ಸಣ್ಣ ವೋಲ್ಟೇಜ್ MOSFET ಗಳ ಪಾತ್ರವೇನು?

ಹಲವಾರು ಪ್ರಭೇದಗಳಿವೆMOSFET ಗಳು, ಮುಖ್ಯವಾಗಿ ಜಂಕ್ಷನ್ MOSFET ಗಳು ಮತ್ತು ಇನ್ಸುಲೇಟೆಡ್ ಗೇಟ್ MOSFET ಗಳು ಎರಡು ವಿಭಾಗಗಳಾಗಿ ವಿಂಗಡಿಸಲಾಗಿದೆ, ಮತ್ತು ಎಲ್ಲಾ N-ಚಾನೆಲ್ ಮತ್ತು P-ಚಾನೆಲ್ ಪಾಯಿಂಟ್‌ಗಳನ್ನು ಹೊಂದಿವೆ.

 

MOSFET ಎಂದು ಉಲ್ಲೇಖಿಸಲಾದ ಮೆಟಲ್-ಆಕ್ಸೈಡ್-ಸೆಮಿಕಂಡಕ್ಟರ್ ಫೀಲ್ಡ್-ಎಫೆಕ್ಟ್ ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಅನ್ನು ಸವಕಳಿ ಪ್ರಕಾರ MOSFET ಮತ್ತು ವರ್ಧನೆಯ ಪ್ರಕಾರ MOSFET ಎಂದು ವಿಂಗಡಿಸಲಾಗಿದೆ.

 

MOSFET ಗಳನ್ನು ಸಿಂಗಲ್-ಗೇಟ್ ಮತ್ತು ಡ್ಯುಯಲ್-ಗೇಟ್ ಟ್ಯೂಬ್‌ಗಳಾಗಿ ವಿಂಗಡಿಸಲಾಗಿದೆ. ಡ್ಯುಯಲ್-ಗೇಟ್ MOSFET ಎರಡು ಸ್ವತಂತ್ರ ಗೇಟ್ G1 ಮತ್ತು G2 ಅನ್ನು ಹೊಂದಿದೆ, ಸರಣಿಯಲ್ಲಿ ಸಂಪರ್ಕಗೊಂಡಿರುವ ಎರಡು ಸಿಂಗಲ್-ಗೇಟ್ MOSFET ಗಳ ಸಮಾನ ನಿರ್ಮಾಣದಿಂದ ಮತ್ತು ಎರಡು ಗೇಟ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ ನಿಯಂತ್ರಣದಿಂದ ಅದರ ಔಟ್‌ಪುಟ್ ಕರೆಂಟ್ ಬದಲಾಗುತ್ತದೆ. ಡ್ಯುಯಲ್-ಗೇಟ್ MOSFET ಗಳ ಈ ಗುಣಲಕ್ಷಣವು ಹೆಚ್ಚಿನ-ಆವರ್ತನ ಆಂಪ್ಲಿಫೈಯರ್‌ಗಳು, ಗೇನ್ ಕಂಟ್ರೋಲ್ ಆಂಪ್ಲಿಫೈಯರ್‌ಗಳು, ಮಿಕ್ಸರ್‌ಗಳು ಮತ್ತು ಡೆಮೊಡ್ಯುಲೇಟರ್‌ಗಳಾಗಿ ಬಳಸಿದಾಗ ಹೆಚ್ಚಿನ ಅನುಕೂಲತೆಯನ್ನು ತರುತ್ತದೆ.

