ಸ್ಮಾಲ್ ಕರೆಂಟ್ MOSFET ಹೋಲ್ಡಿಂಗ್ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ ಫ್ಯಾಬ್ರಿಕೇಶನ್ ಅಪ್ಲಿಕೇಶನ್

ಪ್ರತಿರೋಧಕಗಳು R1-R6, ಎಲೆಕ್ಟ್ರೋಲೈಟಿಕ್ ಕೆಪಾಸಿಟರ್‌ಗಳು C1-C3, ಕೆಪಾಸಿಟರ್ C4, PNP ಟ್ರಯೋಡ್ VD1, ಡಯೋಡ್‌ಗಳು D1-D2, ಮಧ್ಯಂತರ ರಿಲೇ K1, ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಹೋಲಿಕೆ, ಡ್ಯುಯಲ್ ಟೈಮ್ ಬೇಸ್ ಇಂಟಿಗ್ರೇಟೆಡ್ ಚಿಪ್ NE556, ಮತ್ತು MOSFET ಅನ್ನು ಒಳಗೊಂಡಿರುವ MOSFET ಹೋಲ್ಡಿಂಗ್ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ ಡ್ಯುಯಲ್ ಟೈಮ್ ಬೇಸ್‌ನ ಪಿನ್ ಸಂಖ್ಯೆ 6 ಅನ್ನು ಸಂಯೋಜಿಸಲಾಗಿದೆ ಚಿಪ್ NE556 ಸಿಗ್ನಲ್ ಇನ್‌ಪುಟ್ ಆಗಿ ಕಾರ್ಯನಿರ್ವಹಿಸುತ್ತದೆ ಮತ್ತು ಡ್ಯುಯಲ್-ಟೈಮ್ ಬೇಸ್ ಇಂಟಿಗ್ರೇಟೆಡ್ ಚಿಪ್ NE556 ನ ಪಿನ್ 6 ಗೆ ಅದೇ ಸಮಯದಲ್ಲಿ ಸಂಪರ್ಕಗೊಂಡಿರುವ ರೆಸಿಸ್ಟರ್ R1 ನ ಒಂದು ತುದಿಯನ್ನು ಸಿಗ್ನಲ್ ಇನ್‌ಪುಟ್ ಆಗಿ ಬಳಸಲಾಗುತ್ತದೆ, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ R1 ನ ಒಂದು ತುದಿಯನ್ನು ಪಿನ್ 14 ಗೆ ಸಂಪರ್ಕಿಸಲಾಗಿದೆ ಡ್ಯುಯಲ್-ಟೈಮ್ ಬೇಸ್ ಇಂಟಿಗ್ರೇಟೆಡ್ ಚಿಪ್ NE556, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ R2 ನ ಒಂದು ತುದಿ, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ R4 ನ ಒಂದು ತುದಿ, PNP ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ VD1 ರ ಹೊರಸೂಸುವಿಕೆ, MOSFET Q1 ನ ಡ್ರೈನ್, ಮತ್ತು DC ವಿದ್ಯುತ್ ಸರಬರಾಜು, ಮತ್ತು ರೆಸಿಸ್ಟರ್ R1 ನ ಇನ್ನೊಂದು ತುದಿಯು ಡ್ಯುಯಲ್-ಟೈಮ್ ಬೇಸ್ ಇಂಟಿಗ್ರೇಟೆಡ್ ಚಿಪ್ NE556 ನ ಪಿನ್ 1, ಡ್ಯುಯಲ್-ಟೈಮ್ ಬೇಸ್‌ನ ಪಿನ್ 2 ಗೆ ಸಂಪರ್ಕ ಹೊಂದಿದೆ. ಸಂಯೋಜಿತ ಚಿಪ್ NE556, ಕೆಪಾಸಿಟರ್ C1 ನ ಧನಾತ್ಮಕ ಎಲೆಕ್ಟ್ರೋಲೈಟಿಕ್ ಕೆಪಾಸಿಟನ್ಸ್ ಮತ್ತು ಮಧ್ಯಂತರ ರಿಲೇ. K1 ಸಾಮಾನ್ಯವಾಗಿ ಮುಚ್ಚಿದ ಸಂಪರ್ಕ K1-1, ಮಧ್ಯಂತರ ರಿಲೇ K1 ನ ಇನ್ನೊಂದು ತುದಿ ಸಾಮಾನ್ಯವಾಗಿ K1-1 ಸಂಪರ್ಕವನ್ನು ಮುಚ್ಚಿದೆ, ಎಲೆಕ್ಟ್ರೋಲೈಟಿಕ್ ಕೆಪಾಸಿಟರ್ C1 ನ ಋಣಾತ್ಮಕ ಧ್ರುವ ಮತ್ತು C3 ಕೆಪಾಸಿಟರ್ನ ಒಂದು ತುದಿಯು ವಿದ್ಯುತ್ ಸರಬರಾಜು ನೆಲಕ್ಕೆ ಸಂಪರ್ಕ ಹೊಂದಿದೆ, ಕೆಪಾಸಿಟರ್ C3 ನ ಇನ್ನೊಂದು ತುದಿ ಡ್ಯುಯಲ್ ಟೈಮ್ ಬೇಸ್ ಇಂಟಿಗ್ರೇಟೆಡ್ ಚಿಪ್ NE556 ನ ಪಿನ್ 3 ಗೆ ಸಂಪರ್ಕ ಹೊಂದಿದೆ, ಡ್ಯುಯಲ್ ಟೈಮ್ ಬೇಸ್ ಇಂಟಿಗ್ರೇಟೆಡ್ ಪಿನ್ 4 ಚಿಪ್ NE556 ಎಲೆಕ್ಟ್ರೋಲೈಟಿಕ್ ಕೆಪಾಸಿಟರ್ C2 ನ ಧನಾತ್ಮಕ ಧ್ರುವಕ್ಕೆ ಮತ್ತು ಅದೇ ಸಮಯದಲ್ಲಿ ರೆಸಿಸ್ಟರ್ R2 ನ ಇನ್ನೊಂದು ತುದಿಗೆ ಸಂಪರ್ಕ ಹೊಂದಿದೆ, ಮತ್ತು ಎಲೆಕ್ಟ್ರೋಲೈಟಿಕ್ ಕೆಪಾಸಿಟರ್ C2 ನ ಋಣಾತ್ಮಕ ಧ್ರುವವು ವಿದ್ಯುತ್ ಸರಬರಾಜು ನೆಲಕ್ಕೆ ಸಂಪರ್ಕ ಹೊಂದಿದೆ ಮತ್ತು ಎಲೆಕ್ಟ್ರೋಲೈಟಿಕ್ ಕೆಪಾಸಿಟರ್ C2 ನ ಋಣಾತ್ಮಕ ಧ್ರುವವನ್ನು ಸಂಪರ್ಕಿಸಲಾಗಿದೆ. ವಿದ್ಯುತ್ ಸರಬರಾಜು ನೆಲಕ್ಕೆ. C2 ನ ಋಣಾತ್ಮಕ ಧ್ರುವವು ವಿದ್ಯುತ್ ಸರಬರಾಜು ನೆಲಕ್ಕೆ ಸಂಪರ್ಕ ಹೊಂದಿದೆ, ಡ್ಯುಯಲ್ ಟೈಮ್ ಬೇಸ್ ಇಂಟಿಗ್ರೇಟೆಡ್ ಚಿಪ್ NE556 ನ ಪಿನ್ 5 ಅನ್ನು ರೆಸಿಸ್ಟರ್ R3 ನ ಒಂದು ತುದಿಗೆ ಸಂಪರ್ಕಿಸಲಾಗಿದೆ, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ R3 ನ ಇನ್ನೊಂದು ತುದಿಯು ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಹೋಲಿಕೆದಾರನ ಧನಾತ್ಮಕ ಹಂತದ ಇನ್ಪುಟ್ಗೆ ಸಂಪರ್ಕ ಹೊಂದಿದೆ. , ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಹೋಲಿಕೆದಾರನ ಋಣಾತ್ಮಕ ಹಂತದ ಇನ್ಪುಟ್ ಡಯೋಡ್ D1 ನ ಧನಾತ್ಮಕ ಧ್ರುವಕ್ಕೆ ಮತ್ತು ಅದೇ ಸಮಯದಲ್ಲಿ ಪ್ರತಿರೋಧಕ R4 ನ ಇನ್ನೊಂದು ತುದಿಗೆ ಸಂಪರ್ಕ ಹೊಂದಿದೆ, ಋಣಾತ್ಮಕ ಧ್ರುವ ಡಯೋಡ್ D1 ವಿದ್ಯುತ್ ಸರಬರಾಜು ನೆಲಕ್ಕೆ ಸಂಪರ್ಕ ಹೊಂದಿದೆ, ಮತ್ತು ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಹೋಲಿಕೆಯ ಔಟ್ಪುಟ್ ರೆಸಿಸ್ಟರ್ R5 ನ ಅಂತ್ಯಕ್ಕೆ ಸಂಪರ್ಕ ಹೊಂದಿದೆ, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ R5 ನ ಇನ್ನೊಂದು ತುದಿಯನ್ನು PNP ಟ್ರಿಪ್ಲೆಕ್ಸ್ಗೆ ಸಂಪರ್ಕಿಸಲಾಗಿದೆ. ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಹೋಲಿಕೆಯ ಔಟ್ಪುಟ್ ರೆಸಿಸ್ಟರ್ R5 ನ ಒಂದು ತುದಿಗೆ ಸಂಪರ್ಕ ಹೊಂದಿದೆ, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ R5 ನ ಇನ್ನೊಂದು ತುದಿಯು PNP ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ VD1 ನ ತಳಕ್ಕೆ ಸಂಪರ್ಕ ಹೊಂದಿದೆ, PNP ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ VD1 ನ ಸಂಗ್ರಾಹಕವು ಡಯೋಡ್ನ ಧನಾತ್ಮಕ ಧ್ರುವಕ್ಕೆ ಸಂಪರ್ಕ ಹೊಂದಿದೆ. D2, ಡಯೋಡ್ D2 ನ ಋಣಾತ್ಮಕ ಧ್ರುವವು ಪ್ರತಿರೋಧಕ R6 ನ ಅಂತ್ಯಕ್ಕೆ ಸಂಪರ್ಕ ಹೊಂದಿದೆ, ಕೆಪಾಸಿಟರ್ C4 ನ ಅಂತ್ಯ ಮತ್ತು ಗೇಟ್ ಅದೇ ಸಮಯದಲ್ಲಿ MOSFET, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ R6 ನ ಇನ್ನೊಂದು ತುದಿ, ಕೆಪಾಸಿಟರ್ C4 ನ ಇನ್ನೊಂದು ತುದಿ ಮತ್ತು ಮಧ್ಯಂತರ ರಿಲೇ K1 ನ ಇನ್ನೊಂದು ತುದಿಯು ವಿದ್ಯುತ್ ಸರಬರಾಜು ಭೂಮಿಗೆ ಸಂಪರ್ಕ ಹೊಂದಿದೆ ಮತ್ತು ಮಧ್ಯಂತರ ರಿಲೇ K1 ನ ಇನ್ನೊಂದು ತುದಿಯನ್ನು ಸಂಪರ್ಕಿಸಲಾಗಿದೆ. ಮೂಲದ ಮೂಲಕ್ಕೆMOSFET.

