PMOSFET ಎಂದರೇನು, ನಿಮಗೆ ತಿಳಿದಿದೆಯೇ?

I. ಮೂಲ ರಚನೆ ಮತ್ತು ಕೆಲಸದ ತತ್ವ

1. ಮೂಲ ರಚನೆ

PMOSFET ಗಳು n-ಮಾದರಿಯ ತಲಾಧಾರಗಳು ಮತ್ತು p-ಚಾನೆಲ್‌ಗಳನ್ನು ಹೊಂದಿವೆ, ಮತ್ತು ಅವುಗಳ ರಚನೆಯು ಮುಖ್ಯವಾಗಿ ಗೇಟ್ (G), ಮೂಲ (S) ಮತ್ತು ಡ್ರೈನ್ (D) ಅನ್ನು ಒಳಗೊಂಡಿರುತ್ತದೆ. n-ಮಾದರಿಯ ಸಿಲಿಕಾನ್ ತಲಾಧಾರದಲ್ಲಿ, ಎರಡು P+ ಪ್ರದೇಶಗಳು ಕ್ರಮವಾಗಿ ಮೂಲ ಮತ್ತು ಡ್ರೈನ್ ಆಗಿ ಕಾರ್ಯನಿರ್ವಹಿಸುತ್ತವೆ ಮತ್ತು ಅವುಗಳು p-ಚಾನೆಲ್ ಮೂಲಕ ಪರಸ್ಪರ ಸಂಪರ್ಕ ಹೊಂದಿವೆ. ಗೇಟ್ ಚಾನಲ್ ಮೇಲೆ ಇದೆ ಮತ್ತು ಲೋಹದ ಆಕ್ಸೈಡ್ ಇನ್ಸುಲೇಟಿಂಗ್ ಲೇಯರ್ನಿಂದ ಚಾನಲ್ನಿಂದ ಪ್ರತ್ಯೇಕಿಸಲ್ಪಟ್ಟಿದೆ.

2. ಕಾರ್ಯಾಚರಣೆಯ ತತ್ವಗಳು

PMOSFET ಗಳು NMOSFET ಗಳಂತೆಯೇ ಕಾರ್ಯನಿರ್ವಹಿಸುತ್ತವೆ, ಆದರೆ ವಿರುದ್ಧ ರೀತಿಯ ವಾಹಕಗಳೊಂದಿಗೆ. PMOSFET ನಲ್ಲಿ, ಮುಖ್ಯ ವಾಹಕಗಳು ರಂಧ್ರಗಳಾಗಿವೆ. ಮೂಲಕ್ಕೆ ಸಂಬಂಧಿಸಿದಂತೆ ಗೇಟ್‌ಗೆ ನಕಾರಾತ್ಮಕ ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಅನ್ನು ಅನ್ವಯಿಸಿದಾಗ, ಗೇಟ್ ಅಡಿಯಲ್ಲಿ n- ಮಾದರಿಯ ಸಿಲಿಕಾನ್ನ ಮೇಲ್ಮೈಯಲ್ಲಿ p- ಮಾದರಿಯ ವಿಲೋಮ ಪದರವು ರೂಪುಗೊಳ್ಳುತ್ತದೆ, ಇದು ಮೂಲ ಮತ್ತು ಒಳಚರಂಡಿಯನ್ನು ಸಂಪರ್ಕಿಸುವ ಕಂದಕವಾಗಿ ಕಾರ್ಯನಿರ್ವಹಿಸುತ್ತದೆ. ಗೇಟ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಅನ್ನು ಬದಲಾಯಿಸುವುದು ಚಾನಲ್ನಲ್ಲಿನ ರಂಧ್ರಗಳ ಸಾಂದ್ರತೆಯನ್ನು ಬದಲಾಯಿಸುತ್ತದೆ, ಇದರಿಂದಾಗಿ ಚಾನಲ್ನ ವಾಹಕತೆಯನ್ನು ನಿಯಂತ್ರಿಸುತ್ತದೆ. ಗೇಟ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಸಾಕಷ್ಟು ಕಡಿಮೆಯಾದಾಗ, ಚಾನಲ್‌ನಲ್ಲಿನ ರಂಧ್ರಗಳ ಸಾಂದ್ರತೆಯು ಮೂಲ ಮತ್ತು ಡ್ರೈನ್ ನಡುವೆ ವಹನವನ್ನು ಅನುಮತಿಸಲು ಸಾಕಷ್ಟು ಹೆಚ್ಚಿನ ಮಟ್ಟವನ್ನು ತಲುಪುತ್ತದೆ; ಇದಕ್ಕೆ ವಿರುದ್ಧವಾಗಿ, ಚಾನಲ್ ಕಡಿತಗೊಳ್ಳುತ್ತದೆ.