 

1, MOSFETಪ್ರಕಾರ ಮತ್ತು ರಚನೆ

MOSFET ಒಂದು ರೀತಿಯ FET ಆಗಿದೆ (ಮತ್ತೊಂದು ರೀತಿಯ JFET), ವರ್ಧಿತ ಅಥವಾ ಸವಕಳಿ ಪ್ರಕಾರ, P-ಚಾನೆಲ್ ಅಥವಾ N-ಚಾನೆಲ್ ಒಟ್ಟು ನಾಲ್ಕು ಪ್ರಕಾರಗಳಲ್ಲಿ ತಯಾರಿಸಬಹುದು, ಆದರೆ ಕೇವಲ ವರ್ಧಿತ N-ಚಾನೆಲ್ MOSFET ಮತ್ತು ವರ್ಧಿತ P- ನ ಸೈದ್ಧಾಂತಿಕ ಅಪ್ಲಿಕೇಶನ್ ಚಾನಲ್ MOSFET, ಆದ್ದರಿಂದ ಸಾಮಾನ್ಯವಾಗಿ NMOS ಎಂದು ಕರೆಯಲಾಗುತ್ತದೆ, ಅಥವಾ PMOS ಈ ಎರಡು ಪ್ರಕಾರಗಳನ್ನು ಸೂಚಿಸುತ್ತದೆ. ಸವಕಳಿ ಪ್ರಕಾರದ MOSFET ಗಳನ್ನು ಏಕೆ ಬಳಸಬಾರದು ಎಂಬುದಕ್ಕೆ, ಮೂಲ ಕಾರಣಕ್ಕಾಗಿ ಹುಡುಕಾಟವನ್ನು ಶಿಫಾರಸು ಮಾಡಬೇಡಿ. ಎರಡು ವರ್ಧಿತ MOSFET ಗಳಿಗೆ ಸಂಬಂಧಿಸಿದಂತೆ, ಹೆಚ್ಚು ಸಾಮಾನ್ಯವಾಗಿ ಬಳಸುವ NMOS, ಕಾರಣವೆಂದರೆ ಆನ್-ರೆಸಿಸ್ಟೆನ್ಸ್ ಚಿಕ್ಕದಾಗಿದೆ ಮತ್ತು ತಯಾರಿಸಲು ಸುಲಭವಾಗಿದೆ. ಆದ್ದರಿಂದ ವಿದ್ಯುತ್ ಸರಬರಾಜು ಮತ್ತು ಮೋಟಾರ್ ಡ್ರೈವ್ ಅಪ್ಲಿಕೇಶನ್‌ಗಳನ್ನು ಬದಲಾಯಿಸುವುದು, ಸಾಮಾನ್ಯವಾಗಿ NMOS ಅನ್ನು ಬಳಸಿ. ಕೆಳಗಿನ ಉಲ್ಲೇಖ, ಆದರೆ ಹೆಚ್ಚು NMOS-ಆಧಾರಿತ. MOSFET ಪರಾವಲಂಬಿ ಧಾರಣಶಕ್ತಿಯ ಮೂರು ಪಿನ್‌ಗಳು ಮೂರು ಪಿನ್‌ಗಳ ನಡುವೆ ಅಸ್ತಿತ್ವದಲ್ಲಿದೆ, ಇದು ನಮ್ಮ ಅಗತ್ಯತೆಗಳಲ್ಲ, ಆದರೆ ಉತ್ಪಾದನಾ ಪ್ರಕ್ರಿಯೆಯ ಮಿತಿಗಳ ಕಾರಣದಿಂದಾಗಿ. ಸ್ವಲ್ಪ ಸಮಯವನ್ನು ಉಳಿಸಲು ಡ್ರೈವ್ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ನ ವಿನ್ಯಾಸ ಅಥವಾ ಆಯ್ಕೆಯಲ್ಲಿ ಪರಾವಲಂಬಿ ಧಾರಣಶಕ್ತಿಯ ಅಸ್ತಿತ್ವ, ಆದರೆ ತಪ್ಪಿಸಲು ಯಾವುದೇ ಮಾರ್ಗವಿಲ್ಲ, ಮತ್ತು ನಂತರ ವಿವರವಾದ ಪರಿಚಯ. MOSFET ಸ್ಕೀಮ್ಯಾಟಿಕ್ ರೇಖಾಚಿತ್ರದಲ್ಲಿ ಪರಾವಲಂಬಿ ಡಯೋಡ್ ನಡುವಿನ ಡ್ರೈನ್ ಮತ್ತು ಮೂಲವನ್ನು ಕಾಣಬಹುದು. ಇದನ್ನು ದೇಹದ ಡಯೋಡ್ ಎಂದು ಕರೆಯಲಾಗುತ್ತದೆ, ತರ್ಕಬದ್ಧ ಲೋಡ್ಗಳನ್ನು ಚಾಲನೆ ಮಾಡುವಲ್ಲಿ, ಈ ಡಯೋಡ್ ಬಹಳ ಮುಖ್ಯವಾಗಿದೆ. ಮೂಲಕ, ದೇಹದ ಡಯೋಡ್ ಒಂದೇ MOSFET ನಲ್ಲಿ ಮಾತ್ರ ಅಸ್ತಿತ್ವದಲ್ಲಿದೆ, ಸಾಮಾನ್ಯವಾಗಿ ಇಂಟಿಗ್ರೇಟೆಡ್ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ ಚಿಪ್ ಒಳಗೆ ಇರುವುದಿಲ್ಲ.

