ಹೆಚ್ಚಿನ ಶಕ್ತಿಯ MOSFET ಡ್ರೈವಿಂಗ್ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ನ ಉತ್ಪಾದನಾ ವಿಧಾನ

ಎರಡು ಮುಖ್ಯ ಪರಿಹಾರಗಳಿವೆ:

ಒಂದು MOSFET ಅನ್ನು ಓಡಿಸಲು ಮೀಸಲಾದ ಡ್ರೈವರ್ ಚಿಪ್ ಅನ್ನು ಬಳಸುವುದು, ಅಥವಾ ವೇಗದ ಫೋಟೊಕಪ್ಲರ್‌ಗಳ ಬಳಕೆ, ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್‌ಗಳು MOSFET ಅನ್ನು ಚಾಲನೆ ಮಾಡಲು ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ ಅನ್ನು ರೂಪಿಸುತ್ತವೆ, ಆದರೆ ಮೊದಲ ವಿಧದ ವಿಧಾನಕ್ಕೆ ಸ್ವತಂತ್ರ ವಿದ್ಯುತ್ ಪೂರೈಕೆಯ ಅಗತ್ಯವಿರುತ್ತದೆ; MOSFET ಅನ್ನು ಓಡಿಸಲು ಇತರ ರೀತಿಯ ಪಲ್ಸ್ ಟ್ರಾನ್ಸ್‌ಫಾರ್ಮರ್, ಮತ್ತು ಪಲ್ಸ್ ಡ್ರೈವ್ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್‌ನಲ್ಲಿ, ಡ್ರೈವಿಂಗ್ ಸಾಮರ್ಥ್ಯವನ್ನು ಹೆಚ್ಚಿಸಲು ಡ್ರೈವ್ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್‌ನ ಸ್ವಿಚಿಂಗ್ ಆವರ್ತನವನ್ನು ಹೇಗೆ ಸುಧಾರಿಸುವುದು, ಸಾಧ್ಯವಾದಷ್ಟು, ಘಟಕಗಳ ಸಂಖ್ಯೆಯನ್ನು ಕಡಿಮೆ ಮಾಡುವುದು ತುರ್ತು ಅಗತ್ಯವಾಗಿದೆ ಪರಿಹರಿಸಲುಪ್ರಸ್ತುತ ಸಮಸ್ಯೆಗಳು.

ಮೊದಲ ವಿಧದ ಡ್ರೈವ್ ಯೋಜನೆ, ಅರ್ಧ-ಸೇತುವೆಗೆ ಎರಡು ಸ್ವತಂತ್ರ ವಿದ್ಯುತ್ ಸರಬರಾಜುಗಳು ಬೇಕಾಗುತ್ತವೆ; ಪೂರ್ಣ-ಸೇತುವೆಗೆ ಮೂರು ಸ್ವತಂತ್ರ ವಿದ್ಯುತ್ ಸರಬರಾಜುಗಳು, ಅರ್ಧ-ಸೇತುವೆ ಮತ್ತು ಪೂರ್ಣ-ಸೇತುವೆ ಎರಡೂ ಅಗತ್ಯವಿರುತ್ತದೆ, ಹಲವಾರು ಘಟಕಗಳು, ವೆಚ್ಚ ಕಡಿತಕ್ಕೆ ಅನುಕೂಲಕರವಾಗಿಲ್ಲ.

