ಹೆಚ್ಚಿನ ಶಕ್ತಿಯ MOSFET ನ ಡ್ರೈವ್ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್‌ನ ತತ್ವವೇನು?

ಅದೇ ಹೈ-ಪವರ್ MOSFET, ವಿಭಿನ್ನ ಡ್ರೈವ್ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್‌ಗಳ ಬಳಕೆಯು ವಿಭಿನ್ನ ಸ್ವಿಚಿಂಗ್ ಗುಣಲಕ್ಷಣಗಳನ್ನು ಪಡೆಯುತ್ತದೆ. ಡ್ರೈವ್ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್‌ನ ಉತ್ತಮ ಕಾರ್ಯಕ್ಷಮತೆಯ ಬಳಕೆಯು ಪವರ್ ಸ್ವಿಚಿಂಗ್ ಸಾಧನವನ್ನು ತುಲನಾತ್ಮಕವಾಗಿ ಆದರ್ಶ ಸ್ವಿಚಿಂಗ್ ಸ್ಥಿತಿಯಲ್ಲಿ ಕಾರ್ಯನಿರ್ವಹಿಸುವಂತೆ ಮಾಡುತ್ತದೆ, ಸ್ವಿಚಿಂಗ್ ಸಮಯವನ್ನು ಕಡಿಮೆ ಮಾಡುತ್ತದೆ, ಸ್ವಿಚಿಂಗ್ ನಷ್ಟವನ್ನು ಕಡಿಮೆ ಮಾಡುತ್ತದೆ, ಆಪರೇಟಿಂಗ್ ದಕ್ಷತೆಯ ಸ್ಥಾಪನೆ, ವಿಶ್ವಾಸಾರ್ಹತೆ ಮತ್ತು ಸುರಕ್ಷತೆಯು ಹೆಚ್ಚಿನ ಪ್ರಾಮುಖ್ಯತೆಯನ್ನು ಹೊಂದಿದೆ. ಆದ್ದರಿಂದ, ಡ್ರೈವ್ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ನ ಅನುಕೂಲಗಳು ಮತ್ತು ಅನಾನುಕೂಲಗಳು ಮುಖ್ಯ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ನ ಕಾರ್ಯಕ್ಷಮತೆಯನ್ನು ನೇರವಾಗಿ ಪರಿಣಾಮ ಬೀರುತ್ತವೆ, ಡ್ರೈವ್ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ನ ವಿನ್ಯಾಸದ ತರ್ಕಬದ್ಧಗೊಳಿಸುವಿಕೆಯು ಹೆಚ್ಚು ಮುಖ್ಯವಾಗಿದೆ. ಥೈರಿಸ್ಟರ್ ಸಣ್ಣ ಗಾತ್ರ, ಕಡಿಮೆ ತೂಕ, ಹೆಚ್ಚಿನ ದಕ್ಷತೆ, ದೀರ್ಘಾಯುಷ್ಯ, ಬಳಸಲು ಸುಲಭ, ರಿಕ್ಟಿಫೈಯರ್ ಮತ್ತು ಇನ್ವರ್ಟರ್ ಅನ್ನು ಸುಲಭವಾಗಿ ನಿಲ್ಲಿಸಬಹುದು ಮತ್ತು ರೆಕ್ಟಿಫೈಯರ್ ಅಥವಾ ಇನ್ವರ್ಟರ್ ಕರೆಂಟ್ನ ಗಾತ್ರವನ್ನು ಬದಲಾಯಿಸುವ ಪ್ರಮೇಯದಲ್ಲಿ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ ರಚನೆಯನ್ನು ಬದಲಾಯಿಸಲಾಗುವುದಿಲ್ಲ. IGBT ಒಂದು ಸಂಯೋಜನೆಯಾಗಿದೆ. ನ ಸಾಧನMOSFETಮತ್ತು GTR, ವೇಗದ ಸ್ವಿಚಿಂಗ್ ವೇಗ, ಉತ್ತಮ ಉಷ್ಣ ಸ್ಥಿರತೆ, ಸಣ್ಣ ಚಾಲನಾ ಶಕ್ತಿ ಮತ್ತು ಸರಳ ಡ್ರೈವ್ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್‌ನ ಗುಣಲಕ್ಷಣಗಳನ್ನು ಹೊಂದಿದೆ ಮತ್ತು ಸಣ್ಣ ಆನ್-ಸ್ಟೇಟ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಡ್ರಾಪ್, ಹೆಚ್ಚಿನ ತಡೆದುಕೊಳ್ಳುವ ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಮತ್ತು ಹೆಚ್ಚಿನ ಸ್ವೀಕಾರ ಪ್ರವಾಹದ ಅನುಕೂಲಗಳನ್ನು ಹೊಂದಿದೆ. IGBT ಅನ್ನು ಮುಖ್ಯವಾಹಿನಿಯ ವಿದ್ಯುತ್ ಉತ್ಪಾದನಾ ಸಾಧನವಾಗಿ, ವಿಶೇಷವಾಗಿ ಹೆಚ್ಚಿನ ಶಕ್ತಿಯ ಸ್ಥಳಗಳಲ್ಲಿ, ಸಾಮಾನ್ಯವಾಗಿ ವಿವಿಧ ವರ್ಗಗಳಲ್ಲಿ ಬಳಸಲಾಗುತ್ತದೆ.

ಹೆಚ್ಚಿನ ಶಕ್ತಿಯ MOSFET ಸ್ವಿಚಿಂಗ್ ಸಾಧನಗಳಿಗೆ ಸೂಕ್ತವಾದ ಡ್ರೈವಿಂಗ್ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ ಈ ಕೆಳಗಿನ ಅವಶ್ಯಕತೆಗಳನ್ನು ಪೂರೈಸಬೇಕು:

(1) ಪವರ್ ಸ್ವಿಚಿಂಗ್ ಟ್ಯೂಬ್ ಆನ್ ಮಾಡಿದಾಗ, ಡ್ರೈವಿಂಗ್ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ ವೇಗವಾಗಿ ಏರುತ್ತಿರುವ ಬೇಸ್ ಕರೆಂಟ್ ಅನ್ನು ಒದಗಿಸಬಹುದು, ಆದ್ದರಿಂದ ಆನ್ ಮಾಡಿದಾಗ ಸಾಕಷ್ಟು ಚಾಲನಾ ಶಕ್ತಿ ಇರುತ್ತದೆ, ಹೀಗಾಗಿ ಟರ್ನ್-ಆನ್ ನಷ್ಟವನ್ನು ಕಡಿಮೆ ಮಾಡುತ್ತದೆ.