 

2, MOSFET ವಹನ ಗುಣಲಕ್ಷಣಗಳು

ವಹನದ ಪ್ರಾಮುಖ್ಯತೆಯು ಸ್ವಿಚ್ ಮುಚ್ಚುವಿಕೆಗೆ ಸಮನಾಗಿರುತ್ತದೆ. NMOS ಗುಣಲಕ್ಷಣಗಳು, ನಿರ್ದಿಷ್ಟ ಮೌಲ್ಯಕ್ಕಿಂತ ಹೆಚ್ಚಿನ Vgs ನಡೆಸುತ್ತದೆ, ಮೂಲವು ಗ್ರೌಂಡೆಡ್ ಆಗಿರುವ ಸಂದರ್ಭದಲ್ಲಿ (ಕಡಿಮೆ-ಮಟ್ಟದ ಡ್ರೈವ್) ಬಳಕೆಗೆ ಸೂಕ್ತವಾಗಿದೆ, ಗೇಟ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಮಾತ್ರ ಆಗಮಿಸುತ್ತದೆ. 4V ಅಥವಾ 10V.PMOS ಗುಣಲಕ್ಷಣಗಳಲ್ಲಿ, ಒಂದು ನಿರ್ದಿಷ್ಟ ಮೌಲ್ಯಕ್ಕಿಂತ ಕಡಿಮೆ Vgs ನಡೆಸುತ್ತದೆ, ಮೂಲವನ್ನು VCC (ಹೈ-ಎಂಡ್ ಡ್ರೈವ್) ಗೆ ಸಂಪರ್ಕಿಸಿದಾಗ ಬಳಕೆಗೆ ಸೂಕ್ತವಾಗಿದೆ.

ಆದಾಗ್ಯೂ, ಸಹಜವಾಗಿ, PMOS ಅನ್ನು ಹೈ-ಎಂಡ್ ಡ್ರೈವರ್ ಆಗಿ ಬಳಸಲು ತುಂಬಾ ಸುಲಭ, ಆದರೆ ಆನ್-ರೆಸಿಸ್ಟೆನ್ಸ್, ದುಬಾರಿ, ಕಡಿಮೆ ರೀತಿಯ ಎಕ್ಸ್‌ಚೇಂಜ್‌ಗಳು ಮತ್ತು ಇತರ ಕಾರಣಗಳಿಂದಾಗಿ, ಹೈ-ಎಂಡ್ ಡ್ರೈವರ್‌ನಲ್ಲಿ, ಸಾಮಾನ್ಯವಾಗಿ ಇನ್ನೂ NMOS ಅನ್ನು ಬಳಸುತ್ತಾರೆ.

