N-ಚಾನೆಲ್ MOSFET ಮತ್ತು P-ಚಾನೆಲ್ MOSFET ನಡುವಿನ ವ್ಯತ್ಯಾಸ! MOSFET ತಯಾರಕರನ್ನು ಉತ್ತಮವಾಗಿ ಆಯ್ಕೆ ಮಾಡಲು ನಿಮಗೆ ಸಹಾಯ ಮಾಡಿ!

MOSFET ಗಳನ್ನು ಆಯ್ಕೆಮಾಡುವಾಗ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ ವಿನ್ಯಾಸಕರು ಒಂದು ಪ್ರಶ್ನೆಯನ್ನು ಪರಿಗಣಿಸಿರಬೇಕು: ಅವರು P-ಚಾನೆಲ್ MOSFET ಅಥವಾ N-ಚಾನೆಲ್ MOSFET ಅನ್ನು ಆರಿಸಬೇಕೇ? ತಯಾರಕರಾಗಿ, ನಿಮ್ಮ ಉತ್ಪನ್ನಗಳು ಕಡಿಮೆ ಬೆಲೆಯಲ್ಲಿ ಇತರ ವ್ಯಾಪಾರಿಗಳೊಂದಿಗೆ ಸ್ಪರ್ಧಿಸಲು ನೀವು ಬಯಸಬೇಕು ಮತ್ತು ನೀವು ಪುನರಾವರ್ತಿತ ಹೋಲಿಕೆಗಳನ್ನು ಸಹ ಮಾಡಬೇಕಾಗುತ್ತದೆ. ಹಾಗಾದರೆ ಹೇಗೆ ಆಯ್ಕೆ ಮಾಡುವುದು? OLUKEY, 20 ವರ್ಷಗಳ ಅನುಭವ ಹೊಂದಿರುವ MOSFET ತಯಾರಕರು, ನಿಮ್ಮೊಂದಿಗೆ ಹಂಚಿಕೊಳ್ಳಲು ಬಯಸುತ್ತಾರೆ.

ವ್ಯತ್ಯಾಸ 1: ವಹನ ಗುಣಲಕ್ಷಣಗಳು

N-ಚಾನೆಲ್ MOS ನ ಗುಣಲಕ್ಷಣಗಳೆಂದರೆ Vgs ನಿರ್ದಿಷ್ಟ ಮೌಲ್ಯಕ್ಕಿಂತ ಹೆಚ್ಚಾದಾಗ ಅದು ಆನ್ ಆಗುತ್ತದೆ. ಗೇಟ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ 4V ಅಥವಾ 10V ತಲುಪುವವರೆಗೆ ಮೂಲವು ಗ್ರೌಂಡ್ ಮಾಡಿದಾಗ (ಲೋ-ಎಂಡ್ ಡ್ರೈವ್) ಬಳಕೆಗೆ ಸೂಕ್ತವಾಗಿದೆ. ಪಿ-ಚಾನೆಲ್ MOS ನ ಗುಣಲಕ್ಷಣಗಳಿಗೆ ಸಂಬಂಧಿಸಿದಂತೆ, Vgs ನಿರ್ದಿಷ್ಟ ಮೌಲ್ಯಕ್ಕಿಂತ ಕಡಿಮೆಯಾದಾಗ ಅದು ಆನ್ ಆಗುತ್ತದೆ, ಇದು ಮೂಲವನ್ನು VCC ಗೆ (ಹೈ-ಎಂಡ್ ಡ್ರೈವ್) ಸಂಪರ್ಕಿಸಿದಾಗ ಸಂದರ್ಭಗಳಿಗೆ ಸೂಕ್ತವಾಗಿದೆ.

