ಇನ್ವರ್ಟರ್‌ನ MOSFET ನಲ್ಲಿ ಶಾಖದ ಕಾರಣಗಳು ಯಾವುವು?

ಇನ್ವರ್ಟರ್ ನMOSFET ಗಳುಸ್ವಿಚಿಂಗ್ ಸ್ಥಿತಿಯಲ್ಲಿ ಕಾರ್ಯನಿರ್ವಹಿಸುತ್ತದೆ ಮತ್ತು ಟ್ಯೂಬ್‌ಗಳ ಮೂಲಕ ಹರಿಯುವ ಪ್ರವಾಹವು ತುಂಬಾ ಹೆಚ್ಚಾಗಿರುತ್ತದೆ. ಟ್ಯೂಬ್ ಅನ್ನು ಸರಿಯಾಗಿ ಆಯ್ಕೆ ಮಾಡದಿದ್ದರೆ, ಡ್ರೈವಿಂಗ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ ವೈಶಾಲ್ಯವು ಸಾಕಷ್ಟು ದೊಡ್ಡದಾಗಿದೆ ಅಥವಾ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ ಶಾಖದ ಹರಡುವಿಕೆಯು ಉತ್ತಮವಾಗಿಲ್ಲ, ಇದು MOSFET ಬಿಸಿಯಾಗಲು ಕಾರಣವಾಗಬಹುದು.

1, ಇನ್ವರ್ಟರ್ MOSFET ತಾಪನವು ಗಂಭೀರವಾಗಿದೆ, MOSFET ಆಯ್ಕೆಗೆ ಗಮನ ಕೊಡಬೇಕು

ಸ್ವಿಚಿಂಗ್ ಸ್ಟೇಟ್‌ನಲ್ಲಿರುವ ಇನ್‌ವರ್ಟರ್‌ನಲ್ಲಿರುವ MOSFET, ಸಾಮಾನ್ಯವಾಗಿ ಅದರ ಡ್ರೈನ್ ಕರೆಂಟ್ ಅನ್ನು ಸಾಧ್ಯವಾದಷ್ಟು ದೊಡ್ಡದಾಗಿರುತ್ತದೆ, ಆನ್-ರೆಸಿಸ್ಟೆನ್ಸ್ ಸಾಧ್ಯವಾದಷ್ಟು ಚಿಕ್ಕದಾಗಿದೆ, ಇದು ಟ್ಯೂಬ್‌ನ ಸ್ಯಾಚುರೇಶನ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಡ್ರಾಪ್ ಅನ್ನು ಕಡಿಮೆ ಮಾಡುತ್ತದೆ, ಇದರಿಂದಾಗಿ ಟ್ಯೂಬ್ ಅನ್ನು ಸೇವಿಸುವುದರಿಂದ ಶಾಖವನ್ನು ಕಡಿಮೆ ಮಾಡುತ್ತದೆ.

MOSFET ಕೈಪಿಡಿಯನ್ನು ಪರಿಶೀಲಿಸಿ, MOSFET ನ ಹೆಚ್ಚಿನ ತಡೆದುಕೊಳ್ಳುವ ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಮೌಲ್ಯವು ಅದರ ಆನ್-ರೆಸಿಸ್ಟೆನ್ಸ್ ಅನ್ನು ಹೆಚ್ಚಿಸುತ್ತದೆ ಮತ್ತು ಹೆಚ್ಚಿನ ಡ್ರೈನ್ ಕರೆಂಟ್ ಮತ್ತು ಟ್ಯೂಬ್ನ ಕಡಿಮೆ ತಡೆದುಕೊಳ್ಳುವ ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಮೌಲ್ಯವನ್ನು ಹೊಂದಿರುವವರು, ಅದರ ಆನ್-ರೆಸಿಸ್ಟೆನ್ಸ್ ಸಾಮಾನ್ಯವಾಗಿ ಹತ್ತಾರುಗಳಿಗಿಂತ ಕಡಿಮೆ ಇರುತ್ತದೆ. ಮಿಲಿಯೋಮ್ಸ್.