ಎರಡನೆಯ ವಿಧದ ಚಾಲನಾ ಕಾರ್ಯಕ್ರಮ, ಮತ್ತು ಪೇಟೆಂಟ್ ಆವಿಷ್ಕಾರದ ಹೆಸರಿಗೆ "ಉನ್ನತ ಶಕ್ತಿ" ಗಾಗಿ ಅತ್ಯಂತ ಹತ್ತಿರದ ಪೂರ್ವ ಕಲೆಯಾಗಿದೆ.MOSFET ಡ್ರೈವ್ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್" ಪೇಟೆಂಟ್ (ಅಪ್ಲಿಕೇಶನ್ ಸಂಖ್ಯೆ 200720309534. 8), ಪೇಟೆಂಟ್ ಉನ್ನತ-ಶಕ್ತಿಯ MOSFET ಚಾರ್ಜ್‌ನ ಗೇಟ್ ಮೂಲವನ್ನು ಬಿಡುಗಡೆ ಮಾಡಲು ಡಿಸ್ಚಾರ್ಜ್ ಪ್ರತಿರೋಧವನ್ನು ಮಾತ್ರ ಸೇರಿಸುತ್ತದೆ, ಸ್ಥಗಿತಗೊಳಿಸುವ ಉದ್ದೇಶವನ್ನು ಸಾಧಿಸಲು, PWM ಸಿಗ್ನಲ್‌ನ ಬೀಳುವ ಅಂಚು ದೊಡ್ಡದಾಗಿದೆ. PWM ಸಿಗ್ನಲ್‌ನ ಬೀಳುವ ಅಂಚು ದೊಡ್ಡದಾಗಿದೆ, ಇದು MOSFET ನ ನಿಧಾನ ಸ್ಥಗಿತಕ್ಕೆ ಕಾರಣವಾಗುತ್ತದೆ, ವಿದ್ಯುತ್ ನಷ್ಟವು ತುಂಬಾ ದೊಡ್ಡದಾಗಿದೆ;

ಜೊತೆಗೆ, ಪೇಟೆಂಟ್ ಪ್ರೋಗ್ರಾಂ MOSFET ಕೆಲಸವು ಹಸ್ತಕ್ಷೇಪಕ್ಕೆ ಒಳಗಾಗುತ್ತದೆ, ಮತ್ತು PWM ನಿಯಂತ್ರಣ ಚಿಪ್ ದೊಡ್ಡ ಔಟ್ಪುಟ್ ಪವರ್ ಅನ್ನು ಹೊಂದಿರಬೇಕು, ಚಿಪ್ನ ಉಷ್ಣತೆಯು ಅಧಿಕವಾಗಿರುತ್ತದೆ, ಇದು ಚಿಪ್ನ ಸೇವೆಯ ಜೀವನದ ಮೇಲೆ ಪರಿಣಾಮ ಬೀರುತ್ತದೆ. ಆವಿಷ್ಕಾರದ ವಿಷಯಗಳು ಈ ಉಪಯುಕ್ತತೆಯ ಮಾದರಿಯ ಉದ್ದೇಶವು ಹೆಚ್ಚಿನ ಶಕ್ತಿಯ MOSFET ಡ್ರೈವ್ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ ಅನ್ನು ಒದಗಿಸುವುದು, ಈ ಉಪಯುಕ್ತತೆಯ ಮಾದರಿಯ ಆವಿಷ್ಕಾರದ ಉದ್ದೇಶವನ್ನು ಸಾಧಿಸಲು ಹೆಚ್ಚು ಸ್ಥಿರ ಮತ್ತು ಶೂನ್ಯ ಕೆಲಸ ಮಾಡುವುದು ತಾಂತ್ರಿಕ ಪರಿಹಾರ - ಹೆಚ್ಚಿನ ಶಕ್ತಿಯ MOSFET ಡ್ರೈವ್ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್, ಸಿಗ್ನಲ್ ಔಟ್ಪುಟ್ PWM ನಿಯಂತ್ರಣ ಚಿಪ್ ಪ್ರಾಥಮಿಕ ಪಲ್ಸ್ ಟ್ರಾನ್ಸ್ಫಾರ್ಮರ್ಗೆ ಸಂಪರ್ಕ ಹೊಂದಿದೆ, ದಿ ಮೊದಲ ಔಟ್ಪುಟ್ oದ್ವಿತೀಯ ಪಲ್ಸ್ ಟ್ರಾನ್ಸ್ಫಾರ್ಮರ್ ಅನ್ನು ಮೊದಲ MOSFET ಗೇಟ್‌ಗೆ ಸಂಪರ್ಕಿಸಲಾಗಿದೆ, ದ್ವಿತೀಯ ಪಲ್ಸ್ ಟ್ರಾನ್ಸ್‌ಫಾರ್ಮರ್‌ನ ಎರಡನೇ ಔಟ್‌ಪುಟ್ ಅನ್ನು ಮೊದಲ MOSFET ಗೇಟ್‌ಗೆ ಸಂಪರ್ಕಿಸಲಾಗಿದೆ, ದ್ವಿತೀಯ ಪಲ್ಸ್ ಟ್ರಾನ್ಸ್‌ಫಾರ್ಮರ್‌ನ ಎರಡನೇ ಔಟ್‌ಪುಟ್ ಅನ್ನು ಮೊದಲ MOSFET ಗೇಟ್‌ಗೆ ಸಂಪರ್ಕಿಸಲಾಗಿದೆ. ಪಲ್ಸ್ ಟ್ರಾನ್ಸ್‌ಫಾರ್ಮರ್ ಸೆಕೆಂಡರಿಯ ಮೊದಲ ಔಟ್‌ಪುಟ್ ಅನ್ನು ಮೊದಲ MOSFET ನ ಗೇಟ್‌ಗೆ ಸಂಪರ್ಕಿಸಲಾಗಿದೆ, ಪಲ್ಸ್ ಟ್ರಾನ್ಸ್‌ಫಾರ್ಮರ್ ಸೆಕೆಂಡರಿಯ ಎರಡನೇ ಔಟ್‌ಪುಟ್ ಅನ್ನು ಎರಡನೇ MOSFET ನ ಗೇಟ್‌ಗೆ ಸಂಪರ್ಕಿಸಲಾಗಿದೆ, ಇದು ಪಲ್ಸ್ ಟ್ರಾನ್ಸ್‌ಫಾರ್ಮರ್ ಸೆಕೆಂಡರಿಯ ಮೊದಲ ಔಟ್‌ಪುಟ್ ಅನ್ನು ಸಹ ಸಂಪರ್ಕಿಸಲಾಗಿದೆ. ಮೊದಲ ಡಿಸ್ಚಾರ್ಜ್ ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್‌ಗೆ, ಮತ್ತು ಪಲ್ಸ್ ಟ್ರಾನ್ಸ್‌ಫಾರ್ಮರ್ ಸೆಕೆಂಡರಿಯ ಎರಡನೇ ಔಟ್‌ಪುಟ್ ಕೂಡ ಎರಡನೇ ಡಿಸ್ಚಾರ್ಜ್ ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್‌ಗೆ ಸಂಪರ್ಕ ಹೊಂದಿದೆ. ಪಲ್ಸ್ ಟ್ರಾನ್ಸ್ಫಾರ್ಮರ್ನ ಪ್ರಾಥಮಿಕ ಭಾಗವು ಶಕ್ತಿಯ ಸಂಗ್ರಹಣೆ ಮತ್ತು ಬಿಡುಗಡೆ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ಗೆ ಸಂಪರ್ಕ ಹೊಂದಿದೆ.

ಎನರ್ಜಿ ಸ್ಟೋರೇಜ್ ರಿಲೀಸ್ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ ರೆಸಿಸ್ಟರ್, ಕೆಪಾಸಿಟರ್ ಮತ್ತು ಡಯೋಡ್ ಅನ್ನು ಒಳಗೊಂಡಿದೆ, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ ಮತ್ತು ಕೆಪಾಸಿಟರ್ ಅನ್ನು ಸಮಾನಾಂತರವಾಗಿ ಸಂಪರ್ಕಿಸಲಾಗಿದೆ ಮತ್ತು ಮೇಲೆ ತಿಳಿಸಿದ ಸಮಾನಾಂತರ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ ಅನ್ನು ಡಯೋಡ್‌ನೊಂದಿಗೆ ಸರಣಿಯಲ್ಲಿ ಸಂಪರ್ಕಿಸಲಾಗಿದೆ. ಉಪಯುಕ್ತತೆಯ ಮಾದರಿಯು ಪ್ರಯೋಜನಕಾರಿ ಪರಿಣಾಮವನ್ನು ಹೊಂದಿದೆ, ಯುಟಿಲಿಟಿ ಮಾದರಿಯು ಟ್ರಾನ್ಸ್‌ಫಾರ್ಮರ್‌ನ ಮೊದಲ ಔಟ್‌ಪುಟ್‌ಗೆ ಸಂಪರ್ಕಗೊಂಡಿರುವ ಮೊದಲ ಡಿಸ್ಚಾರ್ಜ್ ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಅನ್ನು ಹೊಂದಿದೆ ಮತ್ತು ಎರಡನೇ ಡಿಸ್ಚಾರ್ಜ್ ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಅನ್ನು ಪಲ್ಸ್ ಟ್ರಾನ್ಸ್‌ಫಾರ್ಮರ್‌ನ ಎರಡನೇ ಔಟ್‌ಪುಟ್‌ಗೆ ಸಂಪರ್ಕಿಸಲಾಗಿದೆ, ಇದರಿಂದಾಗಿ ಪಲ್ಸ್ ಟ್ರಾನ್ಸ್‌ಫಾರ್ಮರ್ ಕಡಿಮೆ ಔಟ್‌ಪುಟ್ ಮಾಡಿದಾಗ ಮಟ್ಟ, ಮೊದಲ MOSFET ಮತ್ತು ಎರಡನೇ MOSFET ಅನ್ನು MOSFET ನ ಸ್ಥಗಿತಗೊಳಿಸುವ ವೇಗವನ್ನು ಸುಧಾರಿಸಲು ಮತ್ತು ಕಡಿಮೆ ಮಾಡಲು ತ್ವರಿತವಾಗಿ ಬಿಡುಗಡೆ ಮಾಡಬಹುದು MOSFET ನಷ್ಟ. PWM ನಿಯಂತ್ರಣ ಚಿಪ್‌ನ ಸಿಗ್ನಲ್ ಪ್ರಾಥಮಿಕ ಔಟ್‌ಪುಟ್ ಮತ್ತು ಪಲ್ಸ್ ಟ್ರಾನ್ಸ್‌ಫಾರ್ಮರ್ ಪ್ರಾಥಮಿಕ ನಡುವಿನ ಸಿಗ್ನಲ್ ವರ್ಧನೆ MOSFET ಗೆ ಸಂಪರ್ಕ ಹೊಂದಿದೆ, ಇದನ್ನು ಸಿಗ್ನಲ್ ವರ್ಧನೆಗಾಗಿ ಬಳಸಬಹುದು. PWM ನಿಯಂತ್ರಣ ಚಿಪ್‌ನ ಸಿಗ್ನಲ್ ಔಟ್‌ಪುಟ್ ಮತ್ತು ಪ್ರಾಥಮಿಕ ಪಲ್ಸ್ ಟ್ರಾನ್ಸ್‌ಫಾರ್ಮರ್ ಅನ್ನು ಸಿಗ್ನಲ್ ವರ್ಧನೆಗಾಗಿ MOSFET ಗೆ ಸಂಪರ್ಕಿಸಲಾಗಿದೆ, ಇದು PWM ಸಿಗ್ನಲ್‌ನ ಚಾಲನಾ ಸಾಮರ್ಥ್ಯವನ್ನು ಇನ್ನಷ್ಟು ಸುಧಾರಿಸುತ್ತದೆ.

ಪ್ರಾಥಮಿಕ ನಾಡಿ ಪರಿವರ್ತಕವು ಶಕ್ತಿಯ ಶೇಖರಣಾ ಬಿಡುಗಡೆ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್‌ಗೆ ಸಂಪರ್ಕ ಹೊಂದಿದೆ, PWM ಸಿಗ್ನಲ್ ಕಡಿಮೆ ಮಟ್ಟದಲ್ಲಿದ್ದಾಗ, ಶಕ್ತಿ ಸಂಗ್ರಹ ಬಿಡುಗಡೆ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ PWM ಉನ್ನತ ಮಟ್ಟದಲ್ಲಿದ್ದಾಗ ಪಲ್ಸ್ ಟ್ರಾನ್ಸ್‌ಫಾರ್ಮರ್‌ನಲ್ಲಿ ಸಂಗ್ರಹವಾಗಿರುವ ಶಕ್ತಿಯನ್ನು ಬಿಡುಗಡೆ ಮಾಡುತ್ತದೆ, ಗೇಟ್ ಅನ್ನು ಖಚಿತಪಡಿಸುತ್ತದೆ ಮೊದಲ MOSFET ಮತ್ತು ಎರಡನೇ MOSFET ನ ಮೂಲವು ತುಂಬಾ ಕಡಿಮೆಯಾಗಿದೆ, ಇದು ಹಸ್ತಕ್ಷೇಪವನ್ನು ತಡೆಗಟ್ಟುವಲ್ಲಿ ಪಾತ್ರವನ್ನು ವಹಿಸುತ್ತದೆ.

