ಸ್ವಿಚಿಂಗ್ ಅಂಶಗಳಾಗಿ, MOSFET ಮತ್ತು IGBT ಸಾಮಾನ್ಯವಾಗಿ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನಿಕ್ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ಗಳಲ್ಲಿ ಕಾಣಿಸಿಕೊಳ್ಳುತ್ತವೆ. ಅವು ನೋಟ ಮತ್ತು ವಿಶಿಷ್ಟ ನಿಯತಾಂಕಗಳಲ್ಲಿ ಹೋಲುತ್ತವೆ. ಕೆಲವು ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್‌ಗಳು MOSFET ಅನ್ನು ಏಕೆ ಬಳಸಬೇಕು ಎಂದು ಅನೇಕ ಜನರು ಆಶ್ಚರ್ಯ ಪಡುತ್ತಾರೆ ಎಂದು ನಾನು ನಂಬುತ್ತೇನೆ, ಆದರೆ ಇತರರು ಮಾಡುತ್ತಾರೆ. IGBT?
ಅವುಗಳ ನಡುವಿನ ವ್ಯತ್ಯಾಸವೇನು? ಮುಂದೆ,ಓಲುಕಿನಿಮ್ಮ ಪ್ರಶ್ನೆಗಳಿಗೆ ಉತ್ತರಿಸುತ್ತದೆ!
ಎ ಎಂದರೇನುMOSFET?
MOSFET, ಪೂರ್ಣ ಚೀನೀ ಹೆಸರು ಮೆಟಲ್-ಆಕ್ಸೈಡ್ ಸೆಮಿಕಂಡಕ್ಟರ್ ಫೀಲ್ಡ್ ಎಫೆಕ್ಟ್ ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಆಗಿದೆ. ಈ ಫೀಲ್ಡ್ ಎಫೆಕ್ಟ್ ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್‌ನ ಗೇಟ್ ಅವಾಹಕ ಪದರದಿಂದ ಪ್ರತ್ಯೇಕಿಸಲ್ಪಟ್ಟಿರುವುದರಿಂದ, ಇದನ್ನು ಇನ್ಸುಲೇಟೆಡ್ ಗೇಟ್ ಫೀಲ್ಡ್ ಎಫೆಕ್ಟ್ ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಎಂದೂ ಕರೆಯಲಾಗುತ್ತದೆ. MOSFET ಅನ್ನು ಎರಡು ವಿಧಗಳಾಗಿ ವಿಂಗಡಿಸಬಹುದು: "N-ಟೈಪ್" ಮತ್ತು "P-ಟೈಪ್" ಅದರ "ಚಾನೆಲ್" (ಕೆಲಸದ ವಾಹಕ) ಧ್ರುವೀಯತೆಯ ಪ್ರಕಾರ, ಇದನ್ನು ಸಾಮಾನ್ಯವಾಗಿ N MOSFET ಮತ್ತು P MOSFET ಎಂದೂ ಕರೆಯುತ್ತಾರೆ.
MOSFET ಸ್ವತಃ ತನ್ನದೇ ಆದ ಪರಾವಲಂಬಿ ಡಯೋಡ್ ಅನ್ನು ಹೊಂದಿದೆ, VDD ಅತಿ-ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಆಗಿರುವಾಗ MOSFET ಅನ್ನು ಸುಡುವುದನ್ನು ತಡೆಯಲು ಇದನ್ನು ಬಳಸಲಾಗುತ್ತದೆ. ಏಕೆಂದರೆ ಓವರ್ವೋಲ್ಟೇಜ್ MOSFET ಗೆ ಹಾನಿಯನ್ನುಂಟುಮಾಡುವ ಮೊದಲು, ಡಯೋಡ್ ಮೊದಲು ಹಿಮ್ಮುಖವಾಗಿ ಒಡೆಯುತ್ತದೆ ಮತ್ತು ದೊಡ್ಡ ಪ್ರವಾಹವನ್ನು ನೆಲಕ್ಕೆ ನಿರ್ದೇಶಿಸುತ್ತದೆ, ಇದರಿಂದಾಗಿ MOSFET ಸುಟ್ಟುಹೋಗದಂತೆ ತಡೆಯುತ್ತದೆ.
IGBT ಎಂದರೇನು?