MOSFET ಧಾರಣ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್, A ಕಡಿಮೆ ಟ್ರಿಗ್ಗರ್ ಸಿಗ್ನಲ್ ಅನ್ನು ಒದಗಿಸಿದಾಗ, ಈ ಸಮಯದಲ್ಲಿ ಡ್ಯುಯಲ್ ಟೈಮ್ ಬೇಸ್ ಇಂಟಿಗ್ರೇಟೆಡ್ ಚಿಪ್ NE556 ಸೆಟ್, ಡ್ಯುಯಲ್ ಟೈಮ್ ಬೇಸ್ ಇಂಟಿಗ್ರೇಟೆಡ್ ಚಿಪ್ NE556 ಪಿನ್ 5 ಔಟ್‌ಪುಟ್ ಹೈ ಲೆವೆಲ್, ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಕಂಪೇಟರ್‌ನ ಧನಾತ್ಮಕ ಹಂತದ ಇನ್‌ಪುಟ್‌ಗೆ ಉನ್ನತ ಮಟ್ಟ, ಋಣಾತ್ಮಕ ರೆಸಿಸ್ಟರ್ R4 ಮತ್ತು ಡಯೋಡ್ D1 ಮೂಲಕ ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಹೋಲಿಕೆಯ ಹಂತದ ಇನ್ಪುಟ್ ಉಲ್ಲೇಖ ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಅನ್ನು ಒದಗಿಸಲು, ಈ ಸಮಯದಲ್ಲಿ, ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಹೋಲಿಕೆದಾರ ಔಟ್ಪುಟ್ ಉನ್ನತ ಮಟ್ಟದ, ಟ್ರಯೋಡ್ VD1 ನಡೆಸುವಂತೆ ಮಾಡಲು ಉನ್ನತ ಮಟ್ಟದ, ಟ್ರಯೋಡ್ VD1 ನ ಸಂಗ್ರಾಹಕದಿಂದ ಹರಿಯುವ ಪ್ರವಾಹವು ಡಯೋಡ್ D2 ಮೂಲಕ ಕೆಪಾಸಿಟರ್ C4 ಅನ್ನು ಚಾರ್ಜ್ ಮಾಡುತ್ತದೆ, ಮತ್ತು ಅದೇ ಸಮಯದಲ್ಲಿ, MOSFET Q1 ನಡೆಸುತ್ತದೆ, ಈ ಸಮಯದಲ್ಲಿ, ಮಧ್ಯಂತರ ರಿಲೇಯ ಸುರುಳಿ K1 ಹೀರಲ್ಪಡುತ್ತದೆ, ಮತ್ತು ಮಧ್ಯಂತರ ರಿಲೇ K1 ಸಾಮಾನ್ಯವಾಗಿ ಮುಚ್ಚಿದ ಸಂಪರ್ಕ K 1-1 ಸಂಪರ್ಕ ಕಡಿತಗೊಳ್ಳುತ್ತದೆ ಮತ್ತು ಮಧ್ಯಂತರ ಪ್ರಸಾರದ ನಂತರ K1 ಸಾಮಾನ್ಯವಾಗಿ ಮುಚ್ಚಿದ ಸಂಪರ್ಕ K 1-1 ಸಂಪರ್ಕ ಕಡಿತಗೊಂಡಿದೆ, ಡ್ಯುಯಲ್-ಟೈಮ್ ಬೇಸ್ ಇಂಟಿಗ್ರೇಟೆಡ್ ಚಿಪ್ NE556 ನ 1 ಮತ್ತು 2 ಅಡಿಗಳಿಗೆ DC ವಿದ್ಯುತ್ ಪೂರೈಕೆಯು ಪಿನ್ 1 ಮತ್ತು ಪಿನ್ 2 