ನಿರ್ದಿಷ್ಟ ಅನುಷ್ಠಾನದಲ್ಲಿ, ಸಿಗ್ನಲ್ ವರ್ಧನೆಗಾಗಿ ಕಡಿಮೆ-ಶಕ್ತಿಯ MOSFET Q1 ಅನ್ನು PWM ನಿಯಂತ್ರಣ ಚಿಪ್‌ನ ಸಿಗ್ನಲ್ ಔಟ್‌ಪುಟ್ ಟರ್ಮಿನಲ್ A ಮತ್ತು ಪಲ್ಸ್ ಟ್ರಾನ್ಸ್‌ಫಾರ್ಮರ್ Tl ನ ಪ್ರಾಥಮಿಕ ನಡುವೆ ಸಂಪರ್ಕಿಸಲಾಗಿದೆ, ಪಲ್ಸ್ ಟ್ರಾನ್ಸ್‌ಫಾರ್ಮರ್‌ನ ದ್ವಿತೀಯಕದ ಮೊದಲ ಔಟ್‌ಪುಟ್ ಟರ್ಮಿನಲ್ ಅನ್ನು ಸಂಪರ್ಕಿಸಲಾಗಿದೆ. ಡಯೋಡ್ D1 ಮತ್ತು ಡ್ರೈವಿಂಗ್ ರೆಸಿಸ್ಟರ್ Rl ಮೂಲಕ ಮೊದಲ MOSFET Q4 ನ ಗೇಟ್, ದ್ವಿತೀಯಕ ನಾಡಿ ಉತ್ಪಾದನೆಯ ಟರ್ಮಿನಲ್ ಟ್ರಾನ್ಸ್ಫಾರ್ಮರ್ ಅನ್ನು ಡಯೋಡ್ D2 ಮತ್ತು ಡ್ರೈವಿಂಗ್ ರೆಸಿಸ್ಟರ್ R2 ಮೂಲಕ ಎರಡನೇ MOSFET Q5 ನ ಗೇಟ್‌ಗೆ ಸಂಪರ್ಕಿಸಲಾಗಿದೆ, ಮತ್ತು ಪಲ್ಸ್ ಟ್ರಾನ್ಸ್‌ಫಾರ್ಮರ್‌ನ ದ್ವಿತೀಯಕದ ಮೊದಲ ಔಟ್‌ಪುಟ್ ಟರ್ಮಿನಲ್ ಅನ್ನು ಮೊದಲ ಡ್ರೈನ್ ಟ್ರಯೋಡ್ Q2 ಗೆ ಸಂಪರ್ಕಿಸಲಾಗಿದೆ ಮತ್ತು ಎರಡನೇ ಡ್ರೈನ್ ಟ್ರಯೋಡ್ Q3 ಆಗಿದೆ ಎರಡನೇ ಡ್ರೈನ್ ಟ್ರಯೋಡ್ Q3 ಗೆ ಸಹ ಸಂಪರ್ಕಗೊಂಡಿದೆ. MOSFET Q5, ಪಲ್ಸ್ ಟ್ರಾನ್ಸ್‌ಫಾರ್ಮರ್ ಸೆಕೆಂಡರಿಯ ಮೊದಲ ಔಟ್‌ಪುಟ್ ಟರ್ಮಿನಲ್ ಸಹ ಮೊದಲ ಡ್ರೈನ್ ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ Q2 ಗೆ ಸಂಪರ್ಕ ಹೊಂದಿದೆ ಮತ್ತು ಪಲ್ಸ್ ಟ್ರಾನ್ಸ್‌ಫಾರ್ಮರ್ ಸೆಕೆಂಡರಿಯ ಎರಡನೇ ಔಟ್‌ಪುಟ್ ಟರ್ಮಿನಲ್ ಸಹ ಎರಡನೇ ಡ್ರೈನ್ ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ Q3 ಗೆ ಸಂಪರ್ಕ ಹೊಂದಿದೆ.

