Triode ಮತ್ತು MOSFET ಅನ್ನು ಆಯ್ಕೆಮಾಡುವಾಗ ನಾನು ಯಾವ ನಿಯತಾಂಕಗಳಿಗೆ ಗಮನ ಕೊಡಬೇಕು?

ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನಿಕ್ ಘಟಕಗಳು ವಿದ್ಯುತ್ ನಿಯತಾಂಕಗಳನ್ನು ಹೊಂದಿವೆ, ಮತ್ತು ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನಿಕ್ ಘಟಕಗಳ ಸ್ಥಿರತೆ ಮತ್ತು ದೀರ್ಘಕಾಲೀನ ಕಾರ್ಯಾಚರಣೆಯನ್ನು ಖಚಿತಪಡಿಸಿಕೊಳ್ಳಲು ಪ್ರಕಾರವನ್ನು ಆಯ್ಕೆಮಾಡುವಾಗ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನಿಕ್ ಘಟಕಗಳಿಗೆ ಸಾಕಷ್ಟು ಅಂಚುಗಳನ್ನು ಬಿಡುವುದು ಮುಖ್ಯವಾಗಿದೆ. ಮುಂದೆ ಟ್ರಯೋಡ್ ಮತ್ತು MOSFET ಆಯ್ಕೆ ವಿಧಾನವನ್ನು ಸಂಕ್ಷಿಪ್ತವಾಗಿ ಪರಿಚಯಿಸಿ.

ಟ್ರಯೋಡ್ ಒಂದು ಹರಿವಿನ-ನಿಯಂತ್ರಿತ ಸಾಧನವಾಗಿದೆ, MOSFET ವೋಲ್ಟೇಜ್-ನಿಯಂತ್ರಿತ ಸಾಧನವಾಗಿದೆ, ಎರಡರ ನಡುವೆ ಹೋಲಿಕೆಗಳಿವೆ, ತಡೆದುಕೊಳ್ಳುವ ವೋಲ್ಟೇಜ್, ಪ್ರಸ್ತುತ ಮತ್ತು ಇತರ ನಿಯತಾಂಕಗಳನ್ನು ಪರಿಗಣಿಸುವ ಅಗತ್ಯತೆಯ ಆಯ್ಕೆಯಲ್ಲಿ.

1, ಗರಿಷ್ಠ ತಡೆದುಕೊಳ್ಳುವ ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಆಯ್ಕೆಯ ಪ್ರಕಾರ

ಟ್ರಯೋಡ್ ಸಂಗ್ರಾಹಕ ಸಿ ಮತ್ತು ಎಮಿಟರ್ ಇ ಪ್ಯಾರಾಮೀಟರ್ ವಿ (ಬಿಆರ್) ಸಿಇಒ ನಡುವಿನ ಗರಿಷ್ಠ ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಅನ್ನು ತಡೆದುಕೊಳ್ಳಬಲ್ಲವು, ಕಾರ್ಯಾಚರಣೆಯ ಸಮಯದಲ್ಲಿ ಸಿಇ ನಡುವಿನ ವೋಲ್ಟೇಜ್ ನಿರ್ದಿಷ್ಟಪಡಿಸಿದ ಮೌಲ್ಯವನ್ನು ಮೀರಬಾರದು, ಇಲ್ಲದಿದ್ದರೆ ಟ್ರಯೋಡ್ ಶಾಶ್ವತವಾಗಿ ಹಾನಿಗೊಳಗಾಗುತ್ತದೆ.

ಬಳಕೆಯ ಸಮಯದಲ್ಲಿ ಡ್ರೈನ್ D ಮತ್ತು MOSFET ನ ಮೂಲ S ನಡುವೆ ಗರಿಷ್ಠ ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಸಹ ಅಸ್ತಿತ್ವದಲ್ಲಿದೆ ಮತ್ತು ಕಾರ್ಯಾಚರಣೆಯ ಸಮಯದಲ್ಲಿ DS ನಾದ್ಯಂತ ವೋಲ್ಟೇಜ್ ನಿರ್ದಿಷ್ಟಪಡಿಸಿದ ಮೌಲ್ಯವನ್ನು ಮೀರಬಾರದು. ಸಾಮಾನ್ಯವಾಗಿ ಹೇಳುವುದಾದರೆ, ವೋಲ್ಟೇಜ್ ತಡೆದುಕೊಳ್ಳುವ ಮೌಲ್ಯMOSFETಟ್ರಯೋಡ್‌ಗಿಂತ ಹೆಚ್ಚಿನದಾಗಿದೆ.