ವ್ಯತ್ಯಾಸ 2:MOSFETಸ್ವಿಚಿಂಗ್ ನಷ್ಟ

ಅದು N-ಚಾನೆಲ್ MOS ಆಗಿರಲಿ ಅಥವಾ P-ಚಾನೆಲ್ MOS ಆಗಿರಲಿ, ಅದನ್ನು ಆನ್ ಮಾಡಿದ ನಂತರ ಆನ್-ರೆಸಿಸ್ಟೆನ್ಸ್ ಇರುತ್ತದೆ, ಆದ್ದರಿಂದ ಪ್ರಸ್ತುತವು ಈ ಪ್ರತಿರೋಧದ ಮೇಲೆ ಶಕ್ತಿಯನ್ನು ಬಳಸುತ್ತದೆ. ಸೇವಿಸುವ ಶಕ್ತಿಯ ಈ ಭಾಗವನ್ನು ವಹನ ನಷ್ಟ ಎಂದು ಕರೆಯಲಾಗುತ್ತದೆ. ಸಣ್ಣ ಆನ್-ರೆಸಿಸ್ಟೆನ್ಸ್‌ನೊಂದಿಗೆ MOSFET ಅನ್ನು ಆಯ್ಕೆ ಮಾಡುವುದರಿಂದ ವಹನ ನಷ್ಟವನ್ನು ಕಡಿಮೆ ಮಾಡುತ್ತದೆ ಮತ್ತು ಪ್ರಸ್ತುತ ಕಡಿಮೆ-ಶಕ್ತಿಯ MOSFET ಗಳ ಆನ್-ರೆಸಿಸ್ಟೆನ್ಸ್ ಸಾಮಾನ್ಯವಾಗಿ ಹತ್ತಾರು ಮಿಲಿಯೋಮ್‌ಗಳಷ್ಟಿರುತ್ತದೆ ಮತ್ತು ಹಲವಾರು ಮಿಲಿಯೋಮ್‌ಗಳು ಸಹ ಇವೆ. ಹೆಚ್ಚುವರಿಯಾಗಿ, MOS ಅನ್ನು ಆನ್ ಮತ್ತು ಆಫ್ ಮಾಡಿದಾಗ, ಅದನ್ನು ತಕ್ಷಣವೇ ಪೂರ್ಣಗೊಳಿಸಬಾರದು. ಕಡಿಮೆಯಾಗುವ ಪ್ರಕ್ರಿಯೆ ಇದೆ, ಮತ್ತು ಹರಿಯುವ ಪ್ರವಾಹವು ಹೆಚ್ಚುತ್ತಿರುವ ಪ್ರಕ್ರಿಯೆಯನ್ನು ಹೊಂದಿದೆ.

ಈ ಅವಧಿಯಲ್ಲಿ, MOSFET ನಷ್ಟವು ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಮತ್ತು ಪ್ರವಾಹದ ಉತ್ಪನ್ನವಾಗಿದೆ, ಇದನ್ನು ಸ್ವಿಚಿಂಗ್ ನಷ್ಟ ಎಂದು ಕರೆಯಲಾಗುತ್ತದೆ. ಸಾಮಾನ್ಯವಾಗಿ ಸ್ವಿಚಿಂಗ್ ನಷ್ಟಗಳು ವಹನ ನಷ್ಟಗಳಿಗಿಂತ ಹೆಚ್ಚು ದೊಡ್ಡದಾಗಿರುತ್ತವೆ ಮತ್ತು ಸ್ವಿಚಿಂಗ್ ಆವರ್ತನವು ಹೆಚ್ಚಿನದಾಗಿರುತ್ತದೆ, ಹೆಚ್ಚಿನ ನಷ್ಟಗಳು. ವಹನದ ಕ್ಷಣದಲ್ಲಿ ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಮತ್ತು ಪ್ರವಾಹದ ಉತ್ಪನ್ನವು ತುಂಬಾ ದೊಡ್ಡದಾಗಿದೆ ಮತ್ತು ಉಂಟಾಗುವ ನಷ್ಟವು ತುಂಬಾ ದೊಡ್ಡದಾಗಿದೆ, ಆದ್ದರಿಂದ ಸ್ವಿಚಿಂಗ್ ಸಮಯವನ್ನು ಕಡಿಮೆ ಮಾಡುವುದರಿಂದ ಪ್ರತಿ ವಹನದ ಸಮಯದಲ್ಲಿ ನಷ್ಟವನ್ನು ಕಡಿಮೆ ಮಾಡುತ್ತದೆ; ಸ್ವಿಚಿಂಗ್ ಆವರ್ತನವನ್ನು ಕಡಿಮೆ ಮಾಡುವುದರಿಂದ ಪ್ರತಿ ಯುನಿಟ್ ಸಮಯಕ್ಕೆ ಸ್ವಿಚ್‌ಗಳ ಸಂಖ್ಯೆಯನ್ನು ಕಡಿಮೆ ಮಾಡಬಹುದು.