ಮೊದಲ MOSFET Q4 ನ ಗೇಟ್ ಡ್ರೈನ್ ರೆಸಿಸ್ಟರ್ R3 ಗೆ ಸಂಪರ್ಕ ಹೊಂದಿದೆ, ಮತ್ತು ಎರಡನೇ MOSFET Q5 ನ ಗೇಟ್ ಡ್ರೈನ್ ರೆಸಿಸ್ಟರ್ R4 ಗೆ ಸಂಪರ್ಕ ಹೊಂದಿದೆ. ಪಲ್ಸ್ ಟ್ರಾನ್ಸ್‌ಫಾರ್ಮರ್‌ನ ಪ್ರಾಥಮಿಕ Tl ಸಹ ಶಕ್ತಿಯ ಶೇಖರಣೆ ಮತ್ತು ಬಿಡುಗಡೆ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್‌ಗೆ ಸಂಪರ್ಕ ಹೊಂದಿದೆ, ಮತ್ತು ಶಕ್ತಿಯ ಸಂಗ್ರಹಣೆ ಮತ್ತು ಬಿಡುಗಡೆ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ ರೆಸಿಸ್ಟರ್ R5, ಕೆಪಾಸಿಟರ್ Cl ಮತ್ತು ಡಯೋಡ್ D3 ಅನ್ನು ಒಳಗೊಂಡಿರುತ್ತದೆ ಮತ್ತು ರೆಸಿಸ್ಟರ್ R5 ಮತ್ತು ಕೆಪಾಸಿಟರ್ Cl ಅನ್ನು ಸಂಪರ್ಕಿಸಲಾಗಿದೆ. ಸಮಾನಾಂತರವಾಗಿ, ಮತ್ತು ಮೇಲೆ ತಿಳಿಸಲಾದ ಸಮಾನಾಂತರ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ ಅನ್ನು ಡಯೋಡ್ D3 ನೊಂದಿಗೆ ಸರಣಿಯಲ್ಲಿ ಸಂಪರ್ಕಿಸಲಾಗಿದೆ. PWM ಕಂಟ್ರೋಲ್ ಚಿಪ್‌ನಿಂದ PWM ಸಿಗ್ನಲ್ ಔಟ್‌ಪುಟ್ ಅನ್ನು ಕಡಿಮೆ-ಶಕ್ತಿಯ MOSFET Q2 ಗೆ ಸಂಪರ್ಕಿಸಲಾಗಿದೆ ಮತ್ತು ಕಡಿಮೆ-ಶಕ್ತಿ MOSFET Q2 ಅನ್ನು ಪಲ್ಸ್ ಟ್ರಾನ್ಸ್‌ಫಾರ್ಮರ್‌ನ ದ್ವಿತೀಯಕಕ್ಕೆ ಸಂಪರ್ಕಿಸಲಾಗಿದೆ. ಕಡಿಮೆ-ಶಕ್ತಿ MOSFET Ql ನಿಂದ ವರ್ಧಿಸುತ್ತದೆ ಮತ್ತು ಪಲ್ಸ್ ಟ್ರಾನ್ಸ್ಫಾರ್ಮರ್ Tl ನ ಪ್ರಾಥಮಿಕಕ್ಕೆ ಔಟ್ಪುಟ್ ಆಗಿದೆ. PWM ಸಿಗ್ನಲ್ ಹೆಚ್ಚಿರುವಾಗ, ಮೊದಲ ಔಟ್‌ಪುಟ್ ಟರ್ಮಿನಲ್ ಮತ್ತು ಎರಡನೇ ಔಟ್‌ಪುಟ್ ಟರ್ಮಿನಲ್ ಪಲ್ಸ್ ಟ್ರಾನ್ಸ್‌ಫಾರ್ಮರ್‌ನ ದ್ವಿತೀಯಕ Tl ಔಟ್‌ಪುಟ್ ಉನ್ನತ ಮಟ್ಟದ ಸಿಗ್ನಲ್‌ಗಳನ್ನು ಮೊದಲ MOSFET Q4 ಮತ್ತು ಎರಡನೇ MOSFET Q5 ಅನ್ನು ಓಡಿಸುತ್ತದೆ.