(2) ಸ್ವಿಚಿಂಗ್ ಟ್ಯೂಬ್ ವಹನದ ಸಮಯದಲ್ಲಿ, MOSFET ಡ್ರೈವರ್ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್‌ನಿಂದ ಒದಗಿಸಲಾದ ಮೂಲ ಪ್ರವಾಹವು ವಿದ್ಯುತ್ ಟ್ಯೂಬ್ ಯಾವುದೇ ಲೋಡ್ ಸ್ಥಿತಿಯಲ್ಲಿ ಸ್ಯಾಚುರೇಟೆಡ್ ವಹನ ಸ್ಥಿತಿಯಲ್ಲಿದೆ ಎಂದು ಖಚಿತಪಡಿಸಿಕೊಳ್ಳಬಹುದು, ತುಲನಾತ್ಮಕವಾಗಿ ಕಡಿಮೆ ವಹನ ನಷ್ಟವನ್ನು ಖಾತ್ರಿಪಡಿಸುತ್ತದೆ. ಶೇಖರಣಾ ಸಮಯವನ್ನು ಕಡಿಮೆ ಮಾಡಲು, ಸ್ಥಗಿತಗೊಳಿಸುವ ಮೊದಲು ಸಾಧನವು ನಿರ್ಣಾಯಕ ಸ್ಯಾಚುರೇಶನ್ ಸ್ಥಿತಿಯಲ್ಲಿರಬೇಕು.

(3) ಸ್ಥಗಿತಗೊಳಿಸುವಿಕೆ, ಶೇಖರಣಾ ಸಮಯವನ್ನು ಕಡಿಮೆ ಮಾಡಲು ಮೂಲ ಪ್ರದೇಶದಲ್ಲಿ ಉಳಿದಿರುವ ವಾಹಕಗಳನ್ನು ತ್ವರಿತವಾಗಿ ಸೆಳೆಯಲು ಡ್ರೈವ್ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ ಸಾಕಷ್ಟು ರಿವರ್ಸ್ ಬೇಸ್ ಡ್ರೈವ್ ಅನ್ನು ಒದಗಿಸಬೇಕು; ಮತ್ತು ರಿವರ್ಸ್ ಬಯಾಸ್ ಕಟ್ಆಫ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಅನ್ನು ಸೇರಿಸಿ, ಇದರಿಂದಾಗಿ ಲ್ಯಾಂಡಿಂಗ್ ಸಮಯವನ್ನು ಕಡಿಮೆ ಮಾಡಲು ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಕರೆಂಟ್ ವೇಗವಾಗಿ ಬೀಳುತ್ತದೆ. ಸಹಜವಾಗಿ, ಥೈರಿಸ್ಟರ್ನ ಸ್ಥಗಿತಗೊಳಿಸುವಿಕೆಯು ಇನ್ನೂ ಮುಖ್ಯವಾಗಿ ರಿವರ್ಸ್ ಆನೋಡ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಡ್ರಾಪ್ ಮೂಲಕ ಸ್ಥಗಿತಗೊಳಿಸುವಿಕೆಯನ್ನು ಪೂರ್ಣಗೊಳಿಸುತ್ತದೆ.

ಪ್ರಸ್ತುತ, ಕಡಿಮೆ ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಅಂತ್ಯ ಮತ್ತು ಹೆಚ್ಚಿನ ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಅಂತ್ಯವನ್ನು ಪ್ರತ್ಯೇಕಿಸಲು ಟ್ರಾನ್ಸ್ಫಾರ್ಮರ್ ಅಥವಾ ಆಪ್ಟೊಕಪ್ಲರ್ ಪ್ರತ್ಯೇಕತೆಯ ಮೂಲಕ ಹೋಲಿಸಬಹುದಾದ ಸಂಖ್ಯೆಯನ್ನು ಹೊಂದಿರುವ ಥೈರಿಸ್ಟರ್ ಡ್ರೈವ್, ಮತ್ತು ನಂತರ ಥೈರಿಸ್ಟರ್ ವಹನವನ್ನು ಚಾಲನೆ ಮಾಡಲು ಪರಿವರ್ತನೆ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ ಮೂಲಕ. ಹೆಚ್ಚಿನ IGBT ಡ್ರೈವ್ ಮಾಡ್ಯೂಲ್‌ನ ಪ್ರಸ್ತುತ ಬಳಕೆಗಾಗಿ IGBT ನಲ್ಲಿ, ಆದರೆ IGBT, ಸಿಸ್ಟಮ್ ಸ್ವಯಂ-ನಿರ್ವಹಣೆ, ಸ್ವಯಂ-ರೋಗನಿರ್ಣಯ ಮತ್ತು IPM ನ ಇತರ ಕ್ರಿಯಾತ್ಮಕ ಮಾಡ್ಯೂಲ್‌ಗಳನ್ನು ಸಂಯೋಜಿಸಲಾಗಿದೆ.

ಈ ಪತ್ರಿಕೆಯಲ್ಲಿ, ನಾವು ಬಳಸುವ ಥೈರಿಸ್ಟರ್‌ಗಾಗಿ, ಪ್ರಾಯೋಗಿಕ ಡ್ರೈವ್ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ ಅನ್ನು ವಿನ್ಯಾಸಗೊಳಿಸುತ್ತೇವೆ ಮತ್ತು ಥೈರಿಸ್ಟರ್ ಅನ್ನು ಚಾಲನೆ ಮಾಡಬಹುದೆಂದು ಸಾಬೀತುಪಡಿಸಲು ನಿಜವಾದ ಪರೀಕ್ಷೆಯನ್ನು ನಿಲ್ಲಿಸಿ. IGBT ಯ ಡ್ರೈವ್‌ಗೆ ಸಂಬಂಧಿಸಿದಂತೆ, ಈ ಕಾಗದವು ಮುಖ್ಯವಾಗಿ IGBT ಡ್ರೈವ್‌ನ ಪ್ರಸ್ತುತ ಮುಖ್ಯ ಪ್ರಕಾರಗಳನ್ನು ಪರಿಚಯಿಸುತ್ತದೆ, ಜೊತೆಗೆ ಅವುಗಳ ಅನುಗುಣವಾದ ಡ್ರೈವ್ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ ಮತ್ತು ಸಿಮ್ಯುಲೇಶನ್ ಪ್ರಯೋಗವನ್ನು ನಿಲ್ಲಿಸಲು ಸಾಮಾನ್ಯವಾಗಿ ಬಳಸುವ ಆಪ್ಟೋಕಪ್ಲರ್ ಐಸೋಲೇಶನ್ ಡ್ರೈವ್ ಅನ್ನು ಪರಿಚಯಿಸುತ್ತದೆ.

2. ಥೈರಿಸ್ಟರ್ ಡ್ರೈವ್ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ ಅಧ್ಯಯನವು ಸಾಮಾನ್ಯವಾಗಿ ಥೈರಿಸ್ಟರ್ ಆಪರೇಟಿಂಗ್ ಷರತ್ತುಗಳು:

(1) ಥೈರಿಸ್ಟರ್ ರಿವರ್ಸ್ ಆನೋಡ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಅನ್ನು ಸ್ವೀಕರಿಸುತ್ತದೆ, ಗೇಟ್ ಯಾವುದೇ ರೀತಿಯ ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಅನ್ನು ಸ್ವೀಕರಿಸುತ್ತದೆ, ಥೈರಿಸ್ಟರ್ ಆಫ್ ಸ್ಟೇಟ್‌ನಲ್ಲಿದೆ.