 

3, MOSFETಸ್ವಿಚಿಂಗ್ ನಷ್ಟ

ಇದು NMOS ಅಥವಾ PMOS ಆಗಿರಲಿ, ಆನ್-ರೆಸಿಸ್ಟೆನ್ಸ್ ಅಸ್ತಿತ್ವದಲ್ಲಿದ್ದ ನಂತರ, ಈ ಪ್ರತಿರೋಧದಲ್ಲಿ ಪ್ರಸ್ತುತ ಶಕ್ತಿಯನ್ನು ಬಳಸುತ್ತದೆ, ಸೇವಿಸುವ ಶಕ್ತಿಯ ಈ ಭಾಗವನ್ನು ಆನ್-ರೆಸಿಸ್ಟೆನ್ಸ್ ನಷ್ಟ ಎಂದು ಕರೆಯಲಾಗುತ್ತದೆ. ಸಣ್ಣ ಆನ್-ರೆಸಿಸ್ಟೆನ್ಸ್‌ನೊಂದಿಗೆ MOSFET ಅನ್ನು ಆಯ್ಕೆ ಮಾಡುವುದರಿಂದ ಆನ್-ರೆಸಿಸ್ಟೆನ್ಸ್ ನಷ್ಟವನ್ನು ಕಡಿಮೆ ಮಾಡುತ್ತದೆ. ಸಾಮಾನ್ಯ ಕಡಿಮೆ-ಶಕ್ತಿಯ MOSFET ಆನ್-ರೆಸಿಸ್ಟೆನ್ಸ್ ಸಾಮಾನ್ಯವಾಗಿ ಹತ್ತಾರು ಮಿಲಿಯೋಮ್‌ಗಳಲ್ಲಿ, ಕೆಲವು ಮಿಲಿಯೋಮ್‌ಗಳಲ್ಲಿ ಇರುತ್ತದೆ. MOS ಆನ್-ಟೈಮ್ ಮತ್ತು ಕಟ್-ಆಫ್‌ನಲ್ಲಿ, MOS ನಾದ್ಯಂತ ವೋಲ್ಟೇಜ್‌ನ ತ್ವರಿತ ಪೂರ್ಣಗೊಳಿಸುವಿಕೆಯಲ್ಲಿ ಇರಬಾರದು ಬೀಳುವ ಪ್ರಕ್ರಿಯೆ ಇರುತ್ತದೆ, ಪ್ರಸ್ತುತವು ಏರುವ ಪ್ರಕ್ರಿಯೆಯ ಮೂಲಕ ಹರಿಯುತ್ತದೆ, ಈ ಸಮಯದಲ್ಲಿ, MOSFET ನಷ್ಟವಾಗುತ್ತದೆ ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಮತ್ತು ಪ್ರವಾಹದ ಉತ್ಪನ್ನವನ್ನು ಸ್ವಿಚಿಂಗ್ ನಷ್ಟ ಎಂದು ಕರೆಯಲಾಗುತ್ತದೆ. ಸಾಮಾನ್ಯವಾಗಿ ಸ್ವಿಚಿಂಗ್ ನಷ್ಟವು ವಹನ ನಷ್ಟಕ್ಕಿಂತ ಹೆಚ್ಚು ದೊಡ್ಡದಾಗಿದೆ, ಮತ್ತು ವೇಗವಾಗಿ ಸ್ವಿಚಿಂಗ್ ಆವರ್ತನ, ದೊಡ್ಡ ನಷ್ಟ. ವಹನದ ಕ್ಷಣದಲ್ಲಿ ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಮತ್ತು ಪ್ರವಾಹದ ದೊಡ್ಡ ಉತ್ಪನ್ನವು ದೊಡ್ಡ ನಷ್ಟವನ್ನು ಉಂಟುಮಾಡುತ್ತದೆ. ಸ್ವಿಚಿಂಗ್ ಸಮಯವನ್ನು ಕಡಿಮೆ ಮಾಡುವುದರಿಂದ ಪ್ರತಿ ವಹನದಲ್ಲಿ ನಷ್ಟವನ್ನು ಕಡಿಮೆ ಮಾಡುತ್ತದೆ; ಸ್ವಿಚಿಂಗ್ ಆವರ್ತನವನ್ನು ಕಡಿಮೆ ಮಾಡುವುದರಿಂದ ಪ್ರತಿ ಯುನಿಟ್ ಸಮಯಕ್ಕೆ ಸ್ವಿಚ್‌ಗಳ ಸಂಖ್ಯೆಯನ್ನು ಕಡಿಮೆ ಮಾಡುತ್ತದೆ. ಎರಡೂ ವಿಧಾನಗಳು ಸ್ವಿಚಿಂಗ್ ನಷ್ಟವನ್ನು ಕಡಿಮೆ ಮಾಡಬಹುದು.