ಡ್ಯುಯಲ್-ಟೈಮ್‌ನಲ್ಲಿ ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಅನ್ನು ಸಂಗ್ರಹಿಸುವವರೆಗೆ ಪೂರೈಕೆ ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಅನ್ನು ಒದಗಿಸುತ್ತದೆ. ಬೇಸ್ ಇಂಟಿಗ್ರೇಟೆಡ್ ಚಿಪ್ NE556 ಅನ್ನು 2/3 ಪೂರೈಕೆ ವೋಲ್ಟೇಜ್‌ಗೆ ಚಾರ್ಜ್ ಮಾಡಲಾಗುತ್ತದೆ, ಡ್ಯುಯಲ್-ಟೈಮ್ ಬೇಸ್ ಇಂಟಿಗ್ರೇಟೆಡ್ ಚಿಪ್ NE556 ಸ್ವಯಂಚಾಲಿತವಾಗಿ ಮರುಹೊಂದಿಸಲಾಗುತ್ತದೆ, ಮತ್ತು ಡ್ಯುಯಲ್-ಟೈಮ್ ಬೇಸ್ ಇಂಟಿಗ್ರೇಟೆಡ್ ಚಿಪ್ NE556 ನ ಪಿನ್ 5 ಅನ್ನು ಸ್ವಯಂಚಾಲಿತವಾಗಿ ಕಡಿಮೆ ಮಟ್ಟಕ್ಕೆ ಮರುಸ್ಥಾಪಿಸಲಾಗುತ್ತದೆ ಮತ್ತು ನಂತರದ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್‌ಗಳು ಕಾರ್ಯನಿರ್ವಹಿಸುವುದಿಲ್ಲ, ಆದರೆ ಈ ಸಮಯದಲ್ಲಿ, ಕೆಪಾಸಿಟರ್ C4 ಅನ್ನು MOSFET Q1 ವಹನವನ್ನು ನಿರ್ವಹಿಸಲು ಬಿಡುಗಡೆ ಮಾಡಲಾಗುತ್ತದೆ ಕೆಪಾಸಿಟನ್ಸ್ C4 ಡಿಸ್ಚಾರ್ಜ್‌ನ ಅಂತ್ಯ ಮತ್ತು ಮಧ್ಯಂತರ ರಿಲೇ K1 ಕಾಯಿಲ್ ಬಿಡುಗಡೆ, ಮಧ್ಯಂತರ ರಿಲೇ K1 ಸಾಮಾನ್ಯವಾಗಿ ಮುಚ್ಚಿದ ಸಂಪರ್ಕ K 11 ಮುಚ್ಚಲಾಗಿದೆ, ಈ ಸಮಯದಲ್ಲಿ ಮುಚ್ಚಿದ ಮಧ್ಯಂತರ ರಿಲೇ K1 ಮೂಲಕ ಸಾಮಾನ್ಯವಾಗಿ ಮುಚ್ಚಿದ ಸಂಪರ್ಕ K 1-1 ಡ್ಯುಯಲ್ ಟೈಮ್ ಬೇಸ್ ಇಂಟಿಗ್ರೇಟೆಡ್ ಚಿಪ್ NE556 1 ಅಡಿ ಮತ್ತು 2 ಅಡಿ ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಬಿಡುಗಡೆ ಆಫ್ ಆಗಿರುತ್ತದೆ, ಮುಂದಿನ ಬಾರಿ ಡ್ಯುಯಲ್ ಟೈಮ್ ಬೇಸ್ ಇಂಟಿಗ್ರೇಟೆಡ್ ಚಿಪ್ NE556 ಪಿನ್‌ಗೆ 6 ಡ್ಯುಯಲ್ ಟೈಮ್ ಬೇಸ್ ಇಂಟಿಗ್ರೇಟೆಡ್ ಚಿಪ್ NE556 ಅನ್ನು ತಯಾರಿಸಲು ಕಡಿಮೆ ಪ್ರಚೋದಕ ಸಂಕೇತವನ್ನು ಒದಗಿಸಲು.