(2) ಥೈರಿಸ್ಟರ್ ಫಾರ್ವರ್ಡ್ ಆನೋಡ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಅನ್ನು ಸ್ವೀಕರಿಸುತ್ತದೆ, ಗೇಟ್ ಸಂದರ್ಭದಲ್ಲಿ ಮಾತ್ರ ಥೈರಿಸ್ಟರ್ ಆನ್ ಆಗಿರುವ ಧನಾತ್ಮಕ ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಅನ್ನು ಸ್ವೀಕರಿಸುತ್ತದೆ.

(3) ವಹನ ಸ್ಥಿತಿಯಲ್ಲಿ ಥೈರಿಸ್ಟರ್, ಕೇವಲ ಒಂದು ನಿರ್ದಿಷ್ಟ ಧನಾತ್ಮಕ ಆನೋಡ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್, ಗೇಟ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಅನ್ನು ಲೆಕ್ಕಿಸದೆಯೇ, ಥೈರಿಸ್ಟರ್ ವಹನವನ್ನು ಒತ್ತಾಯಿಸುತ್ತದೆ, ಅಂದರೆ, ಥೈರಿಸ್ಟರ್ ವಹನದ ನಂತರ, ಗೇಟ್ ಕಳೆದುಹೋಗುತ್ತದೆ. (4) ವಹನ ಸ್ಥಿತಿಯಲ್ಲಿ ಥೈರಿಸ್ಟರ್, ಮುಖ್ಯ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ಅಥವಾ ಪ್ರಸ್ತುತ) ಶೂನ್ಯಕ್ಕೆ ಕಡಿಮೆಯಾದಾಗ, ಥೈರಿಸ್ಟರ್ ಸ್ಥಗಿತಗೊಳಿಸುವಿಕೆ. ನಾವು ಥೈರಿಸ್ಟರ್ ಅನ್ನು TYN1025 ಆಯ್ಕೆ ಮಾಡುತ್ತೇವೆ, ಅದರ ತಡೆದುಕೊಳ್ಳುವ ವೋಲ್ಟೇಜ್ 600V ರಿಂದ 1000V, ಪ್ರಸ್ತುತ 25A ವರೆಗೆ ಇರುತ್ತದೆ. ಇದಕ್ಕೆ ಗೇಟ್ ಡ್ರೈವ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ 10V ರಿಂದ 20V, ಡ್ರೈವ್ ಕರೆಂಟ್ 4mA ರಿಂದ 40mA ಆಗಿರಬೇಕು. ಮತ್ತು ಅದರ ನಿರ್ವಹಣೆ ಪ್ರಸ್ತುತ 50mA ಆಗಿದೆ, ಎಂಜಿನ್ ಪ್ರಸ್ತುತ 90mA ಆಗಿದೆ. DSP ಅಥವಾ CPLD ಟ್ರಿಗರ್ ಸಿಗ್ನಲ್ ವೈಶಾಲ್ಯವು 5V ವರೆಗೆ ಇರುತ್ತದೆ. ಮೊದಲನೆಯದಾಗಿ, 5V ಯ ವೈಶಾಲ್ಯವು 24V ಆಗಿ, ಮತ್ತು ನಂತರ 2:1 ಪ್ರತ್ಯೇಕತೆಯ ಟ್ರಾನ್ಸ್ಫಾರ್ಮರ್ ಮೂಲಕ 24V ಟ್ರಿಗ್ಗರ್ ಸಿಗ್ನಲ್ ಅನ್ನು 12V ಪ್ರಚೋದಕ ಸಂಕೇತವಾಗಿ ಪರಿವರ್ತಿಸಲು, ಮೇಲಿನ ಮತ್ತು ಕೆಳಗಿನ ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಪ್ರತ್ಯೇಕತೆಯ ಕಾರ್ಯವನ್ನು ಪೂರ್ಣಗೊಳಿಸುತ್ತದೆ.

ಪ್ರಾಯೋಗಿಕ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ ವಿನ್ಯಾಸ ಮತ್ತು ವಿಶ್ಲೇಷಣೆ

ಎಲ್ಲಾ ಮೊದಲ, ಬೂಸ್ಟ್ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್, ಹಿಂದಿನ ಹಂತದಲ್ಲಿ ಪ್ರತ್ಯೇಕತೆಯ ಟ್ರಾನ್ಸ್ಫಾರ್ಮರ್ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ ಕಾರಣMOSFETಸಾಧನಕ್ಕೆ 15V ಟ್ರಿಗ್ಗರ್ ಸಿಗ್ನಲ್ ಅಗತ್ಯವಿದೆ, ಆದ್ದರಿಂದ 15V ಟ್ರಿಗ್ಗರ್ ಸಿಗ್ನಲ್ ಆಗಿ ಮೊದಲು ವೈಶಾಲ್ಯ 5V ಟ್ರಿಗರ್ ಸಿಗ್ನಲ್ ಅಗತ್ಯವಿದೆ, MC14504 5V ಸಿಗ್ನಲ್ ಮೂಲಕ, 15V ಸಿಗ್ನಲ್ ಆಗಿ ಪರಿವರ್ತಿಸಲಾಗುತ್ತದೆ ಮತ್ತು ನಂತರ 15V ಡ್ರೈವ್ ಸಿಗ್ನಲ್ ಆಕಾರದ ಔಟ್‌ಪುಟ್‌ನಲ್ಲಿ CD4050 ಮೂಲಕ, ಚಾನಲ್ 2 5V ಇನ್‌ಪುಟ್ ಸಿಗ್ನಲ್‌ಗೆ ಸಂಪರ್ಕಗೊಂಡಿದೆ, ಚಾನಲ್ 1 ಅನ್ನು ಔಟ್‌ಪುಟ್‌ಗೆ ಸಂಪರ್ಕಿಸಲಾಗಿದೆ ಚಾನಲ್ 2 ಅನ್ನು 5V ಗೆ ಸಂಪರ್ಕಿಸಲಾಗಿದೆ ಇನ್ಪುಟ್ ಸಿಗ್ನಲ್, ಚಾನಲ್ 1 ಅನ್ನು 15V ಟ್ರಿಗ್ಗರ್ ಸಿಗ್ನಲ್ನ ಔಟ್ಪುಟ್ಗೆ ಸಂಪರ್ಕಿಸಲಾಗಿದೆ.

ಎರಡನೇ ಭಾಗವು ಐಸೊಲೇಶನ್ ಟ್ರಾನ್ಸ್‌ಫಾರ್ಮರ್ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ ಆಗಿದೆ, ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್‌ನ ಮುಖ್ಯ ಕಾರ್ಯವೆಂದರೆ: 15V ಟ್ರಿಗ್ಗರ್ ಸಿಗ್ನಲ್, ಥೈರಿಸ್ಟರ್ ವಹನದ ಹಿಂಭಾಗವನ್ನು ಪ್ರಚೋದಿಸಲು 12V ಪ್ರಚೋದಕ ಸಂಕೇತವಾಗಿ ಪರಿವರ್ತಿಸಲಾಗುತ್ತದೆ ಮತ್ತು 15V ಟ್ರಿಗರ್ ಸಿಗ್ನಲ್ ಮತ್ತು ಹಿಂಭಾಗದ ನಡುವಿನ ಅಂತರವನ್ನು ಮಾಡಲು ಹಂತ.

ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ನ ಕೆಲಸದ ತತ್ವವೆಂದರೆ: ಕಾರಣMOSFET15V ಯ IRF640 ಡ್ರೈವ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್, ಆದ್ದರಿಂದ, ಮೊದಲನೆಯದಾಗಿ, 15V ಸ್ಕ್ವೇರ್ ವೇವ್ ಸಿಗ್ನಲ್‌ಗೆ J1 ಪ್ರವೇಶದಲ್ಲಿ, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ R4 ಮೂಲಕ ನಿಯಂತ್ರಕ 1N4746 ಗೆ ಸಂಪರ್ಕಿಸಲಾಗಿದೆ, ಇದರಿಂದಾಗಿ ಪ್ರಚೋದಕ ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಸ್ಥಿರವಾಗಿರುತ್ತದೆ, ಆದರೆ ಪ್ರಚೋದಕ ವೋಲ್ಟೇಜ್ ತುಂಬಾ ಹೆಚ್ಚಿಲ್ಲದಂತೆ ಮಾಡಲು , MOSFET ಅನ್ನು ಸುಟ್ಟು, ತದನಂತರ MOSFET IRF640 ಗೆ (ವಾಸ್ತವವಾಗಿ, ಇದು ಸ್ವಿಚಿಂಗ್ ಟ್ಯೂಬ್ ಆಗಿದೆ, ಇದರ ಹಿಂಭಾಗದ ನಿಯಂತ್ರಣ MOSFET ನ ಟರ್ನ್-ಆನ್ ಮತ್ತು ಟರ್ನ್-ಆಫ್ ಸಮಯವನ್ನು ನಿಯಂತ್ರಿಸಲು, ಡ್ರೈವ್ ಸಿಗ್ನಲ್‌ನ ಕರ್ತವ್ಯ ಚಕ್ರವನ್ನು ನಿಯಂತ್ರಿಸಿದ ನಂತರ, ಟರ್ನ್-ಆನ್ ಮತ್ತು ಟರ್ನ್-ಆಫ್‌ನ ಹಿಂಭಾಗದ ಅಂತ್ಯವನ್ನು ನಿಯಂತ್ರಿಸಿ. MOSFET ತೆರೆದಿರುವಾಗ, ಅದರ ಡಿ-ಪೋಲ್ ಗ್ರೌಂಡ್‌ಗೆ ಸಮನಾಗಿರುತ್ತದೆ, ಅದು ತೆರೆದಾಗ ಆಫ್ ಆಗಿರುತ್ತದೆ, ಬ್ಯಾಕ್-ಎಂಡ್ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್‌ನ ನಂತರ 24 V ಗೆ ಸಮನಾಗಿರುತ್ತದೆ. ಮತ್ತು ಟ್ರಾನ್ಸ್‌ಫಾರ್ಮರ್ 12 V ಔಟ್‌ಪುಟ್ ಸಿಗ್ನಲ್‌ನ ಬಲ ತುದಿಯನ್ನು ಮಾಡಲು ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಬದಲಾವಣೆಯ ಮೂಲಕ ಇರುತ್ತದೆ. . ಟ್ರಾನ್ಸ್ಫಾರ್ಮರ್ನ ಬಲ ತುದಿಯು ರಿಕ್ಟಿಫೈಯರ್ ಸೇತುವೆಗೆ ಸಂಪರ್ಕ ಹೊಂದಿದೆ, ಮತ್ತು ನಂತರ 12V ಸಿಗ್ನಲ್ ಕನೆಕ್ಟರ್ X1 ನಿಂದ ಔಟ್ಪುಟ್ ಆಗಿದೆ.

ಪ್ರಯೋಗದ ಸಮಯದಲ್ಲಿ ಎದುರಾಗುವ ತೊಂದರೆಗಳು

ಮೊದಲನೆಯದಾಗಿ, ವಿದ್ಯುತ್ ಆನ್ ಮಾಡಿದಾಗ, ಫ್ಯೂಸ್ ಇದ್ದಕ್ಕಿದ್ದಂತೆ ಸ್ಫೋಟಿಸಿತು ಮತ್ತು ನಂತರ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ ಅನ್ನು ಪರಿಶೀಲಿಸುವಾಗ, ಆರಂಭಿಕ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ ವಿನ್ಯಾಸದಲ್ಲಿ ಸಮಸ್ಯೆ ಕಂಡುಬಂದಿದೆ. ಆರಂಭದಲ್ಲಿ, ಅದರ ಸ್ವಿಚಿಂಗ್ ಟ್ಯೂಬ್ ಔಟ್‌ಪುಟ್‌ನ ಪರಿಣಾಮವನ್ನು ಉತ್ತಮಗೊಳಿಸುವ ಸಲುವಾಗಿ, 24V ಗ್ರೌಂಡ್ ಮತ್ತು 15V ಗ್ರೌಂಡ್ ಬೇರ್ಪಡಿಕೆ, MOSFET ನ ಗೇಟ್ G ಪೋಲ್ ಅನ್ನು S ಪೋಲ್‌ನ ಹಿಂಭಾಗಕ್ಕೆ ಸಮನಾಗಿರುತ್ತದೆ, ಇದು ತಪ್ಪು ಪ್ರಚೋದನೆಗೆ ಕಾರಣವಾಗುತ್ತದೆ. ಚಿಕಿತ್ಸೆಯು 24V ಮತ್ತು 15V ಗ್ರೌಂಡ್ ಅನ್ನು ಒಟ್ಟಿಗೆ ಜೋಡಿಸುವುದು ಮತ್ತು ಪ್ರಯೋಗವನ್ನು ನಿಲ್ಲಿಸಲು, ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ ಸಾಮಾನ್ಯವಾಗಿ ಕಾರ್ಯನಿರ್ವಹಿಸುತ್ತದೆ. ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ ಸಂಪರ್ಕವು ಸಾಮಾನ್ಯವಾಗಿದೆ, ಆದರೆ ಡ್ರೈವ್ ಸಿಗ್ನಲ್, MOSFET ಹೀಟ್, ಜೊತೆಗೆ ಸ್ವಲ್ಪ ಸಮಯದವರೆಗೆ ಡ್ರೈವ್ ಸಿಗ್ನಲ್ನಲ್ಲಿ ಭಾಗವಹಿಸುವಾಗ, ಫ್ಯೂಸ್ ಹಾರಿಹೋಗುತ್ತದೆ ಮತ್ತು ನಂತರ ಡ್ರೈವ್ ಸಿಗ್ನಲ್ ಅನ್ನು ಸೇರಿಸಿ, ಫ್ಯೂಸ್ ನೇರವಾಗಿ ಹಾರಿಹೋಗುತ್ತದೆ. ಡ್ರೈವ್ ಸಿಗ್ನಲ್‌ನ ಉನ್ನತ ಮಟ್ಟದ ಕರ್ತವ್ಯ ಚಕ್ರವು ತುಂಬಾ ದೊಡ್ಡದಾಗಿದೆ ಎಂದು ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ ಅನ್ನು ಪರಿಶೀಲಿಸಿ, MOSFET ಟರ್ನ್-ಆನ್ ಸಮಯವು ತುಂಬಾ ಉದ್ದವಾಗಿದೆ. ಈ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್‌ನ ವಿನ್ಯಾಸವು MOSFET ತೆರೆದಾಗ, 24V ಅನ್ನು MOSFET ನ ತುದಿಗಳಿಗೆ ನೇರವಾಗಿ ಸೇರಿಸುತ್ತದೆ ಮತ್ತು ಪ್ರಸ್ತುತ-ಸೀಮಿತಗೊಳಿಸುವ ಪ್ರತಿರೋಧಕವನ್ನು ಸೇರಿಸದಿದ್ದರೆ, ಕರೆಂಟ್ ತುಂಬಾ ದೊಡ್ಡದಾಗಿದ್ದರೆ, MOSFET ಹಾನಿ, ಸಿಗ್ನಲ್‌ನ ಕರ್ತವ್ಯ ಚಕ್ರವನ್ನು ನಿಯಂತ್ರಿಸುವ ಅಗತ್ಯವು ತುಂಬಾ ದೊಡ್ಡದಾಗಿರಬಾರದು, ಸಾಮಾನ್ಯವಾಗಿ 10% ರಿಂದ 20% ಅಥವಾ ಅದಕ್ಕಿಂತ ಹೆಚ್ಚು.