2, ಗರಿಷ್ಠ ಮಿತಿಮೀರಿದ ಸಾಮರ್ಥ್ಯ

ಟ್ರಯೋಡ್ ICM ಪ್ಯಾರಾಮೀಟರ್ ಅನ್ನು ಹೊಂದಿದೆ, ಅಂದರೆ, ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಓವರ್‌ಕರೆಂಟ್ ಸಾಮರ್ಥ್ಯ, ಮತ್ತು MOSFET ನ ಓವರ್‌ಕರೆಂಟ್ ಸಾಮರ್ಥ್ಯವನ್ನು ID ಯ ಪರಿಭಾಷೆಯಲ್ಲಿ ವ್ಯಕ್ತಪಡಿಸಲಾಗುತ್ತದೆ. ಪ್ರಸ್ತುತ ಕಾರ್ಯಾಚರಣೆಯ ಸಮಯದಲ್ಲಿ, ಟ್ರಯೋಡ್ / MOSFET ಮೂಲಕ ಹರಿಯುವ ಪ್ರವಾಹವು ನಿರ್ದಿಷ್ಟಪಡಿಸಿದ ಮೌಲ್ಯವನ್ನು ಮೀರಬಾರದು, ಇಲ್ಲದಿದ್ದರೆ ಸಾಧನವನ್ನು ಸುಡಲಾಗುತ್ತದೆ.

ಕಾರ್ಯಾಚರಣೆಯ ಸ್ಥಿರತೆಯನ್ನು ಪರಿಗಣಿಸಿ, 30% -50% ಅಥವಾ ಅದಕ್ಕಿಂತ ಹೆಚ್ಚಿನ ಅಂಚುಗಳನ್ನು ಸಾಮಾನ್ಯವಾಗಿ ಅನುಮತಿಸಲಾಗಿದೆ.

3,ಆಪರೇಟಿಂಗ್ ತಾಪಮಾನ

ವಾಣಿಜ್ಯ ದರ್ಜೆಯ ಚಿಪ್ಸ್: ಸಾಮಾನ್ಯ ಶ್ರೇಣಿ 0 ರಿಂದ +70 ℃;

ಕೈಗಾರಿಕಾ ದರ್ಜೆಯ ಚಿಪ್ಸ್: ಸಾಮಾನ್ಯ ಶ್ರೇಣಿ -40 ರಿಂದ +85 ℃;

ಮಿಲಿಟರಿ ದರ್ಜೆಯ ಚಿಪ್ಸ್: ಸಾಮಾನ್ಯ ಶ್ರೇಣಿ -55 ℃ ರಿಂದ +150 ℃;

MOSFET ಆಯ್ಕೆಯನ್ನು ಮಾಡುವಾಗ, ಉತ್ಪನ್ನದ ಬಳಕೆಯ ಸಂದರ್ಭಕ್ಕೆ ಅನುಗುಣವಾಗಿ ಸೂಕ್ತವಾದ ಚಿಪ್ ಅನ್ನು ಆಯ್ಕೆಮಾಡಿ.

4, ಸ್ವಿಚಿಂಗ್ ಆವರ್ತನ ಆಯ್ಕೆಯ ಪ್ರಕಾರ

ಎರಡೂ ಟ್ರೈಡ್ ಮತ್ತುMOSFETಸ್ವಿಚಿಂಗ್ ಆವರ್ತನ/ಪ್ರತಿಕ್ರಿಯೆ ಸಮಯದ ನಿಯತಾಂಕಗಳನ್ನು ಹೊಂದಿವೆ. ಹೆಚ್ಚಿನ ಆವರ್ತನ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್‌ಗಳಲ್ಲಿ ಬಳಸಿದರೆ, ಸ್ವಿಚಿಂಗ್ ಟ್ಯೂಬ್‌ನ ಪ್ರತಿಕ್ರಿಯೆ ಸಮಯವನ್ನು ಬಳಕೆಯ ಪರಿಸ್ಥಿತಿಗಳನ್ನು ಪೂರೈಸಲು ಪರಿಗಣಿಸಬೇಕು.

5,ಇತರ ಆಯ್ಕೆ ಪರಿಸ್ಥಿತಿಗಳು

ಉದಾಹರಣೆಗೆ, MOSFET ನ ಆನ್-ರೆಸಿಸ್ಟೆನ್ಸ್ ರಾನ್ ಪ್ಯಾರಾಮೀಟರ್, VTH ಟರ್ನ್-ಆನ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್MOSFET, ಇತ್ಯಾದಿ.

MOSFET ಆಯ್ಕೆಯಲ್ಲಿರುವ ಪ್ರತಿಯೊಬ್ಬರೂ, ಆಯ್ಕೆಗಾಗಿ ಮೇಲಿನ ಅಂಶಗಳನ್ನು ನೀವು ಸಂಯೋಜಿಸಬಹುದು.