II. ಗುಣಲಕ್ಷಣಗಳು ಮತ್ತು ಅಪ್ಲಿಕೇಶನ್ಗಳು

1. ಗುಣಲಕ್ಷಣಗಳು

ಕಡಿಮೆ ಚಲನಶೀಲತೆ: P-ಚಾನಲ್ MOS ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್‌ಗಳು ತುಲನಾತ್ಮಕವಾಗಿ ಕಡಿಮೆ ರಂಧ್ರ ಚಲನಶೀಲತೆಯನ್ನು ಹೊಂದಿವೆ, ಆದ್ದರಿಂದ PMOS ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್‌ಗಳ ಟ್ರಾನ್ಸ್‌ಕಂಡಕ್ಟನ್ಸ್ ಅದೇ ಜ್ಯಾಮಿತಿ ಮತ್ತು ಆಪರೇಟಿಂಗ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಅಡಿಯಲ್ಲಿ NMOS ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್‌ಗಳಿಗಿಂತ ಚಿಕ್ಕದಾಗಿದೆ.

ಕಡಿಮೆ-ವೇಗದ, ಕಡಿಮೆ-ಆವರ್ತನ ಅನ್ವಯಗಳಿಗೆ ಸೂಕ್ತವಾಗಿದೆ: ಕಡಿಮೆ ಚಲನಶೀಲತೆಯಿಂದಾಗಿ, PMOS ಇಂಟಿಗ್ರೇಟೆಡ್ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್‌ಗಳು ಕಡಿಮೆ-ವೇಗದ, ಕಡಿಮೆ-ಆವರ್ತನ ಪ್ರದೇಶಗಳಲ್ಲಿ ಅಪ್ಲಿಕೇಶನ್‌ಗಳಿಗೆ ಹೆಚ್ಚು ಸೂಕ್ತವಾಗಿದೆ.

ವಹನ ಪರಿಸ್ಥಿತಿಗಳು: PMOSFET ಗಳ ವಹನ ಪರಿಸ್ಥಿತಿಗಳು NMOSFET ಗಳಿಗೆ ವಿರುದ್ಧವಾಗಿರುತ್ತವೆ, ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ಗಿಂತ ಕಡಿಮೆ ಗೇಟ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಅಗತ್ಯವಿರುತ್ತದೆ.

 

1. ಅಪ್ಲಿಕೇಶನ್‌ಗಳು

ಹೈ ಸೈಡ್ ಸ್ವಿಚಿಂಗ್: PMOSFET ಗಳನ್ನು ಸಾಮಾನ್ಯವಾಗಿ ಹೈ ಸೈಡ್ ಸ್ವಿಚಿಂಗ್ ಕಾನ್ಫಿಗರೇಶನ್‌ಗಳಲ್ಲಿ ಬಳಸಲಾಗುತ್ತದೆ, ಅಲ್ಲಿ ಮೂಲವು ಧನಾತ್ಮಕ ಪೂರೈಕೆಗೆ ಸಂಪರ್ಕ ಹೊಂದಿದೆ ಮತ್ತು ಡ್ರೈನ್ ಲೋಡ್‌ನ ಧನಾತ್ಮಕ ಅಂತ್ಯಕ್ಕೆ ಸಂಪರ್ಕ ಹೊಂದಿದೆ. PMOSFET ನಡೆಸಿದಾಗ, ಅದು ಲೋಡ್‌ನ ಧನಾತ್ಮಕ ಅಂತ್ಯವನ್ನು ಧನಾತ್ಮಕ ಪೂರೈಕೆಗೆ ಸಂಪರ್ಕಿಸುತ್ತದೆ, ಲೋಡ್ ಮೂಲಕ ಪ್ರವಾಹವನ್ನು ಹರಿಯುವಂತೆ ಮಾಡುತ್ತದೆ. ವಿದ್ಯುತ್ ನಿರ್ವಹಣೆ ಮತ್ತು ಮೋಟಾರ್ ಡ್ರೈವ್‌ಗಳಂತಹ ಪ್ರದೇಶಗಳಲ್ಲಿ ಈ ಸಂರಚನೆಯು ತುಂಬಾ ಸಾಮಾನ್ಯವಾಗಿದೆ.