 
4, MOSFET ಡ್ರೈವ್

ಬೈಪೋಲಾರ್ ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್‌ಗಳಿಗೆ ಹೋಲಿಸಿದರೆ, MOSFET ನಡೆಸುವಿಕೆಯನ್ನು ಮಾಡಲು ಯಾವುದೇ ಕರೆಂಟ್ ಅಗತ್ಯವಿಲ್ಲ ಎಂದು ಸಾಮಾನ್ಯವಾಗಿ ಊಹಿಸಲಾಗಿದೆ, GS ವೋಲ್ಟೇಜ್ ನಿರ್ದಿಷ್ಟ ಮೌಲ್ಯಕ್ಕಿಂತ ಹೆಚ್ಚಾಗಿರುತ್ತದೆ. ಇದನ್ನು ಮಾಡುವುದು ಸುಲಭ, ಆದಾಗ್ಯೂ, ನಮಗೆ ವೇಗವೂ ಬೇಕು. MOSFET ನ ರಚನೆಯಲ್ಲಿ GS, GD ನಡುವೆ ಪರಾವಲಂಬಿ ಧಾರಣವಿದೆ ಎಂದು ನೀವು ನೋಡಬಹುದು ಮತ್ತು MOSFET ನ ಚಾಲನೆಯು ಸಿದ್ಧಾಂತದಲ್ಲಿ, ಸಾಮರ್ಥ್ಯದ ಚಾರ್ಜ್ ಮತ್ತು ಡಿಸ್ಚಾರ್ಜ್ ಆಗಿದೆ. ಕೆಪಾಸಿಟರ್ ಅನ್ನು ಚಾರ್ಜ್ ಮಾಡಲು ಕರೆಂಟ್ ಅಗತ್ಯವಿರುತ್ತದೆ ಮತ್ತು ಕೆಪಾಸಿಟರ್ ಅನ್ನು ತಕ್ಷಣವೇ ಚಾರ್ಜ್ ಮಾಡುವುದರಿಂದ ಶಾರ್ಟ್ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ ಆಗಿ ವೀಕ್ಷಿಸಬಹುದು, ತತ್ಕ್ಷಣದ ಪ್ರವಾಹವು ಅಧಿಕವಾಗಿರುತ್ತದೆ. MOSFET ಡ್ರೈವ್‌ನ ಆಯ್ಕೆ / ವಿನ್ಯಾಸವು ಗಮನ ಕೊಡಬೇಕಾದ ಮೊದಲ ವಿಷಯವೆಂದರೆ ತತ್‌ಕ್ಷಣದ ಶಾರ್ಟ್-ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ ಪ್ರವಾಹದ ಗಾತ್ರವನ್ನು ಒದಗಿಸಬಹುದು. ಗಮನ ಕೊಡಬೇಕಾದ ಎರಡನೆಯ ವಿಷಯವೆಂದರೆ, ಸಾಮಾನ್ಯವಾಗಿ ಉನ್ನತ-ಮಟ್ಟದ ಡ್ರೈವ್ NMOS ನಲ್ಲಿ ಬಳಸಲಾಗುತ್ತದೆ, ಬೇಡಿಕೆಯ ಮೇರೆಗೆ ಗೇಟ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ಗಿಂತ ಹೆಚ್ಚಾಗಿರುತ್ತದೆ. ಹೈ-ಎಂಡ್ ಡ್ರೈವ್ MOS ಟ್ಯೂಬ್ ವಹನ ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಮತ್ತು