5A ಲೋಡ್ ಕರೆಂಟ್ ಅನ್ನು ಊಹಿಸಿ, ನಾವು ಸಾಮಾನ್ಯವಾಗಿ ಬಳಸುವ MOSFET RU75N08R ಇನ್ವರ್ಟರ್ ಅನ್ನು ಆಯ್ಕೆ ಮಾಡುತ್ತೇವೆ ಮತ್ತು 500V 840 ರ ವೋಲ್ಟೇಜ್ ತಡೆದುಕೊಳ್ಳುವ ಮೌಲ್ಯವು ಆಗಿರಬಹುದು, ಅವುಗಳ ಡ್ರೈನ್ ಕರೆಂಟ್ 5A ಅಥವಾ ಅದಕ್ಕಿಂತ ಹೆಚ್ಚು ಇರುತ್ತದೆ, ಆದರೆ ಎರಡು ಟ್ಯೂಬ್‌ಗಳ ಆನ್-ರೆಸಿಸ್ಟೆನ್ಸ್ ವಿಭಿನ್ನವಾಗಿರುತ್ತದೆ, ಅದೇ ಪ್ರವಾಹವನ್ನು ಚಾಲನೆ ಮಾಡಿ , ಅವರ ಶಾಖದ ವ್ಯತ್ಯಾಸವು ತುಂಬಾ ದೊಡ್ಡದಾಗಿದೆ. 75N08R ಆನ್-ರೆಸಿಸ್ಟೆನ್ಸ್ ಕೇವಲ 0.008Ω ಆಗಿದೆ, ಆದರೆ 840 ರ ಆನ್-ರೆಸಿಸ್ಟೆನ್ಸ್ 0.85Ω ಆಗಿರುತ್ತದೆ, ಟ್ಯೂಬ್ ಮೂಲಕ ಹರಿಯುವ ಲೋಡ್ ಪ್ರವಾಹವು 5A ಆಗಿದ್ದರೆ, 75N08R ಟ್ಯೂಬ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಡ್ರಾಪ್ ಕೇವಲ 0.04V ಆಗಿರುತ್ತದೆ, ಈ ಸಮಯದಲ್ಲಿ, MOSFET ಟ್ಯೂಬ್ ಬಳಕೆಯಾಗಿದೆ ಕೇವಲ 0.2W, 840 ಟ್ಯೂಬ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಡ್ರಾಪ್ ವರೆಗೆ ಇರಬಹುದು 4.25W, ಟ್ಯೂಬ್ ಬಳಕೆ 21.25W ನಷ್ಟು ಹೆಚ್ಚಾಗಿರುತ್ತದೆ. ಇದರಿಂದ ಇದನ್ನು ನೋಡಬಹುದು, ಇನ್ವರ್ಟರ್‌ನ MOSFET ನ ಆನ್-ರೆಸಿಸ್ಟೆನ್ಸ್ ಚಿಕ್ಕದಾಗಿದ್ದರೆ ಉತ್ತಮ, ಟ್ಯೂಬ್‌ನ ಆನ್-ರೆಸಿಸ್ಟೆನ್ಸ್ ದೊಡ್ಡದಾಗಿದೆ, ಹೆಚ್ಚಿನ ಪ್ರವಾಹದ ಅಡಿಯಲ್ಲಿ ಟ್ಯೂಬ್ ಬಳಕೆ ಇನ್ವರ್ಟರ್‌ನ MOSFET ನ ಆನ್-ರೆಸಿಸ್ಟೆನ್ಸ್ ಅಷ್ಟು ಚಿಕ್ಕದಾಗಿದೆ. ಸಾಧ್ಯವಾದಷ್ಟು.

2, ಡ್ರೈವಿಂಗ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ ವೈಶಾಲ್ಯದ ಡ್ರೈವಿಂಗ್ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ ಸಾಕಷ್ಟು ದೊಡ್ಡದಲ್ಲ