2.3 ಡ್ರೈವ್ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ನ ಪರಿಶೀಲನೆ

ಡ್ರೈವ್ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್‌ನ ಕಾರ್ಯಸಾಧ್ಯತೆಯನ್ನು ಪರಿಶೀಲಿಸಲು, ನಾವು ಅದನ್ನು ಒಂದಕ್ಕೊಂದು ಸರಣಿಯಲ್ಲಿ ಸಂಪರ್ಕಿಸಿರುವ ಥೈರಿಸ್ಟರ್ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ ಅನ್ನು ಚಾಲನೆ ಮಾಡಲು ಬಳಸುತ್ತೇವೆ, ಥೈರಿಸ್ಟರ್ ಪರಸ್ಪರ ಸರಣಿಯಲ್ಲಿ ಮತ್ತು ನಂತರ ಸಮಾನಾಂತರವಾಗಿ, ಅನುಗಮನದ ಪ್ರತಿಕ್ರಿಯಾತ್ಮಕತೆಯೊಂದಿಗೆ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್‌ಗೆ ಪ್ರವೇಶ, ವಿದ್ಯುತ್ ಸರಬರಾಜು 380V AC ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಮೂಲವಾಗಿದೆ.

ಈ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್‌ನಲ್ಲಿ MOSFET, ಥೈರಿಸ್ಟರ್ Q2, Q8 G11 ಮತ್ತು G12 ಪ್ರವೇಶದ ಮೂಲಕ ಸಿಗ್ನಲ್ ಅನ್ನು ಪ್ರಚೋದಿಸುತ್ತದೆ, ಆದರೆ Q5, Q11 G21, G22 ಪ್ರವೇಶದ ಮೂಲಕ ಸಿಗ್ನಲ್ ಅನ್ನು ಪ್ರಚೋದಿಸುತ್ತದೆ. ಥೈರಿಸ್ಟರ್ ಗೇಟ್ ಮಟ್ಟಕ್ಕೆ ಡ್ರೈವ್ ಸಿಗ್ನಲ್ ಅನ್ನು ಸ್ವೀಕರಿಸುವ ಮೊದಲು, ಥೈರಿಸ್ಟರ್ನ ವಿರೋಧಿ ಹಸ್ತಕ್ಷೇಪ ಸಾಮರ್ಥ್ಯವನ್ನು ಸುಧಾರಿಸಲು, ಥೈರಿಸ್ಟರ್ನ ಗೇಟ್ ಅನ್ನು ಪ್ರತಿರೋಧಕ ಮತ್ತು ಕೆಪಾಸಿಟರ್ಗೆ ಸಂಪರ್ಕಿಸಲಾಗಿದೆ. ಈ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ ಅನ್ನು ಇಂಡಕ್ಟರ್ಗೆ ಸಂಪರ್ಕಿಸಲಾಗಿದೆ ಮತ್ತು ನಂತರ ಮುಖ್ಯ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ಗೆ ಹಾಕಲಾಗುತ್ತದೆ. ದೊಡ್ಡ ಇಂಡಕ್ಟರ್ ಅನ್ನು ಮುಖ್ಯ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ ಸಮಯಕ್ಕೆ ನಿಯಂತ್ರಿಸಲು ಥೈರಿಸ್ಟರ್ನ ವಹನ ಕೋನವನ್ನು ನಿಯಂತ್ರಿಸಿದ ನಂತರ, ಅರ್ಧ ಚಕ್ರದ ಪ್ರಚೋದಕ ಸಿಗ್ನಲ್ ವ್ಯತ್ಯಾಸದ ಹಂತದ ಕೋನದ ಮೇಲಿನ ಮತ್ತು ಕೆಳಗಿನ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ಗಳು, ಮೇಲಿನ G11 ಮತ್ತು G12 ಎಲ್ಲಾ ರೀತಿಯಲ್ಲಿ ಪ್ರಚೋದಕ ಸಂಕೇತವಾಗಿದೆ. ಐಸೊಲೇಶನ್ ಟ್ರಾನ್ಸ್ಫಾರ್ಮರ್ನ ಮುಂಭಾಗದ ಹಂತದ ಡ್ರೈವ್ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ ಮೂಲಕ ಪರಸ್ಪರ ಪ್ರತ್ಯೇಕಿಸಲ್ಪಟ್ಟಿದೆ, ಕಡಿಮೆ ಜಿ 21 ಮತ್ತು ಜಿ 22 ಸಹ ಅದೇ ರೀತಿಯಲ್ಲಿ ಸಿಗ್ನಲ್ನಿಂದ ಪ್ರತ್ಯೇಕಿಸಲ್ಪಟ್ಟಿದೆ. ಎರಡು ಪ್ರಚೋದಕ ಸಂಕೇತಗಳು ಆಂಟಿ-ಪ್ಯಾರಲಲ್ ಥೈರಿಸ್ಟರ್ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ ಧನಾತ್ಮಕ ಮತ್ತು ಋಣಾತ್ಮಕ ವಹನವನ್ನು ಪ್ರಚೋದಿಸುತ್ತವೆ, 1 ಚಾನಲ್‌ನ ಮೇಲೆ ಸಂಪೂರ್ಣ ಥೈರಿಸ್ಟರ್ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್‌ಗೆ ಸಂಪರ್ಕಗೊಂಡಿದೆ, ಥೈರಿಸ್ಟರ್ ವಹನದಲ್ಲಿ ಅದು 0 ಆಗುತ್ತದೆ ಮತ್ತು 2, 3 ಚಾನಲ್ ಥೈರಿಸ್ಟರ್ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್‌ಗೆ ಮೇಲಕ್ಕೆ ಮತ್ತು ಕೆಳಕ್ಕೆ ಸಂಪರ್ಕ ಹೊಂದಿದೆ. ರಸ್ತೆ ಪ್ರಚೋದಕ ಸಂಕೇತಗಳು, 4 ಚಾನಲ್ ಅನ್ನು ಸಂಪೂರ್ಣ ಥೈರಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರವಾಹದ ಹರಿವಿನಿಂದ ಅಳೆಯಲಾಗುತ್ತದೆ.