ಡ್ರೈನ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (VCC) ಒಂದೇ, ಆದ್ದರಿಂದ VCC 4V ಅಥವಾ 10V ಗಿಂತ ಗೇಟ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್. ಅದೇ ವ್ಯವಸ್ಥೆಯಲ್ಲಿ, VCC ಗಿಂತ ದೊಡ್ಡ ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಪಡೆಯಲು, ನಮಗೆ ವಿಶೇಷ ಬೂಸ್ಟ್ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ ಅಗತ್ಯವಿದೆ. ಅನೇಕ ಮೋಟಾರು ಚಾಲಕರು ಇಂಟಿಗ್ರೇಟೆಡ್ ಚಾರ್ಜ್ ಪಂಪ್ ಆಗಿದ್ದು, MOSFET ಅನ್ನು ಚಾಲನೆ ಮಾಡಲು ಸಾಕಷ್ಟು ಶಾರ್ಟ್-ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ ಕರೆಂಟ್ ಅನ್ನು ಪಡೆಯಲು ಸೂಕ್ತವಾದ ಬಾಹ್ಯ ಕೆಪಾಸಿಟರ್ ಅನ್ನು ಆಯ್ಕೆ ಮಾಡಬೇಕು ಎಂಬುದರ ಬಗ್ಗೆ ಗಮನ ಹರಿಸಬೇಕು. ಮೇಲೆ ಹೇಳಲಾದ 4V ಅಥವಾ 10V ಅನ್ನು ಸಾಮಾನ್ಯವಾಗಿ ವೋಲ್ಟೇಜ್‌ನಲ್ಲಿ MOSFET ಅನ್ನು ಬಳಸಲಾಗುತ್ತದೆ, ಸಹಜವಾಗಿ ವಿನ್ಯಾಸ, ನಿರ್ದಿಷ್ಟ ಅಂಚು ಹೊಂದಿರಬೇಕು. ಹೆಚ್ಚಿನ ವೋಲ್ಟೇಜ್, ವೇಗವಾಗಿ ಆನ್-ಸ್ಟೇಟ್ ವೇಗ ಮತ್ತು ಕಡಿಮೆ ಆನ್-ಸ್ಟೇಟ್ ಪ್ರತಿರೋಧ. ಸಾಮಾನ್ಯವಾಗಿ ವಿವಿಧ ವಿಭಾಗಗಳಲ್ಲಿ ಚಿಕ್ಕದಾದ ಆನ್-ಸ್ಟೇಟ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ MOSFET ಗಳನ್ನು ಬಳಸಲಾಗುತ್ತದೆ, ಆದರೆ 12V ಆಟೋಮೋಟಿವ್ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನಿಕ್ಸ್ ವ್ಯವಸ್ಥೆಗಳಲ್ಲಿ, ಸಾಮಾನ್ಯ 4V ಆನ್-ಸ್ಟೇಟ್ ಸಾಕು.