ವ್ಯತ್ಯಾಸ ಮೂರು: MOSFET ಬಳಕೆ

P-ಚಾನೆಲ್ MOSFET ನ ರಂಧ್ರ ಚಲನಶೀಲತೆ ಕಡಿಮೆಯಾಗಿದೆ, ಆದ್ದರಿಂದ MOSFET ನ ಜ್ಯಾಮಿತೀಯ ಗಾತ್ರ ಮತ್ತು ಆಪರೇಟಿಂಗ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್‌ನ ಸಂಪೂರ್ಣ ಮೌಲ್ಯವು ಸಮವಾಗಿರುವಾಗ, P-ಚಾನೆಲ್ MOSFET ನ ಟ್ರಾನ್ಸ್‌ಕಂಡಕ್ಟನ್ಸ್ N-ಚಾನೆಲ್ MOSFET ಗಿಂತ ಚಿಕ್ಕದಾಗಿದೆ. ಇದರ ಜೊತೆಗೆ, P-ಚಾನೆಲ್ MOSFET ನ ಮಿತಿ ವೋಲ್ಟೇಜ್ನ ಸಂಪೂರ್ಣ ಮೌಲ್ಯವು ತುಲನಾತ್ಮಕವಾಗಿ ಹೆಚ್ಚಾಗಿರುತ್ತದೆ, ಹೆಚ್ಚಿನ ಆಪರೇಟಿಂಗ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಅಗತ್ಯವಿರುತ್ತದೆ. P-ಚಾನೆಲ್ MOS ದೊಡ್ಡ ಲಾಜಿಕ್ ಸ್ವಿಂಗ್, ದೀರ್ಘ ಚಾರ್ಜಿಂಗ್ ಮತ್ತು ಡಿಸ್ಚಾರ್ಜ್ ಪ್ರಕ್ರಿಯೆ ಮತ್ತು ಸಣ್ಣ ಸಾಧನ ಟ್ರಾನ್ಸ್‌ಕಂಡಕ್ಟನ್ಸ್ ಅನ್ನು ಹೊಂದಿದೆ, ಆದ್ದರಿಂದ ಅದರ ಕಾರ್ಯಾಚರಣೆಯ ವೇಗ ಕಡಿಮೆಯಾಗಿದೆ. N-ಚಾನೆಲ್ MOSFET ಹೊರಹೊಮ್ಮಿದ ನಂತರ, ಅವುಗಳಲ್ಲಿ ಹೆಚ್ಚಿನವುಗಳನ್ನು N-ಚಾನೆಲ್ MOSFET ನಿಂದ ಬದಲಾಯಿಸಲಾಗಿದೆ. ಆದಾಗ್ಯೂ, P-ಚಾನೆಲ್ MOSFET ಸರಳವಾದ ಪ್ರಕ್ರಿಯೆಯನ್ನು ಹೊಂದಿರುವುದರಿಂದ ಮತ್ತು ಅಗ್ಗವಾಗಿದೆ, ಕೆಲವು ಮಧ್ಯಮ ಮತ್ತು ಸಣ್ಣ-ಪ್ರಮಾಣದ ಡಿಜಿಟಲ್ ನಿಯಂತ್ರಣ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್‌ಗಳು ಇನ್ನೂ PMOS ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ ತಂತ್ರಜ್ಞಾನವನ್ನು ಬಳಸುತ್ತವೆ.

ಸರಿ, ಪ್ಯಾಕೇಜಿಂಗ್ MOSFET ತಯಾರಕರಾದ OLUKEY ನಿಂದ ಇಂದಿನ ಹಂಚಿಕೆಗಾಗಿ ಅಷ್ಟೆ. ಹೆಚ್ಚಿನ ಮಾಹಿತಿಗಾಗಿ, ನೀವು ನಮ್ಮನ್ನು ಇಲ್ಲಿ ಕಾಣಬಹುದುಒಲುಕಿಅಧಿಕೃತ ವೆಬ್‌ಸೈಟ್. OLUKEY 20 ವರ್ಷಗಳಿಂದ MOSFET ಮೇಲೆ ಕೇಂದ್ರೀಕರಿಸಿದೆ ಮತ್ತು ಚೀನಾದ ಗುವಾಂಗ್‌ಡಾಂಗ್ ಪ್ರಾಂತ್ಯದ ಶೆನ್‌ಜೆನ್‌ನಲ್ಲಿ ಪ್ರಧಾನ ಕಚೇರಿಯನ್ನು ಹೊಂದಿದೆ. ಹೈ ಕರೆಂಟ್ ಫೀಲ್ಡ್ ಎಫೆಕ್ಟ್ ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್‌ಗಳು, ಹೈ ಪವರ್ MOSFET ಗಳು, ದೊಡ್ಡ ಪ್ಯಾಕೇಜ್ MOSFET ಗಳು, ಸಣ್ಣ ವೋಲ್ಟೇಜ್ MOSFET ಗಳು, ಸಣ್ಣ ಪ್ಯಾಕೇಜ್ MOSFET ಗಳು, ಸಣ್ಣ ಪ್ರಸ್ತುತ MOSFET ಗಳು, MOS ಫೀಲ್ಡ್ ಎಫೆಕ್ಟ್ ಟ್ಯೂಬ್‌ಗಳು, ಪ್ಯಾಕೇಜ್ ಮಾಡಲಾದ MOSFET ಗಳು, ಪವರ್ MOS, MOSFET ಪ್ಯಾಕೇಜುಗಳು, ಮೂಲ MOSFET ಗಳು, ಪ್ಯಾಕೇಜ್ ಮಾಡಲಾದ MOSFET ಗಳು, ಇತ್ಯಾದಿಗಳಲ್ಲಿ ಮುಖ್ಯವಾಗಿ ತೊಡಗಿಸಿಕೊಂಡಿದೆ. ಮುಖ್ಯ ಏಜೆಂಟ್ ಉತ್ಪನ್ನ WINSOK ಆಗಿದೆ.