IGBT (ಇನ್ಸುಲೇಟೆಡ್ ಗೇಟ್ ಬೈಪೋಲಾರ್ ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್) ಒಂದು ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಮತ್ತು MOSFET ಗಳನ್ನು ಒಳಗೊಂಡಿರುವ ಒಂದು ಸಂಯುಕ್ತ ಅರೆವಾಹಕ ಸಾಧನವಾಗಿದೆ.
IGBT ಯ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ ಚಿಹ್ನೆಗಳನ್ನು ಇನ್ನೂ ಏಕೀಕರಿಸಲಾಗಿಲ್ಲ. ಸ್ಕೀಮ್ಯಾಟಿಕ್ ರೇಖಾಚಿತ್ರವನ್ನು ಚಿತ್ರಿಸುವಾಗ, ಟ್ರಯೋಡ್ ಮತ್ತು MOSFET ನ ಚಿಹ್ನೆಗಳನ್ನು ಸಾಮಾನ್ಯವಾಗಿ ಎರವಲು ಪಡೆಯಲಾಗುತ್ತದೆ. ಈ ಸಮಯದಲ್ಲಿ, ಸ್ಕೀಮ್ಯಾಟಿಕ್ ರೇಖಾಚಿತ್ರದಲ್ಲಿ ಗುರುತಿಸಲಾದ ಮಾದರಿಯಿಂದ ಇದು IGBT ಅಥವಾ MOSFET ಎಂದು ನೀವು ನಿರ್ಣಯಿಸಬಹುದು.
ಅದೇ ಸಮಯದಲ್ಲಿ, IGBT ದೇಹ ಡಯೋಡ್ ಅನ್ನು ಹೊಂದಿದೆಯೇ ಎಂಬುದನ್ನು ಸಹ ನೀವು ಗಮನ ಹರಿಸಬೇಕು. ಅದನ್ನು ಚಿತ್ರದ ಮೇಲೆ ಗುರುತಿಸದಿದ್ದರೆ, ಅದು ಅಸ್ತಿತ್ವದಲ್ಲಿಲ್ಲ ಎಂದು ಅರ್ಥವಲ್ಲ. ಅಧಿಕೃತ ಡೇಟಾವು ನಿರ್ದಿಷ್ಟವಾಗಿ ಹೇಳದ ಹೊರತು, ಈ ಡಯೋಡ್ ಇರುತ್ತದೆ. IGBT ಒಳಗಿನ ದೇಹ ಡಯೋಡ್ ಪರಾವಲಂಬಿ ಅಲ್ಲ, ಆದರೆ IGBT ಯ ದುರ್ಬಲವಾದ ರಿವರ್ಸ್ ತಡೆದುಕೊಳ್ಳುವ ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಅನ್ನು ರಕ್ಷಿಸಲು ವಿಶೇಷವಾಗಿ ಹೊಂದಿಸಲಾಗಿದೆ. ಇದನ್ನು FWD (ಫ್ರೀವೀಲಿಂಗ್ ಡಯೋಡ್) ಎಂದೂ ಕರೆಯುತ್ತಾರೆ.
ಇವೆರಡರ ಆಂತರಿಕ ರಚನೆ ಬೇರೆ ಬೇರೆ
MOSFET ನ ಮೂರು ಧ್ರುವಗಳೆಂದರೆ ಮೂಲ (S), ಡ್ರೈನ್ (D) ಮತ್ತು ಗೇಟ್ (G).
IGBT ಯ ಮೂರು ಧ್ರುವಗಳೆಂದರೆ ಕಲೆಕ್ಟರ್ (C), ಎಮಿಟರ್ (E) ಮತ್ತು ಗೇಟ್ (G).
MOSFET ನ ಡ್ರೈನ್‌ಗೆ ಹೆಚ್ಚುವರಿ ಪದರವನ್ನು ಸೇರಿಸುವ ಮೂಲಕ IGBT ಅನ್ನು ನಿರ್ಮಿಸಲಾಗಿದೆ. ಅವರ ಆಂತರಿಕ ರಚನೆಯು ಈ ಕೆಳಗಿನಂತಿರುತ್ತದೆ:
ಎರಡರ ಅಪ್ಲಿಕೇಶನ್ ಕ್ಷೇತ್ರಗಳು ವಿಭಿನ್ನವಾಗಿವೆ
MOSFET ಮತ್ತು IGBT ಯ ಆಂತರಿಕ ರಚನೆಗಳು ವಿಭಿನ್ನವಾಗಿವೆ, ಇದು ಅವರ ಅಪ್ಲಿಕೇಶನ್ ಕ್ಷೇತ್ರಗಳನ್ನು ನಿರ್ಧರಿಸುತ್ತದೆ.