PWM ಸಿಗ್ನಲ್ ಕಡಿಮೆಯಾದಾಗ, ಪಲ್ಸ್ ಟ್ರಾನ್ಸ್‌ಫಾರ್ಮರ್‌ನ ಮೊದಲ ಔಟ್‌ಪುಟ್ ಮತ್ತು ಎರಡನೇ ಔಟ್‌ಪುಟ್ Tl ಸೆಕೆಂಡರಿ ಔಟ್‌ಪುಟ್ ಕಡಿಮೆ ಮಟ್ಟದ ಸಿಗ್ನಲ್‌ಗಳು, ಮೊದಲ ಡ್ರೈನ್ ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ Q2 ಮತ್ತು ಎರಡನೇ ಡ್ರೈನ್ ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ Q3 ವಹನ, ಡ್ರೈನ್ ರೆಸಿಸ್ಟರ್ R3 ಮೂಲಕ ಮೊದಲ MOSFETQ4 ಗೇಟ್ ಮೂಲ ಕೆಪಾಸಿಟನ್ಸ್, ಡಿಸ್ಚಾರ್ಜ್‌ಗಾಗಿ ಮೊದಲ ಡ್ರೈನ್ ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ Q2, ಡ್ರೈನ್ ರೆಸಿಸ್ಟರ್ ಮೂಲಕ ಎರಡನೇ MOSFETQ5 ಗೇಟ್ ಮೂಲ ಕೆಪಾಸಿಟನ್ಸ್ R4, ಡಿಸ್ಚಾರ್ಜ್ಗಾಗಿ ಎರಡನೇ ಡ್ರೈನ್ ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ Q3, ಡ್ರೈನ್ ರೆಸಿಸ್ಟರ್ R4 ಮೂಲಕ ಎರಡನೇ MOSFETQ5 ಗೇಟ್ ಸೋರ್ಸ್ ಕೆಪಾಸಿಟನ್ಸ್, ಡಿಸ್ಚಾರ್ಜ್ಗಾಗಿ ಎರಡನೇ ಡ್ರೈನ್ ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ Q3, ಡ್ರೈನ್ ರೆಸಿಸ್ಟರ್ R4 ಮೂಲಕ ಎರಡನೇ MOSFETQ5 ಗೇಟ್ ಮೂಲ ಕೆಪಾಸಿಟನ್ಸ್, ಡಿಸ್ಚಾರ್ಜ್ಗಾಗಿ ಎರಡನೇ ಡ್ರೈನ್ ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ Q3. ಎರಡನೇ MOSFETQ5 ಗೇಟ್ ಮೂಲ ಕೆಪಾಸಿಟನ್ಸ್ ಅನ್ನು ಡ್ರೈನ್ ರೆಸಿಸ್ಟರ್ R4 ಮತ್ತು ಎರಡನೇ ಡ್ರೈನ್ ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ Q3 ಮೂಲಕ ಬಿಡುಗಡೆ ಮಾಡಲಾಗುತ್ತದೆ, ಇದರಿಂದಾಗಿ ಮೊದಲ MOSFET Q4 ಮತ್ತು ಎರಡನೇ MOSFET Q5 ಅನ್ನು ವೇಗವಾಗಿ ಆಫ್ ಮಾಡಬಹುದು ಮತ್ತು ವಿದ್ಯುತ್ ನಷ್ಟವನ್ನು ಕಡಿಮೆ ಮಾಡಬಹುದು.

PWM ಸಿಗ್ನಲ್ ಕಡಿಮೆಯಾದಾಗ, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ R5, ಕೆಪಾಸಿಟರ್ Cl ಮತ್ತು ಡಯೋಡ್ D3 ಗಳಿಂದ ಕೂಡಿದ ಸಂಗ್ರಹಿತ ಶಕ್ತಿ ಬಿಡುಗಡೆ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ PWM ಅಧಿಕವಾಗಿರುವಾಗ ಪಲ್ಸ್ ಟ್ರಾನ್ಸ್‌ಫಾರ್ಮರ್‌ನಲ್ಲಿ ಸಂಗ್ರಹವಾಗಿರುವ ಶಕ್ತಿಯನ್ನು ಬಿಡುಗಡೆ ಮಾಡುತ್ತದೆ, ಇದು ಮೊದಲ MOSFET Q4 ಮತ್ತು ಎರಡನೇ MOSFET ನ ಗೇಟ್ ಮೂಲವನ್ನು ಖಚಿತಪಡಿಸುತ್ತದೆ. Q5 ಅತ್ಯಂತ ಕಡಿಮೆಯಾಗಿದೆ, ಇದು ಹಸ್ತಕ್ಷೇಪ-ವಿರೋಧಿ ಉದ್ದೇಶವನ್ನು ಪೂರೈಸುತ್ತದೆ. ಡಯೋಡ್ Dl ಮತ್ತು ಡಯೋಡ್ D2 ಔಟ್ಪುಟ್ ಪ್ರವಾಹವನ್ನು ಏಕಮುಖವಾಗಿ ನಡೆಸುತ್ತದೆ, ಹೀಗಾಗಿ PWM ತರಂಗರೂಪದ ಗುಣಮಟ್ಟವನ್ನು ಖಾತ್ರಿಗೊಳಿಸುತ್ತದೆ ಮತ್ತು ಅದೇ ಸಮಯದಲ್ಲಿ, ಇದು ಒಂದು ನಿರ್ದಿಷ್ಟ ಮಟ್ಟಿಗೆ ವಿರೋಧಿ ಹಸ್ತಕ್ಷೇಪದ ಪಾತ್ರವನ್ನು ವಹಿಸುತ್ತದೆ.