ರಿವರ್ಸ್ ಪ್ರೊಟೆಕ್ಷನ್ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್‌ಗಳು: ರಿವರ್ಸ್ ಪವರ್ ಸಪ್ಲೈ ಅಥವಾ ಲೋಡ್ ಕರೆಂಟ್ ಬ್ಯಾಕ್‌ಫ್ಲೋನಿಂದ ಉಂಟಾಗುವ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್‌ಗೆ ಹಾನಿಯಾಗದಂತೆ ತಡೆಯಲು ರಿವರ್ಸ್ ಪ್ರೊಟೆಕ್ಷನ್ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್‌ಗಳಲ್ಲಿ PMOSFET ಗಳನ್ನು ಸಹ ಬಳಸಬಹುದು.

III. ವಿನ್ಯಾಸ ಮತ್ತು ಪರಿಗಣನೆಗಳು

1. ಗೇಟ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ ನಿಯಂತ್ರಣ

PMOSFET ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್‌ಗಳನ್ನು ವಿನ್ಯಾಸಗೊಳಿಸುವಾಗ, ಸರಿಯಾದ ಕಾರ್ಯಾಚರಣೆಯನ್ನು ಖಚಿತಪಡಿಸಿಕೊಳ್ಳಲು ಗೇಟ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್‌ನ ನಿಖರವಾದ ನಿಯಂತ್ರಣದ ಅಗತ್ಯವಿದೆ. PMOSFET ಗಳ ವಹನ ಪರಿಸ್ಥಿತಿಗಳು NMOSFET ಗಳಿಗೆ ವಿರುದ್ಧವಾಗಿರುವುದರಿಂದ, ಗೇಟ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ನ ಧ್ರುವೀಯತೆ ಮತ್ತು ಪ್ರಮಾಣಕ್ಕೆ ಗಮನ ಕೊಡಬೇಕಾದ ಅಗತ್ಯವಿದೆ.

2. ಸಂಪರ್ಕವನ್ನು ಲೋಡ್ ಮಾಡಿ

ಲೋಡ್ ಅನ್ನು ಸಂಪರ್ಕಿಸುವಾಗ, PMOSFET ಮೂಲಕ ಪ್ರವಾಹವು ಸರಿಯಾಗಿ ಹರಿಯುತ್ತದೆ ಎಂದು ಖಚಿತಪಡಿಸಿಕೊಳ್ಳಲು ಲೋಡ್ನ ಧ್ರುವೀಯತೆಗೆ ಗಮನ ಕೊಡಬೇಕಾದ ಅಗತ್ಯವಿರುತ್ತದೆ ಮತ್ತು ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಡ್ರಾಪ್, ವಿದ್ಯುತ್ ಬಳಕೆ, ಇತ್ಯಾದಿಗಳಂತಹ PMOSFET ನ ಕಾರ್ಯಕ್ಷಮತೆಯ ಮೇಲೆ ಲೋಡ್ನ ಪರಿಣಾಮ. , ಸಹ ಪರಿಗಣಿಸಬೇಕಾಗಿದೆ.