MOSFET ಒಂದು ವೋಲ್ಟೇಜ್ ನಿಯಂತ್ರಣ ಸಾಧನವಾಗಿದೆ, ನೀವು ಟ್ಯೂಬ್ ಬಳಕೆಯನ್ನು ಕಡಿಮೆ ಮಾಡಲು ಬಯಸಿದರೆ, ಶಾಖವನ್ನು ಕಡಿಮೆ ಮಾಡಿ,MOSFETಗೇಟ್ ಡ್ರೈವ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ ವೈಶಾಲ್ಯವು ನಾಡಿ ಅಂಚನ್ನು ಕಡಿದಾದ ಮತ್ತು ನೇರವಾಗಿರಿಸಲು ಸಾಕಷ್ಟು ದೊಡ್ಡದಾಗಿರಬೇಕು, ನೀವು ಟ್ಯೂಬ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಡ್ರಾಪ್ ಅನ್ನು ಕಡಿಮೆ ಮಾಡಬಹುದು, ಟ್ಯೂಬ್ ಬಳಕೆಯನ್ನು ಕಡಿಮೆ ಮಾಡಬಹುದು.

3, MOSFET ಶಾಖದ ಹರಡುವಿಕೆ ಉತ್ತಮ ಕಾರಣವಲ್ಲ

ಇನ್ವರ್ಟರ್MOSFETತಾಪನವು ಗಂಭೀರವಾಗಿದೆ. ಇನ್ವರ್ಟರ್ MOSFET ಶಕ್ತಿಯ ಬಳಕೆ ದೊಡ್ಡದಾಗಿರುವುದರಿಂದ, ಕೆಲಸವು ಸಾಮಾನ್ಯವಾಗಿ ಹೀಟ್‌ಸಿಂಕ್‌ನ ಸಾಕಷ್ಟು ದೊಡ್ಡ ಬಾಹ್ಯ ಪ್ರದೇಶವನ್ನು ಬಯಸುತ್ತದೆ, ಮತ್ತು ಹೀಟ್‌ಸಿಂಕ್‌ನ ನಡುವಿನ ಬಾಹ್ಯ ಹೀಟ್‌ಸಿಂಕ್ ಮತ್ತು MOSFET ಸ್ವತಃ ನಿಕಟ ಸಂಪರ್ಕದಲ್ಲಿರಬೇಕು (ಸಾಮಾನ್ಯವಾಗಿ ಉಷ್ಣ ವಾಹಕ ಸಿಲಿಕೋನ್ ಗ್ರೀಸ್‌ನಿಂದ ಲೇಪಿತವಾಗಿರಬೇಕು. ), ಬಾಹ್ಯ ಹೀಟ್‌ಸಿಂಕ್ ಚಿಕ್ಕದಾಗಿದ್ದರೆ ಅಥವಾ MOSFET ನ ಸ್ವಂತ ಹೀಟ್‌ಸಿಂಕ್‌ನೊಂದಿಗಿನ ಸಂಪರ್ಕವು ಸಾಕಷ್ಟು ಹತ್ತಿರದಲ್ಲಿಲ್ಲದಿದ್ದರೆ, ಟ್ಯೂಬ್‌ಗೆ ಕಾರಣವಾಗಬಹುದು ಬಿಸಿಮಾಡುವುದು.

ಇನ್ವರ್ಟರ್ MOSFET ಹೀಟಿಂಗ್ ಗಂಭೀರವಾಗಿದೆ ಸಾರಾಂಶಕ್ಕೆ ನಾಲ್ಕು ಕಾರಣಗಳಿವೆ.

MOSFET ಸ್ವಲ್ಪ ತಾಪನವು ಸಾಮಾನ್ಯ ವಿದ್ಯಮಾನವಾಗಿದೆ, ಆದರೆ ಗಂಭೀರವಾದ ತಾಪನ, ಟ್ಯೂಬ್ ಸುಟ್ಟುಹೋಗುತ್ತದೆ, ಕೆಳಗಿನ ನಾಲ್ಕು ಕಾರಣಗಳಿವೆ:

1, ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ ವಿನ್ಯಾಸದ ಸಮಸ್ಯೆ

MOSFET ಸ್ವಿಚಿಂಗ್ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ ಸ್ಥಿತಿಯಲ್ಲಿರುವುದಕ್ಕಿಂತ ಹೆಚ್ಚಾಗಿ ರೇಖೀಯ ಕಾರ್ಯಾಚರಣಾ ಸ್ಥಿತಿಯಲ್ಲಿ ಕಾರ್ಯನಿರ್ವಹಿಸಲಿ. ಇದು MOSFET ತಾಪನದ ಕಾರಣಗಳಲ್ಲಿ ಒಂದಾಗಿದೆ. N-MOS ಸ್ವಿಚಿಂಗ್ ಮಾಡುತ್ತಿದ್ದರೆ, G-ಲೆವೆಲ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಸಂಪೂರ್ಣವಾಗಿ ಆನ್ ಆಗಲು ವಿದ್ಯುತ್ ಸರಬರಾಜಿಗಿಂತ ಕೆಲವು V ಹೆಚ್ಚಿನದಾಗಿರಬೇಕು, ಆದರೆ P-MOS ವಿರುದ್ಧವಾಗಿರುತ್ತದೆ. ಸಂಪೂರ್ಣವಾಗಿ ತೆರೆದಿಲ್ಲ ಮತ್ತು ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಡ್ರಾಪ್ ತುಂಬಾ ದೊಡ್ಡದಾಗಿದೆ ಇದರ ಪರಿಣಾಮವಾಗಿ ವಿದ್ಯುತ್ ಬಳಕೆಯಾಗುತ್ತದೆ, ಸಮಾನ DC ಪ್ರತಿರೋಧವು ದೊಡ್ಡದಾಗಿದೆ, ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಡ್ರಾಪ್ ಹೆಚ್ಚಾಗುತ್ತದೆ, ಆದ್ದರಿಂದ U * I ಸಹ ಹೆಚ್ಚಾಗುತ್ತದೆ, ನಷ್ಟವು ಶಾಖ ಎಂದರ್ಥ. ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ನ ವಿನ್ಯಾಸದಲ್ಲಿ ಇದು ಅತ್ಯಂತ ತಪ್ಪಿಸಿದ ದೋಷವಾಗಿದೆ.

2, ತುಂಬಾ ಹೆಚ್ಚಿನ ಆವರ್ತನ

ಮುಖ್ಯ ಕಾರಣವೆಂದರೆ ಕೆಲವೊಮ್ಮೆ ಪರಿಮಾಣದ ಮಿತಿಮೀರಿದ ಅನ್ವೇಷಣೆ, ಹೆಚ್ಚಿದ ಆವರ್ತನದ ಪರಿಣಾಮವಾಗಿ, MOSFET ನಷ್ಟಗಳು ದೊಡ್ಡದಾಗಿರುತ್ತವೆ, ಆದ್ದರಿಂದ ಶಾಖವೂ ಹೆಚ್ಚಾಗುತ್ತದೆ.

3, ಸಾಕಷ್ಟು ಉಷ್ಣ ವಿನ್ಯಾಸವಿಲ್ಲ

ಪ್ರವಾಹವು ತುಂಬಾ ಹೆಚ್ಚಿದ್ದರೆ, MOSFET ನ ನಾಮಮಾತ್ರದ ಪ್ರಸ್ತುತ ಮೌಲ್ಯವನ್ನು ಸಾಧಿಸಲು ಸಾಮಾನ್ಯವಾಗಿ ಉತ್ತಮ ಶಾಖದ ಪ್ರಸರಣ ಅಗತ್ಯವಿರುತ್ತದೆ. ಆದ್ದರಿಂದ ID ಗರಿಷ್ಠ ಪ್ರವಾಹಕ್ಕಿಂತ ಕಡಿಮೆಯಾಗಿದೆ, ಇದು ಕೆಟ್ಟದಾಗಿ ಬಿಸಿಯಾಗಬಹುದು, ಸಾಕಷ್ಟು ಸಹಾಯಕ ಶಾಖ ಸಿಂಕ್ ಅಗತ್ಯವಿದೆ.

4, MOSFET ಆಯ್ಕೆಯು ತಪ್ಪಾಗಿದೆ

ಶಕ್ತಿಯ ತಪ್ಪು ತೀರ್ಪು, MOSFET ಆಂತರಿಕ ಪ್ರತಿರೋಧವನ್ನು ಸಂಪೂರ್ಣವಾಗಿ ಪರಿಗಣಿಸಲಾಗುವುದಿಲ್ಲ, ಇದು ಸ್ವಿಚಿಂಗ್ ಪ್ರತಿರೋಧವನ್ನು ಹೆಚ್ಚಿಸುತ್ತದೆ.