 

 

MOSFET ನ ಮುಖ್ಯ ನಿಯತಾಂಕಗಳು ಈ ಕೆಳಗಿನಂತಿವೆ:

 

1. ಗೇಟ್ ಮೂಲ ಸ್ಥಗಿತ ವೋಲ್ಟೇಜ್ BVGS - ಗೇಟ್ ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಅನ್ನು ಹೆಚ್ಚಿಸುವ ಪ್ರಕ್ರಿಯೆಯಲ್ಲಿ, ಶೂನ್ಯದಿಂದ ಗೇಟ್ ಪ್ರಸ್ತುತ IG ಗೇಟ್ ಮೂಲ ಸ್ಥಗಿತ ವೋಲ್ಟೇಜ್ BVGS ಎಂದು ಕರೆಯಲ್ಪಡುವ VGS ನಲ್ಲಿ ತೀಕ್ಷ್ಣವಾದ ಹೆಚ್ಚಳವನ್ನು ಪ್ರಾರಂಭಿಸುತ್ತದೆ.

 

2. ಟರ್ನ್-ಆನ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ VT - ಟರ್ನ್-ಆನ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ಇದನ್ನು ಥ್ರೆಶೋಲ್ಡ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಎಂದೂ ಕರೆಯಲಾಗುತ್ತದೆ): ಮೂಲ S ಅನ್ನು ಮಾಡಿ ಮತ್ತು ವಾಹಕ ಚಾನಲ್‌ನ ಪ್ರಾರಂಭದ ನಡುವೆ D ಡ್ರೈನ್ ಅಗತ್ಯವಿರುವ ಗೇಟ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಅನ್ನು ರೂಪಿಸುತ್ತದೆ; - ಪ್ರಮಾಣೀಕೃತ N-ಚಾನೆಲ್ MOSFET, VT ಸುಮಾರು 3 ~ 6V; - ಸುಧಾರಣೆಯ ಪ್ರಕ್ರಿಯೆಯ ನಂತರ, MOSFET VT ಮೌಲ್ಯವನ್ನು 2 ~ 3V ಗೆ ಇಳಿಸಬಹುದು.

 

3. ಡ್ರೈನ್ ಬ್ರೇಕ್‌ಡೌನ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ BVDS - VGS ಸ್ಥಿತಿಯ ಅಡಿಯಲ್ಲಿ = 0 (ಬಲವರ್ಧಿತ) , ಡ್ರೈನ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಅನ್ನು ಹೆಚ್ಚಿಸುವ ಪ್ರಕ್ರಿಯೆಯಲ್ಲಿ VDS ಅನ್ನು ಡ್ರೈನ್ ಬ್ರೇಕ್‌ಡೌನ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಎಂದು ಕರೆಯುವಾಗ ID ನಾಟಕೀಯವಾಗಿ ಹೆಚ್ಚಾಗಲು ಪ್ರಾರಂಭಿಸುತ್ತದೆ BVDS - ID ಕಾರಣದಿಂದ ನಾಟಕೀಯವಾಗಿ ಹೆಚ್ಚಾಗಿದೆ ಕೆಳಗಿನ ಎರಡು ಅಂಶಗಳು:

 

(1) ಡ್ರೈನ್ ಎಲೆಕ್ಟ್ರೋಡ್ ಬಳಿ ಸವಕಳಿ ಪದರದ ಹಿಮಪಾತದ ಸ್ಥಗಿತ

 