MOSFET ನ ರಚನೆಯಿಂದಾಗಿ, ಇದು ಸಾಮಾನ್ಯವಾಗಿ ದೊಡ್ಡ ಪ್ರವಾಹವನ್ನು ಸಾಧಿಸಬಹುದು, ಇದು KA ಅನ್ನು ತಲುಪಬಹುದು, ಆದರೆ ಪೂರ್ವಾಪೇಕ್ಷಿತ ವೋಲ್ಟೇಜ್ ತಡೆದುಕೊಳ್ಳುವ ಸಾಮರ್ಥ್ಯವು IGBT ಯಷ್ಟು ಬಲವಾಗಿರುವುದಿಲ್ಲ. ಇದರ ಮುಖ್ಯ ಅಪ್ಲಿಕೇಶನ್ ಪ್ರದೇಶಗಳು ಸ್ವಿಚಿಂಗ್ ಪವರ್ ಸಪ್ಲೈಸ್, ಬ್ಯಾಲೆಸ್ಟ್ಸ್, ಹೈ-ಫ್ರೀಕ್ವೆನ್ಸಿ ಇಂಡಕ್ಷನ್ ಹೀಟಿಂಗ್, ಹೈ-ಫ್ರೀಕ್ವೆನ್ಸಿ ಇನ್ವರ್ಟರ್ ವೆಲ್ಡಿಂಗ್ ಮೆಷಿನ್‌ಗಳು, ಕಮ್ಯುನಿಕೇಶನ್ ಪವರ್ ಸಪ್ಲೈಸ್ ಮತ್ತು ಇತರ ಹೈ-ಫ್ರೀಕ್ವೆನ್ಸಿ ಪವರ್ ಸಪ್ಲೈ ಕ್ಷೇತ್ರಗಳು.
IGBT ಬಹಳಷ್ಟು ವಿದ್ಯುತ್, ಕರೆಂಟ್ ಮತ್ತು ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಅನ್ನು ಉತ್ಪಾದಿಸುತ್ತದೆ, ಆದರೆ ಆವರ್ತನವು ತುಂಬಾ ಹೆಚ್ಚಿಲ್ಲ. ಪ್ರಸ್ತುತ, IGBT ಯ ಹಾರ್ಡ್ ಸ್ವಿಚಿಂಗ್ ವೇಗವು 100KHZ ಅನ್ನು ತಲುಪಬಹುದು. IGBT ಅನ್ನು ವೆಲ್ಡಿಂಗ್ ಯಂತ್ರಗಳು, ಇನ್ವರ್ಟರ್‌ಗಳು, ಆವರ್ತನ ಪರಿವರ್ತಕಗಳು, ಎಲೆಕ್ಟ್ರೋಪ್ಲೇಟಿಂಗ್ ಎಲೆಕ್ಟ್ರೋಲೈಟಿಕ್ ವಿದ್ಯುತ್ ಸರಬರಾಜು, ಅಲ್ಟ್ರಾಸಾನಿಕ್ ಇಂಡಕ್ಷನ್ ತಾಪನ ಮತ್ತು ಇತರ ಕ್ಷೇತ್ರಗಳಲ್ಲಿ ವ್ಯಾಪಕವಾಗಿ ಬಳಸಲಾಗುತ್ತದೆ.
MOSFET ಮತ್ತು IGBT ಯ ಮುಖ್ಯ ಲಕ್ಷಣಗಳು
MOSFET ಹೆಚ್ಚಿನ ಇನ್‌ಪುಟ್ ಪ್ರತಿರೋಧ, ವೇಗದ ಸ್ವಿಚಿಂಗ್ ವೇಗ, ಉತ್ತಮ ಉಷ್ಣ ಸ್ಥಿರತೆ, ವೋಲ್ಟೇಜ್ ನಿಯಂತ್ರಣ ಪ್ರವಾಹ ಇತ್ಯಾದಿಗಳ ಗುಣಲಕ್ಷಣಗಳನ್ನು ಹೊಂದಿದೆ. ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್‌ನಲ್ಲಿ, ಇದನ್ನು ಆಂಪ್ಲಿಫೈಯರ್, ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನಿಕ್ ಸ್ವಿಚ್ ಮತ್ತು ಇತರ ಉದ್ದೇಶಗಳಿಗಾಗಿ ಬಳಸಬಹುದು.