ಈ ಅಪ್ಲಿಕೇಶನ್‌ನ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ ರಚನೆಯು ಸರಳ ಮತ್ತು ನವೀನವಾಗಿದೆ, ಡ್ಯುಯಲ್ ಟೈಮ್ ಬೇಸ್ ಇಂಟಿಗ್ರೇಟೆಡ್ ಚಿಪ್ NE556 ಪಿನ್ 1 ಮತ್ತು ಪಿನ್ 2 ಪೂರೈಕೆ ವೋಲ್ಟೇಜ್‌ನ 2/3 ಗೆ ಚಾರ್ಜಿಂಗ್ ಮಾಡಿದಾಗ, ಡ್ಯುಯಲ್ ಟೈಮ್ ಬೇಸ್ ಇಂಟಿಗ್ರೇಟೆಡ್ ಚಿಪ್ NE556 ಅನ್ನು ಸ್ವಯಂಚಾಲಿತವಾಗಿ ಮರುಹೊಂದಿಸಬಹುದು, ಡ್ಯುಯಲ್ ಟೈಮ್ ಬೇಸ್ ಇಂಟಿಗ್ರೇಟೆಡ್ ಚಿಪ್ NE556 ಪಿನ್ 5 ಸ್ವಯಂಚಾಲಿತವಾಗಿ ಕಡಿಮೆ ಮಟ್ಟಕ್ಕೆ ಹಿಂತಿರುಗುತ್ತದೆ, ಇದರಿಂದಾಗಿ ನಂತರದ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್‌ಗಳು ಕಾರ್ಯನಿರ್ವಹಿಸುವುದಿಲ್ಲ, ಇದರಿಂದಾಗಿ ಸ್ವಯಂಚಾಲಿತವಾಗಿ ನಿಲ್ಲುತ್ತದೆ ಚಾರ್ಜಿಂಗ್ ಕೆಪಾಸಿಟರ್ C4, ಮತ್ತು MOSFET Q1 ವಾಹಕದಿಂದ ನಿರ್ವಹಿಸಲ್ಪಡುವ ಕೆಪಾಸಿಟರ್ C4 ಚಾರ್ಜಿಂಗ್ ಅನ್ನು ನಿಲ್ಲಿಸಿದ ನಂತರ, ಈ ಅಪ್ಲಿಕೇಶನ್ ನಿರಂತರವಾಗಿ ಇರಿಸಬಹುದುMOSFET3 ಸೆಕೆಂಡುಗಳ ಕಾಲ Q1 ವಾಹಕ.

ಇದು ಪ್ರತಿರೋಧಕಗಳು R1-R6, ಎಲೆಕ್ಟ್ರೋಲೈಟಿಕ್ ಕೆಪಾಸಿಟರ್‌ಗಳು C1-C3, ಕೆಪಾಸಿಟರ್ C4, PNP ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ VD1, ಡಯೋಡ್‌ಗಳು D1-D2, ಮಧ್ಯಂತರ ರಿಲೇ K1, ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಹೋಲಿಕೆ, ಡ್ಯುಯಲ್ ಟೈಮ್ ಬೇಸ್ ಇಂಟಿಗ್ರೇಟೆಡ್ ಚಿಪ್ NE556 ಮತ್ತು MOSFET Q1, ಡ್ಯುಯಲ್ ಟೈಮ್ ಬೇಸ್‌ನ ಪಿನ್ 6 ಅನ್ನು ಒಳಗೊಂಡಿದೆ. ಚಿಪ್ NE556 ಅನ್ನು ಸಿಗ್ನಲ್ ಇನ್‌ಪುಟ್ ಆಗಿ ಬಳಸಲಾಗುತ್ತದೆ, ಮತ್ತು ರೆಸಿಸ್ಟರ್ R1 ನ ಒಂದು ತುದಿಯು ಡ್ಯುಯಲ್ ಟೈಮ್ ಬೇಸ್ ಇಂಟಿಗ್ರೇಟೆಡ್ ಚಿಪ್ NE556 ರ ಪಿನ್ 14, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ R2, ಡ್ಯುಯಲ್ ಟೈಮ್ ಬೇಸ್ ಇಂಟಿಗ್ರೇಟೆಡ್ ಚಿಪ್ NE556 ನ ಪಿನ್ 14 ಮತ್ತು ಡ್ಯುಯಲ್ ಟೈಮ್ ಬೇಸ್ ಇಂಟಿಗ್ರೇಟೆಡ್ ಚಿಪ್ NE556 ನ ಪಿನ್ 14, ಮತ್ತು ರೆಸಿಸ್ಟರ್ R2 ಡ್ಯುಯಲ್ ಟೈಮ್ ಬೇಸ್ ಇಂಟಿಗ್ರೇಟೆಡ್ ಚಿಪ್‌ನ ಪಿನ್ 14 ಗೆ ಸಂಪರ್ಕಿಸಲಾಗಿದೆ NE556. ಡ್ಯುಯಲ್-ಟೈಮ್ ಬೇಸ್ ಇಂಟಿಗ್ರೇಟೆಡ್ ಚಿಪ್ NE556 ನ ಪಿನ್ 14, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ R2 ನ ಒಂದು ತುದಿ, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ R4 ನ ಒಂದು ತುದಿ, PNP ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್

ಯಾವ ರೀತಿಯ ಕೆಲಸದ ತತ್ವ?