2 ಚಾನಲ್ ಧನಾತ್ಮಕ ಪ್ರಚೋದಕ ಸಂಕೇತವನ್ನು ಅಳೆಯುತ್ತದೆ, ಥೈರಿಸ್ಟರ್ ವಹನದ ಮೇಲೆ ಪ್ರಚೋದಿಸಲ್ಪಟ್ಟಿದೆ, ಪ್ರಸ್ತುತವು ಧನಾತ್ಮಕವಾಗಿರುತ್ತದೆ; 3 ಚಾನಲ್ ರಿವರ್ಸ್ ಟ್ರಿಗ್ಗರ್ ಸಿಗ್ನಲ್ ಅನ್ನು ಅಳೆಯುತ್ತದೆ, ಥೈರಿಸ್ಟರ್ ವಹನದ ಕಡಿಮೆ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ ಅನ್ನು ಪ್ರಚೋದಿಸುತ್ತದೆ, ಪ್ರಸ್ತುತವು ಋಣಾತ್ಮಕವಾಗಿರುತ್ತದೆ.

ಸೆಮಿನಾರ್ IGBT ಡ್ರೈವ್ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ನ 3.IGBT ಡ್ರೈವ್ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ ಅನೇಕ ವಿಶೇಷ ವಿನಂತಿಗಳನ್ನು ಹೊಂದಿದೆ, ಸಂಕ್ಷಿಪ್ತವಾಗಿ:

(1) ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಪಲ್ಸ್‌ನ ಏರಿಕೆ ಮತ್ತು ಕುಸಿತದ ದರವು ಸಾಕಷ್ಟು ದೊಡ್ಡದಾಗಿರಬೇಕು. igbt ಆನ್ ಮಾಡಿ, ಕಡಿದಾದ ಗೇಟ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್‌ನ ಮುಂಚೂಣಿಯಲ್ಲಿರುವ ಅಂಚನ್ನು ಗೇಟ್ G ಮತ್ತು ಗೇಟ್ ನಡುವೆ ಹೊರಸೂಸುವ E ಗೆ ಸೇರಿಸಲಾಗುತ್ತದೆ, ಇದರಿಂದಾಗಿ ನಷ್ಟವನ್ನು ಕಡಿಮೆ ಮಾಡಲು ಕಡಿಮೆ ಸಮಯವನ್ನು ತಲುಪಲು ಅದನ್ನು ತ್ವರಿತವಾಗಿ ಆನ್ ಮಾಡಲಾಗುತ್ತದೆ. IGBT ಸ್ಥಗಿತಗೊಳಿಸುವಿಕೆಯಲ್ಲಿ, ಗೇಟ್ ಡ್ರೈವ್ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ IGBT ಲ್ಯಾಂಡಿಂಗ್ ಎಡ್ಜ್ ಅನ್ನು ಒದಗಿಸಬೇಕು, ಮತ್ತು IGBT ಗೇಟ್ G ಮತ್ತು ಸೂಕ್ತ ರಿವರ್ಸ್ ಬಯಾಸ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ ನಡುವೆ ಹೊರಸೂಸುವ E ಗೆ, IGBT ವೇಗದ ಸ್ಥಗಿತಗೊಳಿಸುವಿಕೆ, ಸ್ಥಗಿತಗೊಳಿಸುವ ಸಮಯವನ್ನು ಕಡಿಮೆ ಮಾಡುತ್ತದೆ, ಕಡಿಮೆಗೊಳಿಸುತ್ತದೆ ಸ್ಥಗಿತಗೊಳಿಸುವ ನಷ್ಟ.

(2) IGBT ವಹನದ ನಂತರ, ಗೇಟ್ ಡ್ರೈವ್ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್‌ನಿಂದ ಒದಗಿಸಲಾದ ಡ್ರೈವ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಮತ್ತು ಪ್ರವಾಹವು IGBT ಡ್ರೈವ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಮತ್ತು ಕರೆಂಟ್‌ಗೆ ಸಾಕಷ್ಟು ವೈಶಾಲ್ಯವಾಗಿರಬೇಕು, ಆದ್ದರಿಂದ IGBT ಯ ವಿದ್ಯುತ್ ಉತ್ಪಾದನೆಯು ಯಾವಾಗಲೂ ಸ್ಯಾಚುರೇಟೆಡ್ ಸ್ಥಿತಿಯಲ್ಲಿರುತ್ತದೆ. ತಾತ್ಕಾಲಿಕ ಓವರ್‌ಲೋಡ್, ಗೇಟ್ ಡ್ರೈವ್ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್‌ನಿಂದ ಒದಗಿಸಲಾದ ಚಾಲನಾ ಶಕ್ತಿಯು IGBT ಸ್ಯಾಚುರೇಶನ್ ಪ್ರದೇಶ ಮತ್ತು ಹಾನಿಯಿಂದ ನಿರ್ಗಮಿಸುವುದಿಲ್ಲ ಎಂದು ಖಚಿತಪಡಿಸಿಕೊಳ್ಳಲು ಸಾಕಷ್ಟು ಇರಬೇಕು.

(3) IGBT ಗೇಟ್ ಡ್ರೈವ್ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ ಸೂಕ್ತ ಮೌಲ್ಯವನ್ನು ತೆಗೆದುಕೊಳ್ಳಲು IGBT ಧನಾತ್ಮಕ ಡ್ರೈವ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಅನ್ನು ಒದಗಿಸಬೇಕು, ವಿಶೇಷವಾಗಿ IGBT ಯಲ್ಲಿ ಬಳಸಲಾದ ಸಲಕರಣೆಗಳ ಶಾರ್ಟ್-ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ ಆಪರೇಟಿಂಗ್ ಪ್ರಕ್ರಿಯೆಯಲ್ಲಿ, ಧನಾತ್ಮಕ ಡ್ರೈವ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಅನ್ನು ಅಗತ್ಯವಿರುವ ಕನಿಷ್ಠ ಮೌಲ್ಯಕ್ಕೆ ಆಯ್ಕೆ ಮಾಡಬೇಕು. IGBT ಯ ಗೇಟ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್‌ನ ಸ್ವಿಚಿಂಗ್ ಅಪ್ಲಿಕೇಶನ್ ಅತ್ಯುತ್ತಮವಾಗಿ 10V ~ 15V ಆಗಿರಬೇಕು.

(4) IGBT ಸ್ಥಗಿತಗೊಳಿಸುವ ಪ್ರಕ್ರಿಯೆ, ಗೇಟ್ - ಎಮಿಟರ್ ನಡುವೆ ಅನ್ವಯಿಸಲಾದ ಋಣಾತ್ಮಕ ಬಯಾಸ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ IGBT ಯ ಕ್ಷಿಪ್ರ ಸ್ಥಗಿತಕ್ಕೆ ಅನುಕೂಲಕರವಾಗಿದೆ, ಆದರೆ ತುಂಬಾ ದೊಡ್ಡದಾಗಿ ತೆಗೆದುಕೊಳ್ಳಬಾರದು, ಸಾಮಾನ್ಯ ಟೇಕ್ -2V ರಿಂದ -10V.