ಹೊಸ ರೀತಿಯ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನಿಕ್ ಸೆಮಿಕಂಡಕ್ಟರ್ ಸಾಧನವಾಗಿ, IGBT ಹೆಚ್ಚಿನ ಇನ್‌ಪುಟ್ ಪ್ರತಿರೋಧ, ಕಡಿಮೆ ವೋಲ್ಟೇಜ್ ನಿಯಂತ್ರಣ ವಿದ್ಯುತ್ ಬಳಕೆ, ಸರಳ ನಿಯಂತ್ರಣ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್, ಹೆಚ್ಚಿನ ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಪ್ರತಿರೋಧ ಮತ್ತು ದೊಡ್ಡ ವಿದ್ಯುತ್ ಸಹಿಷ್ಣುತೆಯ ಗುಣಲಕ್ಷಣಗಳನ್ನು ಹೊಂದಿದೆ ಮತ್ತು ಇದನ್ನು ವಿವಿಧ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನಿಕ್ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ಗಳಲ್ಲಿ ವ್ಯಾಪಕವಾಗಿ ಬಳಸಲಾಗುತ್ತದೆ.
IGBT ಯ ಆದರ್ಶ ಸಮಾನವಾದ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ ಅನ್ನು ಕೆಳಗಿನ ಚಿತ್ರದಲ್ಲಿ ತೋರಿಸಲಾಗಿದೆ. IGBT ವಾಸ್ತವವಾಗಿ MOSFET ಮತ್ತು ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್‌ನ ಸಂಯೋಜನೆಯಾಗಿದೆ. MOSFET ಹೆಚ್ಚಿನ ಪ್ರತಿರೋಧದ ಅನನುಕೂಲತೆಯನ್ನು ಹೊಂದಿದೆ, ಆದರೆ IGBT ಈ ಕೊರತೆಯನ್ನು ನಿವಾರಿಸುತ್ತದೆ. IGBT ಇನ್ನೂ ಹೆಚ್ಚಿನ ವೋಲ್ಟೇಜ್‌ನಲ್ಲಿ ಕಡಿಮೆ ಪ್ರತಿರೋಧವನ್ನು ಹೊಂದಿದೆ. .
ಸಾಮಾನ್ಯವಾಗಿ, MOSFET ನ ಪ್ರಯೋಜನವೆಂದರೆ ಅದು ಉತ್ತಮವಾದ ಅಧಿಕ-ಆವರ್ತನ ಗುಣಲಕ್ಷಣಗಳನ್ನು ಹೊಂದಿದೆ ಮತ್ತು ನೂರಾರು kHz ಆವರ್ತನದಲ್ಲಿ ಮತ್ತು MHz ವರೆಗೆ ಕಾರ್ಯನಿರ್ವಹಿಸುತ್ತದೆ. ಅನನುಕೂಲವೆಂದರೆ ಆನ್-ರೆಸಿಸ್ಟೆನ್ಸ್ ದೊಡ್ಡದಾಗಿದೆ ಮತ್ತು ಹೆಚ್ಚಿನ-ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಮತ್ತು ಹೆಚ್ಚಿನ-ಪ್ರಸ್ತುತ ಸಂದರ್ಭಗಳಲ್ಲಿ ವಿದ್ಯುತ್ ಬಳಕೆ ದೊಡ್ಡದಾಗಿದೆ. IGBT ಕಡಿಮೆ ಆವರ್ತನ ಮತ್ತು ಹೆಚ್ಚಿನ ಶಕ್ತಿಯ ಸಂದರ್ಭಗಳಲ್ಲಿ ಸಣ್ಣ ಆನ್-ರೆಸಿಸ್ಟೆನ್ಸ್ ಮತ್ತು ಹೆಚ್ಚಿನ ತಡೆದುಕೊಳ್ಳುವ ವೋಲ್ಟೇಜ್‌ನೊಂದಿಗೆ ಉತ್ತಮವಾಗಿ ಕಾರ್ಯನಿರ್ವಹಿಸುತ್ತದೆ.