A ಕಡಿಮೆ ಪ್ರಚೋದಕ ಸಂಕೇತವನ್ನು ಒದಗಿಸಿದಾಗ, ನಂತರ ಡ್ಯುಯಲ್-ಟೈಮ್ ಬೇಸ್ ಇಂಟಿಗ್ರೇಟೆಡ್ ಚಿಪ್ NE556 ಸೆಟ್, ಡ್ಯುಯಲ್-ಟೈಮ್ ಬೇಸ್ ಇಂಟಿಗ್ರೇಟೆಡ್ ಚಿಪ್ NE556 ಪಿನ್ 5 ಔಟ್‌ಪುಟ್ ಹೈ ಲೆವೆಲ್, ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಕಾಂಪಾರೇಟರ್‌ನ ಧನಾತ್ಮಕ ಹಂತದ ಇನ್‌ಪುಟ್‌ಗೆ ಹೆಚ್ಚಿನ ಮಟ್ಟ, ಋಣಾತ್ಮಕ ಹಂತದ ಇನ್‌ಪುಟ್ ರೆಸಿಸ್ಟರ್ R4 ಮತ್ತು ಡಯೋಡ್ D1 ಮೂಲಕ ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಹೋಲಿಕೆ ಮಾಡುವವರು ಉಲ್ಲೇಖ ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಅನ್ನು ಒದಗಿಸಲು, ಈ ಸಮಯದಲ್ಲಿ, ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಹೋಲಿಕೆಯ ಔಟ್ಪುಟ್ ಉನ್ನತ ಮಟ್ಟದ, ಉನ್ನತ ಮಟ್ಟದ ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ವಿಡಿ 1 ವಹನ, ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ವಿಡಿ 1 ನ ಸಂಗ್ರಾಹಕದಿಂದ ಡಯೋಡ್ ಡಿ 2 ಮೂಲಕ ಕೆಪಾಸಿಟರ್ ಸಿ 4 ಚಾರ್ಜಿಂಗ್ಗೆ ಪ್ರಸ್ತುತ ಹರಿಯುತ್ತದೆ, ಈ ಸಮಯದಲ್ಲಿ, ಮಧ್ಯಂತರ ರಿಲೇ ಕೆ 1 ಕಾಯಿಲ್ ಹೀರುವಿಕೆ, ಮಧ್ಯಂತರ ರಿಲೇ ಕೆ 1 ಕಾಯಿಲ್ ಹೀರುವಿಕೆ. ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ VD1 ನ ಸಂಗ್ರಾಹಕದಿಂದ ಹರಿಯುವ ಪ್ರವಾಹವನ್ನು ಡಯೋಡ್ D2 ಮೂಲಕ ಕೆಪಾಸಿಟರ್ C4 ಗೆ ಚಾರ್ಜ್ ಮಾಡಲಾಗುತ್ತದೆ ಮತ್ತು ಅದೇ ಸಮಯದಲ್ಲಿ,MOSFETಪ್ರ ಡ್ಯುಯಲ್ ಟೈಮ್‌ಬೇಸ್‌ನ 1 ಮತ್ತು 2 ಅಡಿಗಳಿಗೆ DC ವಿದ್ಯುತ್ ಮೂಲದಿಂದ ಒದಗಿಸಲಾದ ಪೂರೈಕೆ ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಚಿಪ್ NE556 