಪ್ರತಿರೋಧ ಮೌಲ್ಯದಲ್ಲಿನ ಬದಲಾವಣೆಯನ್ನು ಬಳಸಿ

VMOSN ಚಾನೆಲ್ ವರ್ಧನೆಯ MOSFET ನ ಟ್ರಾನ್ಸ್‌ಕಂಡಕ್ಟನ್ಸ್ ಕಾರ್ಯಕ್ಷಮತೆಯನ್ನು ಅಳೆಯುವಾಗ, ಮೂಲ S ಅನ್ನು ಸಂಪರ್ಕಿಸಲು ನೀವು ಕೆಂಪು ಪರೀಕ್ಷಾ ಲೀಡ್ ಅನ್ನು ಬಳಸಬಹುದು ಮತ್ತು ಡ್ರೈನ್ D ಗೆ ಕಪ್ಪು ಪರೀಕ್ಷಾ ಲೀಡ್ ಅನ್ನು ಬಳಸಬಹುದು. ಇದು ಮೂಲ ಮತ್ತು ಡ್ರೈನ್ ನಡುವೆ ರಿವರ್ಸ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಅನ್ನು ಸೇರಿಸುವುದಕ್ಕೆ ಸಮನಾಗಿರುತ್ತದೆ. ಈ ಸಮಯದಲ್ಲಿ, ಗೇಟ್ ತೆರೆದ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ ಆಗಿದೆ, ಮತ್ತು ಟ್ಯೂಬ್ನ ಹಿಮ್ಮುಖ ಪ್ರತಿರೋಧ ಮೌಲ್ಯವು ತುಂಬಾ ಅಸ್ಥಿರವಾಗಿರುತ್ತದೆ. ಮಲ್ಟಿಮೀಟರ್‌ನ ಓಮ್ ಶ್ರೇಣಿಯನ್ನು R×10kΩ ನ ಹೆಚ್ಚಿನ ಪ್ರತಿರೋಧದ ಶ್ರೇಣಿಗೆ ಆಯ್ಕೆಮಾಡಿ. ಈ ಸಮಯದಲ್ಲಿ, ಮೀಟರ್ನಲ್ಲಿ ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಹೆಚ್ಚಾಗಿರುತ್ತದೆ. ನಿಮ್ಮ ಕೈಯಿಂದ ಗ್ರಿಡ್ ಜಿ ಅನ್ನು ನೀವು ಸ್ಪರ್ಶಿಸಿದಾಗ, ಟ್ಯೂಬ್ನ ಹಿಮ್ಮುಖ ಪ್ರತಿರೋಧ ಮೌಲ್ಯವು ಗಮನಾರ್ಹವಾಗಿ ಬದಲಾಗುತ್ತದೆ ಎಂದು ನೀವು ಕಂಡುಕೊಳ್ಳುತ್ತೀರಿ. ಹೆಚ್ಚಿನ ಬದಲಾವಣೆಯು, ಟ್ಯೂಬ್ನ ಟ್ರಾನ್ಸ್ಕಂಡಕ್ಟನ್ಸ್ ಮೌಲ್ಯವನ್ನು ಹೆಚ್ಚಿಸುತ್ತದೆ; ಪರೀಕ್ಷೆಯ ಅಡಿಯಲ್ಲಿ ಟ್ಯೂಬ್‌ನ ಟ್ರಾನ್ಸ್‌ಕಂಡಕ್ಟನ್ಸ್ ತುಂಬಾ ಚಿಕ್ಕದಾಗಿದ್ದರೆ, ರಿವರ್ಸ್ ರೆಸಿಸ್ಟೆನ್ಸ್ ಸ್ವಲ್ಪ ಬದಲಾಗಿದಾಗ ಅಳೆಯಲು ಈ ವಿಧಾನವನ್ನು ಬಳಸಿ.