MOSFET ಅಥವಾ IGBT ಆಯ್ಕೆಮಾಡಿ
ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್‌ನಲ್ಲಿ, MOSFET ಅನ್ನು ಪವರ್ ಸ್ವಿಚ್ ಟ್ಯೂಬ್ ಅಥವಾ IGBT ಎಂದು ಆಯ್ಕೆ ಮಾಡಬೇಕೆ ಎಂಬುದು ಎಂಜಿನಿಯರ್‌ಗಳು ಆಗಾಗ್ಗೆ ಎದುರಿಸುವ ಪ್ರಶ್ನೆಯಾಗಿದೆ. ಸಿಸ್ಟಮ್‌ನ ವೋಲ್ಟೇಜ್, ಕರೆಂಟ್ ಮತ್ತು ಸ್ವಿಚಿಂಗ್ ಪವರ್‌ನಂತಹ ಅಂಶಗಳನ್ನು ಗಣನೆಗೆ ತೆಗೆದುಕೊಂಡರೆ, ಈ ಕೆಳಗಿನ ಅಂಶಗಳನ್ನು ಸಂಕ್ಷಿಪ್ತಗೊಳಿಸಬಹುದು:
ಜನರು ಸಾಮಾನ್ಯವಾಗಿ ಕೇಳುತ್ತಾರೆ: "MOSFET ಅಥವಾ IGBT ಉತ್ತಮವೇ?" ವಾಸ್ತವವಾಗಿ, ಇವೆರಡರ ನಡುವೆ ಒಳ್ಳೆಯ ಅಥವಾ ಕೆಟ್ಟ ವ್ಯತ್ಯಾಸವಿಲ್ಲ. ಅತ್ಯಂತ ಮುಖ್ಯವಾದ ವಿಷಯವೆಂದರೆ ಅದರ ನಿಜವಾದ ಅಪ್ಲಿಕೇಶನ್ ಅನ್ನು ನೋಡುವುದು.
MOSFET ಮತ್ತು IGBT ನಡುವಿನ ವ್ಯತ್ಯಾಸದ ಕುರಿತು ನೀವು ಇನ್ನೂ ಪ್ರಶ್ನೆಗಳನ್ನು ಹೊಂದಿದ್ದರೆ, ನೀವು ವಿವರಗಳಿಗಾಗಿ Olukey ಅನ್ನು ಸಂಪರ್ಕಿಸಬಹುದು.
Olukey ಮುಖ್ಯವಾಗಿ WINSOK ಮಧ್ಯಮ ಮತ್ತು ಕಡಿಮೆ ವೋಲ್ಟೇಜ್ MOSFET ಉತ್ಪನ್ನಗಳನ್ನು ವಿತರಿಸುತ್ತದೆ. ಮಿಲಿಟರಿ ಉದ್ಯಮ, LED/LCD ಡ್ರೈವರ್ ಬೋರ್ಡ್‌ಗಳು, ಮೋಟಾರ್ ಡ್ರೈವರ್ ಬೋರ್ಡ್‌ಗಳು, ಫಾಸ್ಟ್ ಚಾರ್ಜಿಂಗ್, ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನಿಕ್ ಸಿಗರೇಟ್‌ಗಳು, LCD ಮಾನಿಟರ್‌ಗಳು, ವಿದ್ಯುತ್ ಸರಬರಾಜು, ಸಣ್ಣ ಗೃಹೋಪಯೋಗಿ ಉಪಕರಣಗಳು, ವೈದ್ಯಕೀಯ ಉತ್ಪನ್ನಗಳು ಮತ್ತು ಬ್ಲೂಟೂತ್ ಉತ್ಪನ್ನಗಳಲ್ಲಿ ಉತ್ಪನ್ನಗಳನ್ನು ವ್ಯಾಪಕವಾಗಿ ಬಳಸಲಾಗುತ್ತದೆ. ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನಿಕ್ ಮಾಪಕಗಳು, ವಾಹನ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನಿಕ್ಸ್, ನೆಟ್ವರ್ಕ್ ಉತ್ಪನ್ನಗಳು, ಗೃಹೋಪಯೋಗಿ ಉಪಕರಣಗಳು, ಕಂಪ್ಯೂಟರ್ ಪೆರಿಫೆರಲ್ಸ್ ಮತ್ತು ವಿವಿಧ ಡಿಜಿಟಲ್ ಉತ್ಪನ್ನಗಳು.
ಪೋಸ್ಟ್ ಸಮಯ: ಡಿಸೆಂಬರ್-18-2023