(2) ಡ್ರೈನ್-ಸೋರ್ಸ್ ಇಂಟರ್-ಪೋಲ್ ಪೆನೆಟ್ರೇಶನ್ ಸ್ಥಗಿತ - ಕೆಲವು ಸಣ್ಣ ವೋಲ್ಟೇಜ್ MOSFET, ಅದರ ಚಾನಲ್ ಉದ್ದವು ಚಿಕ್ಕದಾಗಿದೆ, ಕಾಲಕಾಲಕ್ಕೆ VDS ಅನ್ನು ಹೆಚ್ಚಿಸಲು ಕಾಲಕಾಲಕ್ಕೆ ಸವಕಳಿ ಪದರದ ಡ್ರೈನ್ ಪ್ರದೇಶವನ್ನು ಮೂಲ ಪ್ರದೇಶಕ್ಕೆ ವಿಸ್ತರಿಸುವಂತೆ ಮಾಡುತ್ತದೆ , ಆದ್ದರಿಂದ ಶೂನ್ಯದ ಚಾನಲ್ ಉದ್ದ, ಅಂದರೆ ಡ್ರೈನ್-ಮೂಲದ ನುಗ್ಗುವಿಕೆ, ನುಗ್ಗುವಿಕೆ, ಬಹುಪಾಲು ವಾಹಕಗಳ ಮೂಲ ಪ್ರದೇಶ, ಮೂಲ ಪ್ರದೇಶ, ವಿದ್ಯುತ್ ಕ್ಷೇತ್ರದ ಹೀರಿಕೊಳ್ಳುವಿಕೆಯ ಸವಕಳಿ ಪದರವನ್ನು ತಡೆದುಕೊಳ್ಳಲು ನೇರವಾಗಿರುತ್ತದೆ, ಸೋರಿಕೆ ಪ್ರದೇಶವನ್ನು ತಲುಪಲು, ದೊಡ್ಡ ID ಗೆ ಕಾರಣವಾಗುತ್ತದೆ.

 

4. DC ಇನ್‌ಪುಟ್ ಪ್ರತಿರೋಧ RGS-ಅಂದರೆ, ಗೇಟ್ ಮೂಲ ಮತ್ತು ಗೇಟ್ ಕರೆಂಟ್‌ನ ನಡುವೆ ಸೇರಿಸಲಾದ ವೋಲ್ಟೇಜ್‌ನ ಅನುಪಾತ, ಈ ಗುಣಲಕ್ಷಣವನ್ನು ಕೆಲವೊಮ್ಮೆ ಗೇಟ್‌ನ ಮೂಲಕ ಹರಿಯುವ ಗೇಟ್ ಕರೆಂಟ್‌ನಲ್ಲಿ ವ್ಯಕ್ತಪಡಿಸಲಾಗುತ್ತದೆ MOSFET ನ RGS ಸುಲಭವಾಗಿ 1010Ω ಅನ್ನು ಮೀರಬಹುದು. 5.

 

5. ಪರಿಸ್ಥಿತಿಗಳ ಸ್ಥಿರ ಮೌಲ್ಯಕ್ಕಾಗಿ VDS ನಲ್ಲಿ ಕಡಿಮೆ-ಆವರ್ತನ ಟ್ರಾನ್ಸ್‌ಕಂಡಕ್ಟನ್ಸ್ gm, ಡ್ರೈನ್ ಕರೆಂಟ್‌ನ ಮೈಕ್ರೋವೇರಿಯನ್ಸ್ ಮತ್ತು ಈ ಬದಲಾವಣೆಯಿಂದ ಉಂಟಾಗುವ ಗೇಟ್ ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಮೈಕ್ರೋವೇರಿಯನ್ಸ್ ಅನ್ನು ಟ್ರಾನ್ಸ್‌ಕಂಡಕ್ಟನ್ಸ್ gm ಎಂದು ಕರೆಯಲಾಗುತ್ತದೆ, ಇದು ಗೇಟ್ ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್‌ನ ನಿಯಂತ್ರಣವನ್ನು ಪ್ರತಿಬಿಂಬಿಸುತ್ತದೆ ಡ್ರೈನ್ ಕರೆಂಟ್ ಒಂದು ಪ್ರಮುಖ ನಿಯತಾಂಕದ MOSFET ವರ್ಧನೆಯು ಸಾಮಾನ್ಯವಾಗಿ ಕೆಲದಿಂದ ಕೆಲವು mA / V ವ್ಯಾಪ್ತಿಯಲ್ಲಿದೆ ಎಂದು ತೋರಿಸುತ್ತದೆ. MOSFET ಸುಲಭವಾಗಿ 1010Ω ಅನ್ನು ಮೀರಬಹುದು.