 

MOSFET ಅನ್ನು ಬಳಸುವ ಮುನ್ನೆಚ್ಚರಿಕೆಗಳು

1) MOSFET ಅನ್ನು ಸುರಕ್ಷಿತವಾಗಿ ಬಳಸಲು, ಟ್ಯೂಬ್‌ನ ಕರಗಿದ ಶಕ್ತಿ, ಗರಿಷ್ಠ ಡ್ರೈನ್-ಸೋರ್ಸ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್, ಗರಿಷ್ಠ ಗೇಟ್-ಸೋರ್ಸ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಮತ್ತು ಗರಿಷ್ಠ ಪ್ರವಾಹದಂತಹ ನಿಯತಾಂಕಗಳ ಮಿತಿ ಮೌಲ್ಯಗಳನ್ನು ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ ವಿನ್ಯಾಸದಲ್ಲಿ ಮೀರುವಂತಿಲ್ಲ.

2) ವಿವಿಧ ರೀತಿಯ MOSFET ಗಳನ್ನು ಬಳಸುವಾಗ, ಅಗತ್ಯವಿರುವ ಪಕ್ಷಪಾತದೊಂದಿಗೆ ಕಟ್ಟುನಿಟ್ಟಾದ ಅನುಸಾರವಾಗಿ ಅವುಗಳನ್ನು ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್‌ಗೆ ಸಂಪರ್ಕಿಸಬೇಕು ಮತ್ತು MOSFET ಪಕ್ಷಪಾತದ ಧ್ರುವೀಯತೆಯನ್ನು ಗಮನಿಸಬೇಕು. ಉದಾಹರಣೆಗೆ, MOSFET ಜಂಕ್ಷನ್‌ನ ಗೇಟ್ ಮೂಲ ಮತ್ತು ಡ್ರೈನ್ ನಡುವೆ PN ಜಂಕ್ಷನ್ ಇದೆ, ಮತ್ತು N-ಚಾನೆಲ್ ಟ್ಯೂಬ್‌ನ ಗೇಟ್ ಧನಾತ್ಮಕವಾಗಿ ಪಕ್ಷಪಾತ ಮಾಡಲಾಗುವುದಿಲ್ಲ; P-ಚಾನೆಲ್ ಟ್ಯೂಬ್ನ ಗೇಟ್ ಋಣಾತ್ಮಕವಾಗಿ ಪಕ್ಷಪಾತ ಮಾಡಲಾಗುವುದಿಲ್ಲ, ಇತ್ಯಾದಿ.

3) MOSFET ನ ಇನ್‌ಪುಟ್ ಪ್ರತಿರೋಧವು ತುಂಬಾ ಹೆಚ್ಚಿರುವುದರಿಂದ, ಪಿನ್‌ಗಳು ಸಾರಿಗೆ ಮತ್ತು ಶೇಖರಣೆಯ ಸಮಯದಲ್ಲಿ ಶಾರ್ಟ್-ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ ಆಗಿರಬೇಕು ಮತ್ತು ಗೇಟ್‌ನ ಸ್ಥಗಿತದಿಂದ ಬಾಹ್ಯ ಪ್ರೇರಿತ ಸಂಭಾವ್ಯತೆಯನ್ನು ತಡೆಯಲು ಲೋಹದ ರಕ್ಷಾಕವಚದೊಂದಿಗೆ ಪ್ಯಾಕ್ ಮಾಡಬೇಕು. ನಿರ್ದಿಷ್ಟವಾಗಿ, MOSFET ಅನ್ನು ಪ್ಲಾಸ್ಟಿಕ್ ಪೆಟ್ಟಿಗೆಯಲ್ಲಿ ಇರಿಸಲಾಗುವುದಿಲ್ಲ ಎಂಬುದನ್ನು ದಯವಿಟ್ಟು ಗಮನಿಸಿ. ಲೋಹದ ಪೆಟ್ಟಿಗೆಯಲ್ಲಿ ಶೇಖರಿಸಿಡುವುದು ಉತ್ತಮ. ಅದೇ ಸಮಯದಲ್ಲಿ, ಟ್ಯೂಬ್ ತೇವಾಂಶ-ನಿರೋಧಕವನ್ನು ಇರಿಸಿಕೊಳ್ಳಲು ಗಮನ ಕೊಡಿ.