ಅನ್ನು ಡ್ಯುಯಲ್-ಟೈಮ್ ಬೇಸ್ ಇಂಟಿಗ್ರೇಟೆಡ್ ಚಿಪ್ NE556 ನ ಪಿನ್ 1 ಮತ್ತು ಪಿನ್ 2 ನಲ್ಲಿನ ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಅನ್ನು 2/3 ಪೂರೈಕೆ ವೋಲ್ಟೇಜ್‌ಗೆ ಚಾರ್ಜ್ ಮಾಡಿದಾಗ, ಡ್ಯುಯಲ್-ಟೈಮ್ ಬೇಸ್ ಇಂಟಿಗ್ರೇಟೆಡ್ ಚಿಪ್ NE556 ಅನ್ನು ಸ್ವಯಂಚಾಲಿತವಾಗಿ ಮರುಹೊಂದಿಸಲಾಗುತ್ತದೆ ಮತ್ತು ಪಿನ್ 5 ಅನ್ನು ಸಂಗ್ರಹಿಸಲಾಗುತ್ತದೆ. ಡ್ಯುಯಲ್-ಟೈಮ್ ಬೇಸ್ ಇಂಟಿಗ್ರೇಟೆಡ್ ಚಿಪ್ NE556 ಅನ್ನು ಸ್ವಯಂಚಾಲಿತವಾಗಿ ಕಡಿಮೆ ಮಟ್ಟಕ್ಕೆ ಮರುಸ್ಥಾಪಿಸಲಾಗುತ್ತದೆ ಮತ್ತು ನಂತರದ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್‌ಗಳು ಕೆಲಸ ಮಾಡಬೇಡಿ, ಮತ್ತು ಈ ಸಮಯದಲ್ಲಿ, ಕೆಪಾಸಿಟರ್ C4 ವಿಸರ್ಜನೆಯ ಅಂತ್ಯದವರೆಗೆ MOSFET Q1 ವಹನವನ್ನು ನಿರ್ವಹಿಸಲು ಕೆಪಾಸಿಟರ್ C4 ಅನ್ನು ಬಿಡುಗಡೆ ಮಾಡಲಾಗುತ್ತದೆ ಮತ್ತು ಮಧ್ಯಂತರ ರಿಲೇ K1 ನ ಸುರುಳಿಯನ್ನು ಬಿಡುಗಡೆ ಮಾಡಲಾಗುತ್ತದೆ ಮತ್ತು ಮಧ್ಯಂತರ ರಿಲೇ K1 ಸಾಮಾನ್ಯವಾಗಿ ಸಂಪರ್ಕವನ್ನು ಮುಚ್ಚುತ್ತದೆ. 1-1 ಸಂಪರ್ಕ ಕಡಿತಗೊಂಡಿದೆ. ರಿಲೇ K1 ಸಾಮಾನ್ಯವಾಗಿ ಮುಚ್ಚಿದ ಸಂಪರ್ಕ K 1-1 ಅನ್ನು ಮುಚ್ಚಲಾಗಿದೆ, ಈ ಬಾರಿ ಮುಚ್ಚಿದ ಮಧ್ಯಂತರ ರಿಲೇ K1 ಮೂಲಕ ಸಾಮಾನ್ಯವಾಗಿ ಮುಚ್ಚಿದ ಸಂಪರ್ಕ K 1-1 ಡ್ಯುಯಲ್-ಟೈಮ್ ಬೇಸ್ ಇಂಟಿಗ್ರೇಟೆಡ್ ಚಿಪ್ NE556 1 ಅಡಿ ಮತ್ತು 2 ಅಡಿ ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಬಿಡುಗಡೆಯಲ್ಲಿ, ಮುಂದಿನ ಬಾರಿಗೆ ಡ್ಯುಯಲ್-ಟೈಮ್ ಬೇಸ್ ಇಂಟಿಗ್ರೇಟೆಡ್ ಚಿಪ್ NE556 ಪಿನ್ 6 ಅನ್ನು ಕಡಿಮೆ ಹೊಂದಿಸಲು ಪ್ರಚೋದಕ ಸಂಕೇತವನ್ನು ಒದಗಿಸಲು, ಡ್ಯುಯಲ್-ಟೈಮ್ ಬೇಸ್‌ಗೆ ಸಿದ್ಧತೆಗಳನ್ನು ಮಾಡಲು ಸಂಯೋಜಿತ ಚಿಪ್ NE556 ಸೆಟ್.