3. ತಾಪಮಾನ ಸ್ಥಿರತೆ

PMOSFET ಗಳ ಕಾರ್ಯಕ್ಷಮತೆಯು ತಾಪಮಾನದಿಂದ ಹೆಚ್ಚು ಪರಿಣಾಮ ಬೀರುತ್ತದೆ, ಆದ್ದರಿಂದ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್‌ಗಳನ್ನು ವಿನ್ಯಾಸಗೊಳಿಸುವಾಗ PMOSFET ಗಳ ಕಾರ್ಯಕ್ಷಮತೆಯ ಮೇಲೆ ತಾಪಮಾನದ ಪರಿಣಾಮವನ್ನು ಗಣನೆಗೆ ತೆಗೆದುಕೊಳ್ಳಬೇಕಾಗುತ್ತದೆ ಮತ್ತು ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್‌ಗಳ ತಾಪಮಾನದ ಸ್ಥಿರತೆಯನ್ನು ಸುಧಾರಿಸಲು ಅನುಗುಣವಾದ ಕ್ರಮಗಳನ್ನು ತೆಗೆದುಕೊಳ್ಳಬೇಕಾಗುತ್ತದೆ.

4. ರಕ್ಷಣೆ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ಗಳು

ಪಿಎಮ್‌ಒಎಸ್‌ಎಫ್‌ಇಟಿಗಳು ಕಾರ್ಯಾಚರಣೆಯ ಸಮಯದಲ್ಲಿ ಓವರ್‌ಕರೆಂಟ್ ಮತ್ತು ಓವರ್‌ವೋಲ್ಟೇಜ್‌ನಿಂದ ಹಾನಿಯಾಗದಂತೆ ತಡೆಯಲು, ಓವರ್‌ಕರೆಂಟ್ ಪ್ರೊಟೆಕ್ಷನ್ ಮತ್ತು ಓವರ್‌ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಪ್ರೊಟೆಕ್ಷನ್‌ನಂತಹ ಪ್ರೊಟೆಕ್ಷನ್ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್‌ಗಳನ್ನು ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್‌ನಲ್ಲಿ ಅಳವಡಿಸಬೇಕಾಗುತ್ತದೆ. ಈ ಸಂರಕ್ಷಣಾ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್‌ಗಳು PMOSFET ಅನ್ನು ಪರಿಣಾಮಕಾರಿಯಾಗಿ ರಕ್ಷಿಸಬಹುದು ಮತ್ತು ಅದರ ಸೇವಾ ಜೀವನವನ್ನು ವಿಸ್ತರಿಸಬಹುದು.

 

ಸಂಕ್ಷಿಪ್ತವಾಗಿ, PMOSFET ವಿಶೇಷ ರಚನೆ ಮತ್ತು ಕಾರ್ಯ ತತ್ವದೊಂದಿಗೆ MOSFET ನ ಒಂದು ವಿಧವಾಗಿದೆ. ಅದರ ಕಡಿಮೆ ಚಲನಶೀಲತೆ ಮತ್ತು ಕಡಿಮೆ-ವೇಗದ, ಕಡಿಮೆ-ಆವರ್ತನ ಅಪ್ಲಿಕೇಶನ್‌ಗಳಿಗೆ ಸೂಕ್ತತೆಯು ನಿರ್ದಿಷ್ಟ ಕ್ಷೇತ್ರಗಳಲ್ಲಿ ವ್ಯಾಪಕವಾಗಿ ಅನ್ವಯಿಸುವಂತೆ ಮಾಡುತ್ತದೆ. PMOSFET ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್‌ಗಳನ್ನು ವಿನ್ಯಾಸಗೊಳಿಸುವಾಗ, ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್‌ನ ಸರಿಯಾದ ಕಾರ್ಯಾಚರಣೆ ಮತ್ತು ವಿಶ್ವಾಸಾರ್ಹತೆಯನ್ನು ಖಚಿತಪಡಿಸಿಕೊಳ್ಳಲು ಗೇಟ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ ನಿಯಂತ್ರಣ, ಲೋಡ್ ಸಂಪರ್ಕಗಳು, ತಾಪಮಾನದ ಸ್ಥಿರತೆ ಮತ್ತು ರಕ್ಷಣೆ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್‌ಗಳಿಗೆ ಗಮನ ನೀಡಬೇಕು.