4) MOSFET ಗೇಟ್ ಇಂಡಕ್ಟಿವ್ ಸ್ಥಗಿತವನ್ನು ತಡೆಗಟ್ಟಲು, ಎಲ್ಲಾ ಪರೀಕ್ಷಾ ಉಪಕರಣಗಳು, ವರ್ಕ್‌ಬೆಂಚ್‌ಗಳು, ಬೆಸುಗೆ ಹಾಕುವ ಕಬ್ಬಿಣಗಳು ಮತ್ತು ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್‌ಗಳು ಸ್ವತಃ ಚೆನ್ನಾಗಿ ನೆಲಸಬೇಕು; ಪಿನ್‌ಗಳನ್ನು ಬೆಸುಗೆ ಹಾಕುವಾಗ, ಮೊದಲು ಮೂಲವನ್ನು ಬೆಸುಗೆ ಹಾಕಿ; ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ಗೆ ಸಂಪರ್ಕಿಸುವ ಮೊದಲು, ಟ್ಯೂಬ್ ಎಲ್ಲಾ ಸೀಸದ ತುದಿಗಳು ಪರಸ್ಪರ ಶಾರ್ಟ್-ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ ಆಗಿರಬೇಕು ಮತ್ತು ವೆಲ್ಡಿಂಗ್ ಪೂರ್ಣಗೊಂಡ ನಂತರ ಶಾರ್ಟ್-ಸರ್ಕ್ಯೂಟಿಂಗ್ ವಸ್ತುಗಳನ್ನು ತೆಗೆದುಹಾಕಬೇಕು; ಕಾಂಪೊನೆಂಟ್ ರಾಕ್‌ನಿಂದ ಟ್ಯೂಬ್ ಅನ್ನು ತೆಗೆದುಹಾಕುವಾಗ, ಗ್ರೌಂಡಿಂಗ್ ರಿಂಗ್ ಅನ್ನು ಬಳಸುವಂತಹ ಮಾನವ ದೇಹವು ನೆಲಸಮವಾಗಿದೆಯೆ ಎಂದು ಖಚಿತಪಡಿಸಿಕೊಳ್ಳಲು ಸೂಕ್ತವಾದ ವಿಧಾನಗಳನ್ನು ಬಳಸಬೇಕು; ಸಹಜವಾಗಿ, ಮುಂದುವರಿದರೆ ಅನಿಲ-ಬಿಸಿ ಬೆಸುಗೆ ಹಾಕುವ ಕಬ್ಬಿಣವು MOSFET ಗಳನ್ನು ಬೆಸುಗೆ ಹಾಕಲು ಹೆಚ್ಚು ಅನುಕೂಲಕರವಾಗಿದೆ ಮತ್ತು ಸುರಕ್ಷತೆಯನ್ನು ಖಾತ್ರಿಗೊಳಿಸುತ್ತದೆ; ವಿದ್ಯುತ್ ಅನ್ನು ಆಫ್ ಮಾಡುವ ಮೊದಲು ಟ್ಯೂಬ್ ಅನ್ನು ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್‌ಗೆ ಸೇರಿಸಬಾರದು ಅಥವಾ ಹೊರತೆಗೆಯಬಾರದು. MOSFET ಅನ್ನು ಬಳಸುವಾಗ ಮೇಲಿನ ಸುರಕ್ಷತಾ ಕ್ರಮಗಳಿಗೆ ಗಮನ ಕೊಡಬೇಕು.