(5) ದೊಡ್ಡ ಇಂಡಕ್ಟಿವ್ ಲೋಡ್‌ಗಳ ಸಂದರ್ಭದಲ್ಲಿ, ಅತಿ ವೇಗದ ಸ್ವಿಚಿಂಗ್ ಹಾನಿಕಾರಕವಾಗಿದೆ, IGBT ಕ್ಷಿಪ್ರ ಆನ್ ಮತ್ತು ಟರ್ನ್-ಆಫ್‌ನಲ್ಲಿ ದೊಡ್ಡ ಅನುಗಮನದ ಲೋಡ್‌ಗಳು ಹೆಚ್ಚಿನ ಆವರ್ತನ ಮತ್ತು ಹೆಚ್ಚಿನ ವೈಶಾಲ್ಯ ಮತ್ತು ಸ್ಪೈಕ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ Ldi / dt ನ ಕಿರಿದಾದ ಅಗಲವನ್ನು ಉತ್ಪಾದಿಸುತ್ತದೆ , ಸ್ಪೈಕ್ ಹೀರಿಕೊಳ್ಳಲು ಸುಲಭವಲ್ಲ, ಸಾಧನದ ಹಾನಿಯನ್ನು ರೂಪಿಸುವುದು ಸುಲಭ.

(6) IGBT ಅನ್ನು ಹೆಚ್ಚಿನ-ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಸ್ಥಳಗಳಲ್ಲಿ ಬಳಸುವುದರಿಂದ, ಡ್ರೈವ್ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ ಸಂಪೂರ್ಣ ನಿಯಂತ್ರಣ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್‌ನೊಂದಿಗೆ ತೀವ್ರ ಪ್ರತ್ಯೇಕತೆಯ ಸಂಭಾವ್ಯತೆಯಲ್ಲಿ ಇರಬೇಕು, ಹೆಚ್ಚಿನ ವೇಗದ ಆಪ್ಟಿಕಲ್ ಜೋಡಣೆಯ ಪ್ರತ್ಯೇಕತೆ ಅಥವಾ ಟ್ರಾನ್ಸ್‌ಫಾರ್ಮರ್ ಜೋಡಣೆಯ ಪ್ರತ್ಯೇಕತೆಯ ಸಾಮಾನ್ಯ ಬಳಕೆ.

ಡ್ರೈವ್ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ ಸ್ಥಿತಿ

ಸಮಗ್ರ ತಂತ್ರಜ್ಞಾನದ ಅಭಿವೃದ್ಧಿಯೊಂದಿಗೆ, ಪ್ರಸ್ತುತ IGBT ಗೇಟ್ ಡ್ರೈವ್ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ ಅನ್ನು ಹೆಚ್ಚಾಗಿ ಸಂಯೋಜಿತ ಚಿಪ್‌ಗಳಿಂದ ನಿಯಂತ್ರಿಸಲಾಗುತ್ತದೆ. ನಿಯಂತ್ರಣ ಮೋಡ್ ಇನ್ನೂ ಮುಖ್ಯವಾಗಿ ಮೂರು ವಿಧವಾಗಿದೆ:

(1) ನೇರ ಪ್ರಚೋದಕ ಪ್ರಕಾರ ಇನ್‌ಪುಟ್ ಮತ್ತು ಔಟ್‌ಪುಟ್ ಸಿಗ್ನಲ್‌ಗಳ ನಡುವೆ ವಿದ್ಯುತ್ ಪ್ರತ್ಯೇಕತೆಯಿಲ್ಲ.

(2) ಇನ್‌ಪುಟ್ ಮತ್ತು ಔಟ್‌ಪುಟ್ ಸಿಗ್ನಲ್‌ಗಳ ನಡುವೆ ಪಲ್ಸ್ ಟ್ರಾನ್ಸ್‌ಫಾರ್ಮರ್ ಪ್ರತ್ಯೇಕತೆ, 4000V ವರೆಗೆ ಪ್ರತ್ಯೇಕ ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಮಟ್ಟವನ್ನು ಬಳಸಿಕೊಂಡು ಟ್ರಾನ್ಸ್‌ಫಾರ್ಮರ್ ಐಸೋಲೇಶನ್ ಡ್ರೈವ್.

ಕೆಳಗಿನಂತೆ 3 ವಿಧಾನಗಳಿವೆ

ನಿಷ್ಕ್ರಿಯ ವಿಧಾನ: ದ್ವಿತೀಯ ಟ್ರಾನ್ಸ್‌ಫಾರ್ಮರ್‌ನ ಔಟ್‌ಪುಟ್ ಅನ್ನು ನೇರವಾಗಿ IGBT ಅನ್ನು ಚಾಲನೆ ಮಾಡಲು ಬಳಸಲಾಗುತ್ತದೆ, ವೋಲ್ಟ್-ಸೆಕೆಂಡ್ ಸಮೀಕರಣದ ಮಿತಿಗಳಿಂದಾಗಿ, ಕರ್ತವ್ಯ ಚಕ್ರವು ಹೆಚ್ಚು ಬದಲಾಗದ ಸ್ಥಳಗಳಿಗೆ ಮಾತ್ರ ಇದು ಅನ್ವಯಿಸುತ್ತದೆ.

ಸಕ್ರಿಯ ವಿಧಾನ: ಟ್ರಾನ್ಸ್ಫಾರ್ಮರ್ ಮಾತ್ರ ಪ್ರತ್ಯೇಕವಾದ ಸಂಕೇತಗಳನ್ನು ಒದಗಿಸುತ್ತದೆ, ದ್ವಿತೀಯ ಪ್ಲಾಸ್ಟಿಕ್ ಆಂಪ್ಲಿಫಯರ್ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ನಲ್ಲಿ IGBT ಅನ್ನು ಚಾಲನೆ ಮಾಡಲು, ಡ್ರೈವ್ ತರಂಗರೂಪವು ಉತ್ತಮವಾಗಿದೆ, ಆದರೆ ಪ್ರತ್ಯೇಕ ಸಹಾಯಕ ಶಕ್ತಿಯನ್ನು ಒದಗಿಸುವ ಅವಶ್ಯಕತೆಯಿದೆ.