5) MOSFET ಅನ್ನು ಸ್ಥಾಪಿಸುವಾಗ, ಅನುಸ್ಥಾಪನಾ ಸ್ಥಾನಕ್ಕೆ ಗಮನ ಕೊಡಿ ಮತ್ತು ತಾಪನ ಅಂಶಕ್ಕೆ ಹತ್ತಿರವಾಗುವುದನ್ನು ತಪ್ಪಿಸಲು ಪ್ರಯತ್ನಿಸಿ; ಪೈಪ್ ಫಿಟ್ಟಿಂಗ್ಗಳ ಕಂಪನವನ್ನು ತಡೆಗಟ್ಟುವ ಸಲುವಾಗಿ, ಟ್ಯೂಬ್ ಶೆಲ್ ಅನ್ನು ಬಿಗಿಗೊಳಿಸುವುದು ಅವಶ್ಯಕ; ಪಿನ್ ಲೀಡ್‌ಗಳು ಬಾಗಿದಾಗ, ಪಿನ್‌ಗಳನ್ನು ಬಗ್ಗಿಸುವುದು ಮತ್ತು ಗಾಳಿಯ ಸೋರಿಕೆಯನ್ನು ಉಂಟುಮಾಡುವುದನ್ನು ತಪ್ಪಿಸುವುದನ್ನು ಖಚಿತಪಡಿಸಿಕೊಳ್ಳಲು ಅವು ಮೂಲ ಗಾತ್ರಕ್ಕಿಂತ 5 ಮಿಮೀ ದೊಡ್ಡದಾಗಿರಬೇಕು.

ವಿದ್ಯುತ್ MOSFET ಗಳಿಗೆ, ಉತ್ತಮ ಶಾಖ ಪ್ರಸರಣ ಪರಿಸ್ಥಿತಿಗಳು ಅಗತ್ಯವಿದೆ. ವಿದ್ಯುತ್ MOSFET ಗಳನ್ನು ಹೆಚ್ಚಿನ ಲೋಡ್ ಪರಿಸ್ಥಿತಿಗಳಲ್ಲಿ ಬಳಸುವುದರಿಂದ, ಸಾಕಷ್ಟು ಶಾಖ ಸಿಂಕ್‌ಗಳನ್ನು ವಿನ್ಯಾಸಗೊಳಿಸಬೇಕು, ಕೇಸ್ ತಾಪಮಾನವು ರೇಟ್ ಮಾಡಲಾದ ಮೌಲ್ಯವನ್ನು ಮೀರುವುದಿಲ್ಲ ಎಂದು ಖಚಿತಪಡಿಸಿಕೊಳ್ಳಲು ಸಾಧನವು ದೀರ್ಘಕಾಲದವರೆಗೆ ಸ್ಥಿರವಾಗಿ ಮತ್ತು ವಿಶ್ವಾಸಾರ್ಹವಾಗಿ ಕಾರ್ಯನಿರ್ವಹಿಸುತ್ತದೆ.

ಸಂಕ್ಷಿಪ್ತವಾಗಿ ಹೇಳುವುದಾದರೆ, MOSFET ಗಳ ಸುರಕ್ಷಿತ ಬಳಕೆಯನ್ನು ಖಚಿತಪಡಿಸಿಕೊಳ್ಳಲು, ಗಮನ ಕೊಡಬೇಕಾದ ಹಲವು ವಿಷಯಗಳಿವೆ ಮತ್ತು ಹಲವಾರು ಸುರಕ್ಷತಾ ಕ್ರಮಗಳನ್ನು ತೆಗೆದುಕೊಳ್ಳಬೇಕು. ಹೆಚ್ಚಿನ ವೃತ್ತಿಪರ ಮತ್ತು ತಾಂತ್ರಿಕ ಸಿಬ್ಬಂದಿಗಳು, ವಿಶೇಷವಾಗಿ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನಿಕ್ ಉತ್ಸಾಹಿಗಳು ತಮ್ಮ ವಾಸ್ತವಿಕ ಪರಿಸ್ಥಿತಿಯನ್ನು ಆಧರಿಸಿ ಮುಂದುವರಿಯಬೇಕು ಮತ್ತು MOSFET ಗಳನ್ನು ಸುರಕ್ಷಿತವಾಗಿ ಮತ್ತು ಪರಿಣಾಮಕಾರಿಯಾಗಿ ಬಳಸಲು ಪ್ರಾಯೋಗಿಕ ಮಾರ್ಗಗಳನ್ನು ತೆಗೆದುಕೊಳ್ಳಬೇಕು.