ಸ್ವಯಂ-ಪೂರೈಕೆ ವಿಧಾನ: ಪಲ್ಸ್ ಟ್ರಾನ್ಸ್‌ಫಾರ್ಮರ್ ಅನ್ನು ಡ್ರೈವ್ ಎನರ್ಜಿ ಮತ್ತು ಹೈ-ಫ್ರೀಕ್ವೆನ್ಸಿ ಮಾಡ್ಯುಲೇಶನ್ ಮತ್ತು ಡಿಮೋಡ್ಯುಲೇಶನ್ ತಂತ್ರಜ್ಞಾನ ಎರಡನ್ನೂ ರವಾನಿಸಲು ಬಳಸಲಾಗುತ್ತದೆ, ಇದನ್ನು ಮಾಡ್ಯುಲೇಶನ್-ಟೈಪ್ ಸ್ವಯಂ-ಪೂರೈಕೆ ವಿಧಾನ ಮತ್ತು ಸಮಯ-ಹಂಚಿಕೆ ತಂತ್ರಜ್ಞಾನ ಸ್ವಯಂ-ಪೂರೈಕೆ ಎಂದು ವಿಂಗಡಿಸಲಾಗಿದೆ. ಅಗತ್ಯವಿರುವ ವಿದ್ಯುತ್ ಸರಬರಾಜು, ಹೆಚ್ಚಿನ ಆವರ್ತನ ಮಾಡ್ಯುಲೇಶನ್ ಮತ್ತು ಡಿಮೋಡ್ಯುಲೇಶನ್ ತಂತ್ರಜ್ಞಾನವನ್ನು ಉತ್ಪಾದಿಸಲು ರಿಕ್ಟಿಫೈಯರ್ ಸೇತುವೆಗೆ ಸ್ವಯಂ-ಸರಬರಾಜು ಶಕ್ತಿಯನ್ನು ಟೈಪ್ ಮಾಡಿ ತರ್ಕ ಸಂಕೇತಗಳನ್ನು ರವಾನಿಸಲು.

3. ಥೈರಿಸ್ಟರ್ ಮತ್ತು IGBT ಡ್ರೈವ್ ನಡುವಿನ ಸಂಪರ್ಕ ಮತ್ತು ವ್ಯತ್ಯಾಸ

Thyristor ಮತ್ತು IGBT ಡ್ರೈವ್ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ ಇದೇ ಕೇಂದ್ರದ ನಡುವೆ ವ್ಯತ್ಯಾಸವನ್ನು ಹೊಂದಿದೆ. ಮೊದಲನೆಯದಾಗಿ, ಎರಡು ಡ್ರೈವ್ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್‌ಗಳು ಸ್ವಿಚಿಂಗ್ ಸಾಧನ ಮತ್ತು ನಿಯಂತ್ರಣ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ ಅನ್ನು ಪರಸ್ಪರ ಪ್ರತ್ಯೇಕಿಸಲು ಅಗತ್ಯವಾಗಿರುತ್ತದೆ, ಆದ್ದರಿಂದ ಹೆಚ್ಚಿನ-ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್‌ಗಳು ನಿಯಂತ್ರಣ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್‌ನ ಮೇಲೆ ಪ್ರಭಾವ ಬೀರುವುದನ್ನು ತಪ್ಪಿಸಲು. ನಂತರ, ಸ್ವಿಚಿಂಗ್ ಸಾಧನವನ್ನು ಪ್ರಚೋದಿಸಲು ಗೇಟ್ ಡ್ರೈವ್ ಸಿಗ್ನಲ್‌ಗೆ ಎರಡನ್ನೂ ಅನ್ವಯಿಸಲಾಗುತ್ತದೆ. ವ್ಯತ್ಯಾಸವೆಂದರೆ ಥೈರಿಸ್ಟರ್ ಡ್ರೈವ್‌ಗೆ ಪ್ರಸ್ತುತ ಸಿಗ್ನಲ್ ಅಗತ್ಯವಿರುತ್ತದೆ, ಆದರೆ IGBT ಗೆ ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಸಿಗ್ನಲ್ ಅಗತ್ಯವಿರುತ್ತದೆ. ಸ್ವಿಚಿಂಗ್ ಸಾಧನದ ವಹನದ ನಂತರ, ಥೈರಿಸ್ಟರ್ನ ಗೇಟ್ ಥೈರಿಸ್ಟರ್ನ ಬಳಕೆಯ ನಿಯಂತ್ರಣವನ್ನು ಕಳೆದುಕೊಂಡಿದೆ, ನೀವು ಥೈರಿಸ್ಟರ್ ಅನ್ನು ಮುಚ್ಚಲು ಬಯಸಿದರೆ, ಥೈರಿಸ್ಟರ್ ಟರ್ಮಿನಲ್ಗಳನ್ನು ರಿವರ್ಸ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ಗೆ ಸೇರಿಸಬೇಕು; ಮತ್ತು IGBT ಸ್ಥಗಿತಗೊಳಿಸುವಿಕೆಯು IGBT ಅನ್ನು ಮುಚ್ಚಲು ಋಣಾತ್ಮಕ ಡ್ರೈವಿಂಗ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ನ ಗೇಟ್ಗೆ ಮಾತ್ರ ಸೇರಿಸಬೇಕಾಗಿದೆ.

4. ತೀರ್ಮಾನ

ಈ ಕಾಗದವನ್ನು ಮುಖ್ಯವಾಗಿ ನಿರೂಪಣೆಯ ಎರಡು ಭಾಗಗಳಾಗಿ ವಿಂಗಡಿಸಲಾಗಿದೆ, ಥೈರಿಸ್ಟರ್ ಡ್ರೈವ್ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್‌ನ ಮೊದಲ ಭಾಗವು ನಿರೂಪಣೆಯನ್ನು ನಿಲ್ಲಿಸಲು ವಿನಂತಿಸುತ್ತದೆ, ಅನುಗುಣವಾದ ಡ್ರೈವ್ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್‌ನ ವಿನ್ಯಾಸ, ಮತ್ತು ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ ವಿನ್ಯಾಸವನ್ನು ಪ್ರಾಯೋಗಿಕ ಥೈರಿಸ್ಟರ್ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್‌ಗೆ ಸಿಮ್ಯುಲೇಶನ್ ಮೂಲಕ ಅನ್ವಯಿಸಲಾಗುತ್ತದೆ. ಮತ್ತು ಡ್ರೈವ್ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ನ ಕಾರ್ಯಸಾಧ್ಯತೆಯನ್ನು ಸಾಬೀತುಪಡಿಸಲು ಪ್ರಯೋಗ, ಸಮಸ್ಯೆಗಳ ವಿಶ್ಲೇಷಣೆಯಲ್ಲಿ ಎದುರಾಗುವ ಪ್ರಾಯೋಗಿಕ ಪ್ರಕ್ರಿಯೆಯು ನಿಲ್ಲಿಸಿತು ಮತ್ತು ವ್ಯವಹರಿಸುತ್ತದೆ. ಡ್ರೈವ್ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್‌ನ ಕೋರಿಕೆಯ ಮೇರೆಗೆ IGBT ಯಲ್ಲಿನ ಮುಖ್ಯ ಚರ್ಚೆಯ ಎರಡನೇ ಭಾಗ, ಮತ್ತು ಈ ಆಧಾರದ ಮೇಲೆ ಪ್ರಸ್ತುತ ಸಾಮಾನ್ಯವಾಗಿ ಬಳಸುವ IGBT ಡ್ರೈವ್ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ ಅನ್ನು ಮತ್ತಷ್ಟು ಪರಿಚಯಿಸಲು ಮತ್ತು ಸಿಮ್ಯುಲೇಶನ್ ಮತ್ತು ಪ್ರಯೋಗವನ್ನು ನಿಲ್ಲಿಸಲು ಮುಖ್ಯ ಆಪ್ಟೋಕಪ್ಲರ್ ಐಸೋಲೇಶನ್ ಡ್ರೈವ್ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ ಅನ್ನು ಸಾಬೀತುಪಡಿಸಲು ಡ್ರೈವ್ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ನ ಕಾರ್ಯಸಾಧ್ಯತೆ.